行業(yè)新一輪擴(kuò)容，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化步入新篇章

1.1 市場(chǎng)規(guī)模：700 億美金大市場(chǎng)，行業(yè)擴(kuò)容技術(shù)升級(jí)助力設(shè) 備環(huán)節(jié)再成長(zhǎng)
1.1.1. 半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)能緊缺引發(fā)漲價(jià)潮，“行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)設(shè)備先行”推升新 一輪景氣周期
全球半導(dǎo)體行業(yè)目前正處于產(chǎn)能緊張價(jià)格上漲的供需矛盾突出時(shí)期。在 疫情影響、中美科技摩擦、全球產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移、5G 需求升級(jí)、新能源汽 車起量、物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起布局等供需兩端多重因素影響下，目前全球半導(dǎo)體 行業(yè)產(chǎn)能緊缺，供需缺口持續(xù)拉大，行業(yè)景氣度有望攀升。在景氣度持 續(xù)性方面，全球晶圓制造最先進(jìn)制程廠商臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)指引產(chǎn)能緊缺狀 態(tài)有望延續(xù)至 2022 年。下游市場(chǎng)與客戶相對(duì)分散、產(chǎn)品形態(tài)相對(duì)大宗 的封測(cè)環(huán)節(jié)龍頭廠商包括日月光、長(zhǎng)電、華天、通富等企業(yè)自 2020 年 Q4 起對(duì)各產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行不同程度調(diào)漲，在封測(cè)產(chǎn)能擴(kuò)張相對(duì)較快情況 下，預(yù)計(jì)封裝產(chǎn)能供需平衡最早將在 2023 年實(shí)現(xiàn)。
全球與中國(guó)半導(dǎo)體銷售額逐月創(chuàng)新高，行業(yè)景氣度向上趨勢(shì)延續(xù)。據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2021 年 9 月全球半導(dǎo)體銷售額 482.8 億美元，同比增長(zhǎng) 27.5%， 連續(xù) 20 個(gè)月同比正增長(zhǎng)，9 月銷售額再次突破前月新高值。9 月中國(guó)半 導(dǎo)體銷售額 167.2 億美元，同比增長(zhǎng) 24.3%，連續(xù) 22 個(gè)月同比正增長(zhǎng)， 全球占比維持在 35.36%左右。全球與中國(guó)半導(dǎo)體銷售額同創(chuàng)新高，今年 以來(lái)同比增速持續(xù)爬升，其中中國(guó)半導(dǎo)體銷售額同比增速明顯高于全球 水平，增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。展望 2021 年 5G、線上應(yīng)用、汽車電子、AIoT 為行業(yè)主流發(fā)展趨勢(shì)，創(chuàng)新升級(jí)前景可期，行業(yè)景氣度向上趨勢(shì)有望延 續(xù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)漲價(jià)潮來(lái)臨，多家海內(nèi)外廠商交貨周期拉長(zhǎng)并調(diào)漲產(chǎn)品價(jià)格。自 21 年年初至今，半導(dǎo)體從代工廠環(huán)節(jié)開(kāi)始發(fā)生行業(yè)價(jià)格普漲，代工 廠臺(tái)積電、中芯國(guó)際、力晶，材料端硅片、封裝基板、覆銅板，封測(cè)端 日月光、長(zhǎng)電等廠商或環(huán)節(jié)均有發(fā)生漲價(jià)，累積傳遞至 IC 設(shè)計(jì)端，IC設(shè)計(jì)廠商芯片交貨周期拉長(zhǎng)、價(jià)格上漲蔓延至產(chǎn)業(yè)鏈下游各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)， 行業(yè)產(chǎn)能持續(xù)緊張，行業(yè)供給壓力預(yù)計(jì)持續(xù)至 2022 年。

為緩解全球芯片短缺問(wèn)題，并應(yīng)對(duì)自動(dòng)駕駛、AI、高效能計(jì)算以及 5G 通訊等中長(zhǎng)期的強(qiáng)勁需求，龍頭代工廠開(kāi)啟新一輪高強(qiáng)度資本開(kāi)支。一 方面由于行業(yè)產(chǎn)能供需矛盾突出，另一方面汽車電子、AIoT 等新興賽道 強(qiáng)勢(shì)崛起，全球代工龍頭臺(tái)積電開(kāi)啟十年周期級(jí)別的新一輪高強(qiáng)度資本 開(kāi)支。在 2008 年金融危機(jī)前后，臺(tái)積電每年資本開(kāi)支在 25 億美金左右。在 2010 年~2018 年，臺(tái)積電每年資本開(kāi)支提升至 60~110 億美金水平， 平均約 88.7 億美金，其搶先布局智能手機(jī)賽道，與大客戶攜手突破先進(jìn) 制程迭代，成功打造全球領(lǐng)先的先進(jìn)制程代工廠。
