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Vishay采用Bulk Metal? 1202系列微調(diào)電位器

Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器

  • 　　2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。 　　 ? 　　M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電解電容器的優(yōu)點(diǎn)，摒棄了大多數(shù)缺點(diǎn)。在相似的電容量和外殼尺寸的情況下，新器件可耐受比其他類型電解電容器更高的紋波電流。此外，M35系列在+85℃溫度下可承受3V的反向電壓。 　　新器件可以使目前使用Vish
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Vishay推超長壽命高性能徑向鋁電容器

  • 　　近日，Vishay Intertechno logy,Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器---EKX系列，這些器件可實(shí)現(xiàn)+105°C的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
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具有位置檢測能力的光檢測電路(07-100)

  • 　　光檢測電路用LED和光檢測器線性陣列來檢測切斷光束的目標(biāo);然后，觸發(fā)報(bào)警輸出。然而，光檢測電路通常不提供發(fā)生空間的數(shù)據(jù)以指明光束被切斷的位置。本設(shè)計(jì)增加了位置檢測功能，能告知何處光束被切斷并經(jīng)RS-232把切斷光束的位置傳送到PC。
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Vishay發(fā)布先進(jìn)的第七代通用高壓電源模塊

  •         Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布其第七代通用高壓電源模塊系列，該系列具有增強(qiáng)的電流處理能力、更輕的重量、更低的熱阻、更高的可靠性及完全無鉛的結(jié)構(gòu)。 　　第七代模塊均采用與 TO-240AA 兼容的 ADD-A-PAK 封裝，將兩個(gè)有源元件整入各系列，并包括標(biāo)準(zhǔn)二極管、可控硅/二極管、可控硅/可控硅及肖特基整流器組合。 　　新器件具有高達(dá) 1600 V 的阻斷電壓、1000 V/µ
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Vishay攜多款產(chǎn)品亮相展會(huì)

  • 　　雖然全球經(jīng)濟(jì)正陷入低迷中，電子行業(yè)也在經(jīng)歷著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。但作為全球最大的分立器件與無源器件供應(yīng)商，Vishay并未因此放慢自己的腳步，反而利用其技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)，推出了眾多高性能、低功耗、低成本的產(chǎn)品。在繼續(xù)保持其領(lǐng)導(dǎo)地位的同時(shí)，更幫助客戶將Vishay的技術(shù)實(shí)力轉(zhuǎn)化為他們自身的競爭力。 　　在本次IIC期間，Vishay攜帶多款最新產(chǎn)品參展。包括具有 3300μF～72000μF 超高電容范圍的新型HE3液體鉭高能電容器，新器件采用 SuperTan技術(shù)，可提供 0.035?
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Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET? Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。 SiR476DP 在 4.5V
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Vishay推出高強(qiáng)度白光功率 SMD LED

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封裝的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED --- VLMW63.. 系列和VLMW64.. 系列。上述系列器件均提供基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)、2240mcd 至 5600mcd 的高光功率。 　　新型 VLMW63.. 系列采用 CLCC-6 封裝且具有低達(dá) 50k/W 的低熱阻，而采用 CLCC-6 扁平封裝的 VLMW64.. 系列則具有 40k/W 低熱阻及 0.9m
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Vishay推出高可靠性VJ HVArc Guard表面貼裝MLCC

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，其 HVArc Guard 表面貼裝 X7R 多層陶瓷芯片電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。 　　憑借可選聚合體端子，VJ0805、VJ1206、VJ1210、VJ1808 和 VJ1812 HVArc Guard? MLCC 可減少電容器故障，并通過限制電容器故障節(jié)約保修成本，從而進(jìn)一步減少電路板上受損元件的數(shù)量或減少對(duì)整個(gè)設(shè)備的損壞。 　　Visha
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Vishay 的新型超高精度Z 箔電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型超高精度 Z 箔電阻 —— VPR221Z.此新型器件可提供 ±0.05ppm/°C（當(dāng)溫度介于 0°C 至 +60°C 之間）及 ±0.2 ppm/°C（當(dāng)溫度范圍在  55°C 至 +125°C）（參考溫度為 +25°C）的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8
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Vishay 推出高性能、超小型4 線ESD保護(hù)陣列

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號(hào)線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號(hào)的損壞。 　　VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設(shè)備中的有源 ESD 保護(hù)所需的板面空間縮減至最小，這些系統(tǒng)包括便攜式與手持式計(jì)算、通
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Vishay 推出首款淡黃色及黃色SMD LED系列VLMx82

  • 　　Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且具有 400mA 驅(qū)動(dòng)電流的業(yè)界首個(gè)高強(qiáng)度淡黃色及黃色功率 SMD LED 系列 --- VLMK82.. 與 VLMY82.. 器件。該系列 SMD LED 器件具有 20K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應(yīng)用。  　　憑借 0.75mm 的超薄厚度，VLMK82.. 與 VLMY82.. LED 的 CLCC-2 扁平陶瓷封裝可實(shí)現(xiàn)能夠達(dá)到最大光輸出的額外電流驅(qū)動(dòng)，同時(shí)保持長達(dá) 50,0
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Vishay推出 P通道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。 　　日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類器件，目前此類器件又
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Vishay推出新型超高精度Z 箔表面貼裝電流感應(yīng)芯片電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型 VCS1625Z 超高精度 Z 箔表面貼裝電流感應(yīng)芯片電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C（當(dāng)溫度介于 0°C 至 +60°C 之間）或 ±0.2 ppm/°C（當(dāng)溫度范圍在  55°C 至 +125°C）（參考溫度為+25°C）的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm 的超
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Vishay推出業(yè)界最小尺寸超高精度Z箔卷型表面貼裝電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal® Z 箔 （BMZF） 卷型表面貼裝電阻。該器件是業(yè)內(nèi)率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在  55°C 至 +125°C （參考溫度為+25°C）時(shí)，可提供±0.2 ppm/°C的軍用級(jí)絕對(duì) TCR、±0.01%的容差以及1 納秒的快速響應(yīng)時(shí)間（幾乎不可測量），
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