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Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的USB充電器識別開關(guān)
- Maxim推出USB充電器識別方案MAX14566E,支持采用筆記本電腦為便攜設(shè)備充電,即使筆記本電腦處于休眠或深度休眠模式也可進行充電。該款開關(guān)支持USB電池充電規(guī)范1.1版以及面向中國市場的CCSA YD/T 1591-2006標準。MAX14566E結(jié)構(gòu)緊湊(2mm x 2mm),與分立方案相比可有效節(jié)省電路板空間,降低軟件開銷。 MAX14566E通過充電器識別電路可自動識別所連接的便攜設(shè)備類型,該電路無需外部軟件干預(yù),主機USB端口可通過短接D+/D-檢測支持兼容USB電池充電規(guī)范1.
- 關(guān)鍵字: Maxim 識別開關(guān) 2mm x 2mm MAX14566E
TMS320C31和80C196雙CPU構(gòu)成的高速實時控制
- TMS320C31和80C196雙CPU構(gòu)成的高速實時控制,介紹了采用TMS320C31和80C196雙CPU構(gòu)成的高速實時控制系統(tǒng)的基本構(gòu)成,給出了TMS320C31、80C196與雙口RAM IDT7140之間的接口電路,IDT公司雙口RAM系列的中斷邏輯設(shè)計以及DPS與80C196之間采用雙口RAM進行高速數(shù)據(jù)通信的
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DSP 雙口RAM 高速實時 中斷
DSP也稱數(shù)字信號處理器。TMS320C31是TI公司的第三DSP芯片
它的基本結(jié)構(gòu)包括:(1)程序文憑間與數(shù)據(jù)空間分開的總線結(jié)構(gòu) 可以對程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器這兩個獨立的存儲器進行獨立編址、獨立訪問 (2)流水線結(jié)構(gòu) 以三級流水線操作為例 在每個指令周期內(nèi) 三條不同的指令都處于激活狀態(tài) 但處于不同的階段 分別為取指、譯碼和執(zhí)行 (3)專用的硬件乘法器 使乘法可以在單周期內(nèi)完成 (4)特殊的DSP指令 (5)快速的指令周期 可以達到33.3ns 即每秒能執(zhí)行
用DSP實現(xiàn)增量式光電編碼器的細分
- 用DSP實現(xiàn)增量式光電編碼器的細分,對光柵傳感器原始信號進行細分是采用各類光柵器件進行高精度位置測量、角度測量過程中不可或缺的一個環(huán)節(jié)。細分方法多種多樣,針對各種現(xiàn)有的電子學(xué)細分方案并結(jié)合實際應(yīng)用,本文采用軟件程序判卦限,查表細分方法,實現(xiàn)
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光柵傳感器 測量 細分
1 引言
目前
各類伺服驅(qū)動器及其應(yīng)用中廣泛采用光柵裝置作為速度測量、位置測量的敏感元件。而且 廣泛采用兩路正交方波的形式 系統(tǒng)的實時性要求極高。因此 對于光柵編碼器的信號的細分等主要處理環(huán)節(jié) 一方面集中考慮提高分辨率的問題 同時 需要考慮實時性的問題。有很多采取純硬件進行細
凌力爾特推出新一代超高線性度直接轉(zhuǎn)換I/Q 調(diào)制器LTC5588-1
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出新一代超高線性度直接轉(zhuǎn)換 I/Q 調(diào)制器 LTC5588-1,該器件在 200MHz 至 6GHz 的寬頻率范圍內(nèi)工作。這款新型調(diào)制器提供了業(yè)界最佳的線性度性能,在 2.14GHz 頻率條件下可實現(xiàn) 30.9dBm OIP3 (輸出三階截取),且無需校準。該器件還擁有通過單引腳調(diào)節(jié)和一個 DC 輸入電壓進行簡單校準的獨特能力,從而將其 OIP3 進一步優(yōu)化至高達35.1dBm。一個 -160.6dBm/Hz 的噪聲層 (
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Linear 推出 LTC3625 和 LTC3625-1
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3625 和 LTC3625-1,這是兩節(jié)超級電容器充電器系列中的最新成員,旨在滿足便攜式和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中的高峰值功率、數(shù)據(jù)備份和拯救“瀕臨電源崩潰” 的需要。LTC3625/LTC3625-1 的高效率開關(guān)模式拓撲結(jié)構(gòu)包括一個位于 VIN 和串聯(lián)電容器中點 VMID 之間的內(nèi)部降壓型轉(zhuǎn)換器 (用于調(diào)節(jié)底端電容器上的電壓),以及一個位于 VMID 和 VOUT 之間的內(nèi)部升壓型轉(zhuǎn)換器 (負
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對于達到100V的多運作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
- 關(guān)鍵字: X-FAB 晶圓代工
X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天宣布其將擴大自身的晶圓廠服務(wù),囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位,并能使為汽車與消費電子市場開發(fā)應(yīng)用設(shè)備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù),開發(fā)200毫米晶片的MEMS設(shè)
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瑞薩電子推出長沿面的小型?薄型光耦合器
- 瑞薩電子近日完成了沿面距離達8毫米的光耦合器產(chǎn)品“PS2381-1”的開發(fā),并于即日起進入量產(chǎn)階段,該產(chǎn)品可滿足海外多種安全規(guī)格,實現(xiàn)小型·薄型封裝。 新產(chǎn)品為4pinLSOP(Long Small Outline Package)封裝,其主要特征有:沿封裝表面的LED(發(fā)光二極管)與光探測器間最短距離為8mm,封裝內(nèi)絕緣電阻厚度最小僅為0.4mm。整個封裝厚度2.3mm,與以往的4pinDIP(Dual Inline Package)相比封裝厚度減少約40
- 關(guān)鍵字: 瑞薩電子 光耦合器 PS2381-1
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