本土代工龍頭中芯國(guó)際自 2020 年 7 月回歸科創(chuàng)板上市后，迅速提升資 本開(kāi)支強(qiáng)度支撐本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在中美科技摩擦背景下，中芯國(guó) 際多次公告其對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商采購(gòu)需進(jìn)行審批管制，對(duì)其先進(jìn) 制程研發(fā)以及成熟制程擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)一定阻力和不確定性。
產(chǎn)能擴(kuò)張，設(shè)備先行。代工廠高強(qiáng)度資本開(kāi)支將直接拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備環(huán) 節(jié)訂單量。
全球主要半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)地區(qū)設(shè)備出貨額屢創(chuàng)新高，同比增速達(dá) 50%。據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2021 年 9 月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨額 37.18 億美元，同比 增長(zhǎng) 35.53%；9 月日本半導(dǎo)體設(shè)備出貨額 2723.88 億日元，同比增長(zhǎng) 38.98%。北美與日本半導(dǎo)體設(shè)備出貨額持續(xù)高企，均創(chuàng)歷史新高，同比 增速逐月爬升至約 50%水平。在全球芯片缺貨潮影響下，龍頭廠商臺(tái)積 電、聯(lián)電、中芯國(guó)際等代工廠加大資本開(kāi)支堅(jiān)定擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié) 將先行受益。
1.1.2. 全球市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模占比逐漸提升
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模未來(lái)幾年有望持續(xù)擴(kuò)張。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的加 工面積成倍縮小帶來(lái)加工難度不斷擴(kuò)大，未來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造設(shè) 備將越來(lái)越精細(xì)化，價(jià)值或持續(xù)上升。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 2022 球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 1013.1 億美元（年初預(yù)測(cè)為 761 億美元）， 20-22 年 CAGR 為 19.29%。

中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模增速大于全球增速，正處于快速發(fā)展態(tài)勢(shì)。由 于中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)起步較晚，因此整體市場(chǎng)規(guī)模仍較小。根據(jù) wind 的數(shù)據(jù)，2020 年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模僅為全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模 的 26.30%。但隨著下游需求的不斷推動(dòng)以及國(guó)家政策扶持力度的不斷加 強(qiáng)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)正迎來(lái)高速增長(zhǎng)。根據(jù) Wind 的數(shù)據(jù)，從 2011 年到 2020 年，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增速明顯大于全球增速，2011-2020 年 CAGR 為 19.92%，大于全球的 5.62%。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，下游產(chǎn)業(yè)需求和政策紅利正推動(dòng)中 國(guó)逐漸成為半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的中心。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸半導(dǎo) 體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì) 2020 年將達(dá)到 173 億美元，2016-2020 年 CAGR 為 27.92%，保持高速增長(zhǎng)，且預(yù)計(jì)將于 2020 年在全球市場(chǎng)占比達(dá)到約 27.4%，超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。在半導(dǎo)體晶圓 加工設(shè)備領(lǐng)域，根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，從 2014 年到 2019 年，中國(guó)大陸 市場(chǎng)規(guī)模在全球的比重從 10.01%增長(zhǎng)到 22.07%，并正式超越韓國(guó)與中 國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，成為全球最大的晶圓加工設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)。
