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vishay intertechnology 文章 進入vishay intertechnology技術社區(qū)

Vishay發(fā)布業(yè)內首款采用3232外形尺寸的電感器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11,該器件在同類器件當中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm,高度僅有4.0mm,低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標準感值可提供系統(tǒng)所需的高效率。
  • 關鍵字: Vishay  電感器  

Vishay提供免費Joule School在線脈沖能量計算器

  •   Vishay宣布,在Vishay網站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。   Vishay新的Joule School在線脈沖能量計算器使設計者能夠確定在其應用中在電阻上通過的脈沖能量。計算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應用來選擇合適的繞線電阻,包括電話塔、雷達系統(tǒng)、風車、焊接機、測試設備和電源等。   Joule School簡單易用,設計者可以從三種脈沖類型中選擇一種進行計算,包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數衰減脈沖。在選擇完脈沖類型后
  • 關鍵字: Vishay  計算器  

Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝,具有業(yè)內最低的導通電阻,以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積,即優(yōu)值系數。   40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?,在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。   
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA923EDJ  

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內,新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業(yè)內最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。 
  • 關鍵字: Vishay  功率MOSFET  

Vishay推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻,將容差降至±0.01%。在-55℃~+125℃的溫度范圍內,這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。   
  • 關鍵字: Vishay  薄膜電阻  

Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術,在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Vishay推出超長使用壽命新款鋁電容器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長達5000小時,在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A,提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。   
  • 關鍵字: Vishay  鋁電容器  

Vishay推出可滿足更低電壓需求的紅外接收器

  •   Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產品推出新的“V”低壓電源選項,擴充其光電子產品組合,以滿足電池供電的消費產品對更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃~+85℃的溫度范圍內工作時,V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級。   在采用2節(jié)堿性電池的應用中,以160mA負載工作3小時,電池的典型放電曲線會從3V降到2.5V。這意味著只能在2.5V電壓下工作的標準接收器將停止工作。而一個典型非線性電池
  • 關鍵字: Vishay  紅外接收器  V系列  

Vishay推出新款儀表分流電阻

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2908,在業(yè)內首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線,無需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內,WSMS2908實現了3W功率和100 μΩ的極低阻值。   
  • 關鍵字: Vishay  WSMS2908  

利用低門限電壓延長電池壽命

  •         降低能量消耗、延長電池壽命,這是每個工程師在設計便攜式電子產品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢,所以便攜式產品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來,從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產品在功能上花樣翻新,這些產品需要峰值性能,要求設計者在設備的物理尺度內實現盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術,但還遠不能滿
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Vishay推出國防領域的高可靠性模擬復用器

  •   日前,長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立IC器件的供應商VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出8通道單端模擬復用器高可靠性DG408,擴充其按照MIL-PRF-38535規(guī)范進行篩選的模擬開關和復用器系列。   
  • 關鍵字: Vishay  模擬復用器  

Vishay發(fā)布具有極高輻射強度的新款紅外發(fā)射器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布, 推出采用拋物線型透鏡實現±3°極窄半強角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850,擴充其光電子產品組合?;讵毺氐谋砻姘l(fā)射器芯片技術,VSLY5850在100mA驅動電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間。  
  • 關鍵字: Vishay  發(fā)射器  VSLY5850  

USB-OTG總線端口ESD保護陣列[Vishay]

  • 賓夕法尼亞、MALVERN—2011年1月25日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推...
  • 關鍵字: ESD保護陣列  Vishay  USB  移動電子  

Vishay推出極強抗干擾能力的新款紅外接收器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司的光電子產品組合新增用于遙控系統(tǒng)的完整系列微型自動增益控制分類5(AGC5)的紅外接收器 --- AGC5。Vishay的AGC5器件適用于短脈沖編碼,具有出色的噪聲抑制能力,在噪聲條件下能夠實現最佳的接收距離。
  • 關鍵字: Vishay  AGC5  
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