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EEPW首頁 >> 主題列表 >> vishay intertechnology

Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd，采用厚度為2.0mm的低外形封裝，其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的PCB面積。這些器件還具有1μs的超短傳播延遲，這一點(diǎn)對需要比標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管光耦更快開關(guān)速度的應(yīng)用是非常重要的。 　　波特率達(dá)1MBd的VOM452T和VOM453T光耦可用于工業(yè)通信總線的信號隔離，例如C
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Vishay推出光通量高達(dá)2160流明的新款LED照明面板

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于道路和工業(yè)高架照明應(yīng)用的新款LED照明面板 --- VLSL30和VLSL31，擴(kuò)大了其光電產(chǎn)品組合。兩款開發(fā)套件為設(shè)計(jì)者提供了所需的全部材料，使他們能夠借助Vishay的固態(tài)照明解決方案加快設(shè)計(jì)進(jìn)程。 　　除了4x6 LED面板，開發(fā)套件還包括反射鏡和驅(qū)動(dòng)器模塊，為設(shè)計(jì)者提供了設(shè)計(jì)所需的基本工具，讓開發(fā)者可以集中精力將照明產(chǎn)品快速上市，同時(shí)采用高能效、符合環(huán)保要求、長壽命的LED照明技術(shù)。 　　Vishay提供了兩款面板
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Vishay發(fā)布可靠性極高的高性能新系列薄膜包封式貼片電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過ESCC-4001/023認(rèn)證、達(dá)到R級失效率的新系列薄膜包封式貼片電阻 --- PFRR。PFRR電阻是業(yè)界首款具有低至10ppm/℃的TCR、容差為0.05%的此類器件。 　　Vishay Sfernice電阻專門針對對性能有著嚴(yán)格要求的軍工、航天和醫(yī)療應(yīng)用等對可靠性要求極高的領(lǐng)域，在±70℃下以額定功率工作8000小時(shí)后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.25%。通過100%的篩選和廣泛的環(huán)境抽簽測試，確保了器件的可靠
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Vishay發(fā)布助客戶進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

  • 　　日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。 　　傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

  • 日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊...
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Vishay發(fā)布新款TFU厚膜扁平貼片式

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TFU 0603厚膜扁平貼片式保險(xiǎn)絲，器件在更小的芯片尺寸內(nèi)提供了超快動(dòng)作的熔斷特性。器件的額定電流值高達(dá)4.0A，在32V額定電壓下的分?jǐn)嗄芰?5A。 　　Vishay Beyschlag TFU 0603保險(xiǎn)絲采用標(biāo)準(zhǔn)RR 1608M公制外形尺寸(91.55mmx85mmx45mm)，可對DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器和便攜式消費(fèi)電子設(shè)備中的低壓電源提供次級側(cè)的過流保護(hù)。通過嚴(yán)格控制的制造工藝和Vishay先進(jìn)的厚膜技術(shù)
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 　　Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 　　設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
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Vishay推出全新官方網(wǎng)站

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布經(jīng)過重新設(shè)計(jì)的公司網(wǎng)站www.vishay.com，以便更好地服務(wù)客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對主頁的產(chǎn)品類別加以重新組織，增強(qiáng)搜索系統(tǒng)和改進(jìn)產(chǎn)品選擇信息，新網(wǎng)站使用戶能夠更便捷地獲取產(chǎn)品信息。重新設(shè)計(jì)的網(wǎng)站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務(wù)和支持、設(shè)計(jì)工具以及公司信息。 　　新主頁的產(chǎn)品類別非常清晰，包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
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Vishay推出6款FRED Pt超快恢復(fù)整流器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款用于消費(fèi)電子應(yīng)用的FRED Pt™超快恢復(fù)整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關(guān)條件下的快速恢復(fù)時(shí)間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。 　　新整流器適用于70W～400W的開關(guān)電源，為筆記本電腦和打印機(jī)適配器、桌面電腦、電視機(jī)和顯示器、游戲控制器，以及DVD和藍(lán)光播放器中的AC-DC電源提供了高能效的功率因數(shù)校正(PF
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Vishay推出新款4線雙向?qū)ΨQESD保護(hù)陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向?qū)ΨQ(BiSy)ESD保護(hù)陣列，可保護(hù)PC和便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中的USB 2.0等數(shù)據(jù)端口應(yīng)用。 　　新的保護(hù)陣列在0V時(shí)具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產(chǎn)過程中很容易進(jìn)行處理，0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。 　　VCUT05A4-05S-G-08能夠?qū)?條數(shù)據(jù)線提供瞬態(tài)保護(hù)，保護(hù)等級達(dá)到pe
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Vishay推出超高容值液鉭電容器 DSCC 10011

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高達(dá)72,000µF的容值，采用A、B和C外形編碼。對于高可靠性應(yīng)用，10011器件采用玻璃至金屬的密封結(jié)構(gòu)，可以在-55℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，1kHz時(shí)的最大ESR低至0.035?。 　　10011器件的特殊陰極系統(tǒng)具有單位體積的最高容
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級應(yīng)用

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應(yīng)用制定的“T”-level要求。 　　為達(dá)到T級的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進(jìn)行了額外測試，對原材料和產(chǎn)品批次定義進(jìn)行嚴(yán)格控制，并達(dá)到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進(jìn)行了100%的C浪涌試驗(yàn)。此外，電容器進(jìn)行了完備的視覺和
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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