1.1.3. 晶圓制造設(shè)備占比最大，先進(jìn)制程迭代帶來(lái)各工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)性 差異
半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)的基石，支撐芯片制造和芯片封測(cè)行業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體行業(yè)主要分為上中下三個(gè)環(huán)節(jié)，上游環(huán)節(jié)包括 IP 核及設(shè)計(jì)服務(wù)、 材料和設(shè)備；中游環(huán)節(jié)包括設(shè)計(jì)、芯片制造和芯片封測(cè)；下游環(huán)節(jié)即終 端應(yīng)用，包括集成電路、分立元件、光電子、傳感器等。半導(dǎo)體設(shè)備雖然年產(chǎn)值僅為幾百億美金，卻支撐起 10 倍大的芯片制造產(chǎn)業(yè)，進(jìn)而為 整個(gè)年產(chǎn)值近幾十萬(wàn)億美金的信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了關(guān)鍵性的作用。
半導(dǎo)體設(shè)備主要分為晶圓加工設(shè)備和封測(cè)設(shè)備，對(duì)應(yīng)于晶圓加工和封測(cè) 的各個(gè)環(huán)節(jié)。
（1）晶圓加工設(shè)備：晶圓加工步驟主要分為擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子 注入、薄膜沉積、拋光等。以晶圓加工中最重要的光刻為例，光刻又可 以細(xì)分為清洗、涂膠、光刻和顯影，對(duì)應(yīng)的晶圓加工設(shè)備為清洗機(jī)、涂 膠機(jī)、光刻機(jī)和顯影機(jī)（測(cè)量的 CD/SEM 屬于封測(cè)設(shè)備）。晶圓處理精 度高，一般在幾納米至幾微米，對(duì)加工設(shè)備精度要求極高，其中部分工 序需要循環(huán)進(jìn)行多次，需要用到大量的半導(dǎo)體設(shè)備。
（2）封測(cè)設(shè)備：封測(cè)分為封裝和測(cè)試，封裝主要用于芯片后道加工， 工藝流程在晶圓制造后，分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝兩種；測(cè)試則涵蓋半 導(dǎo)體中游所有環(huán)節(jié)，從 IC 設(shè)計(jì)到 IC 封裝，都需要經(jīng)過(guò)測(cè)試。傳統(tǒng)封裝 設(shè)備包括減薄機(jī)、劃片機(jī)、貼片機(jī)、引線鍵合機(jī)等；先進(jìn)封裝設(shè)備包括 清洗機(jī)、濺射設(shè)備、光刻機(jī)、涂覆設(shè)備、回熔焊接設(shè)備等；測(cè)試設(shè)備主 要包括測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)和分選機(jī)。
在半導(dǎo)體設(shè)備投資中，晶圓加工設(shè)備資本開(kāi)支最大，占近 80%。根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，在晶圓廠的資本開(kāi)支中，半導(dǎo)體設(shè)備投資占比最大，占 70%-80%。在半導(dǎo)體設(shè)備投資中，晶圓加工作為集成電路制造過(guò)程中最 重要和最復(fù)雜的環(huán)節(jié)，其相關(guān)設(shè)備占比最大，占 78%-80%。封測(cè)設(shè)備在 半導(dǎo)體設(shè)備中占 18%-20%，其中測(cè)試設(shè)備占比最大，占 55%-60%。
晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷刷新歷史新高，沖擊 700 億美元關(guān)卡。晶圓 加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模自 2012-2015 年間超過(guò) 300 億美元后，2015-2019 年 次超過(guò) 500 億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái) 2020-2022 年，其晶圓加工設(shè)備將超 過(guò) 600 億美元，沖擊 700 億美元關(guān)卡。2018 年因?yàn)榘雽?dǎo)體行業(yè)景氣度高 企，晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到歷史最高值。2020 年由于半導(dǎo)體行業(yè)持 續(xù)供需失衡，晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望超過(guò) 2018 年，再次沖擊歷史 高峰。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2020 年市場(chǎng)規(guī)模較 2019 年預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 15%， 增至 549 億美元，超過(guò) 2018 年歷史最高值。預(yù)計(jì)得益于存儲(chǔ)半導(dǎo)體市 場(chǎng)的恢復(fù)以及先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體方向的投資，2021 年、2022 年的晶圓加 工設(shè)備市場(chǎng)分別較上年增長(zhǎng) 4%和 6%，達(dá)到 618 億美元和 655 億美元。
下游應(yīng)用方面，晶圓加工設(shè)備的最大應(yīng)用市場(chǎng)在邏輯半導(dǎo)體。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2023 年，晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到 680 億美元，其中 Foundry/Logic 占據(jù)近一半的市場(chǎng)份額。值得一提的是，2020 年預(yù)計(jì)增 長(zhǎng)率最高的用途是 NAND，預(yù)計(jì)較 2019 年增長(zhǎng) 30%。另外，DRAM 在 2020 年的同比增長(zhǎng)率接近 20%。封測(cè)設(shè)備市場(chǎng)開(kāi)始恢復(fù)，測(cè)試設(shè)備再次沖擊歷史新高。根據(jù) SEMI 的數(shù) 據(jù)預(yù)測(cè)，2020 年封測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 95 億美元，其中封裝設(shè)備 35 億美元，同比增長(zhǎng) 20%，測(cè)試設(shè)備 60 億美元，同比增長(zhǎng) 20%。未來(lái)封 裝設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模主要受到先進(jìn)封裝需求的帶動(dòng)，預(yù)計(jì) 2021 年同比增 長(zhǎng) 8%，2022 年同比增長(zhǎng) 5%。未來(lái)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將受益于 5G、HPC 的需求帶動(dòng)，2021 年同比增長(zhǎng) 4.9%，2022 年同比增長(zhǎng) 6.5%。
從增長(zhǎng)率和波動(dòng)性上進(jìn)行分析，晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)率大于封測(cè)設(shè)備 市場(chǎng)，市場(chǎng)波動(dòng)率小于封測(cè)設(shè)備市場(chǎng)。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)計(jì)算，晶圓加 工設(shè)備2012年-2022年 CAGR為8.11%，封測(cè)設(shè)備2012年-2022年CAGR 為 4.86%。晶圓加工設(shè)備 2012 年-2022 年波動(dòng)率 Sx 為 14.65，封測(cè)設(shè)備 2012 年-2022 年波動(dòng)率為 Sx 為 26.54。
細(xì)分設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模方面，半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)隨著先進(jìn)制程的迭代而出 現(xiàn)較大結(jié)構(gòu)性差異，大部分市場(chǎng)份額被關(guān)鍵細(xì)分設(shè)備占據(jù)。半導(dǎo)體設(shè)備 市場(chǎng)份額占比最大的是光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備三種，分別占 21.8%、18.1%和 25.9%的市場(chǎng)份額。退火設(shè)備市場(chǎng)份額占比較小，約為 2.3%。根據(jù) 2018 到 2020 年各類前道設(shè)備占比數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)份 額占比排名前三的分別為光刻機(jī)、刻蝕和 CVD，總占比達(dá)到 63%。
1.2. 市場(chǎng)格局：海外寡頭供應(yīng)鏈地位強(qiáng)勢(shì)，本土企業(yè)任重道遠(yuǎn)
市場(chǎng)格局方面，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)處于國(guó)際巨頭主導(dǎo)的格局。根據(jù) VLSI 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020 年全球前 5 大半導(dǎo)體設(shè)備廠商分別為 AMAT、 ASML、Lam、TEL 及 KLA，對(duì)應(yīng)市場(chǎng)份額為 17.7%、16.7%、12.9%、 12.3%及 5.9%，銷售額合計(jì)達(dá) 604.54 億美元、占市場(chǎng)總額的 65.50%。前10大半導(dǎo)體設(shè)備廠商總銷售額合計(jì)708.08億美元，同比增長(zhǎng)19.98%， 市場(chǎng)份額達(dá)到 76.60%，頭部效應(yīng)明顯、已形成較為穩(wěn)定的寡頭壟斷市場(chǎng) 格局。
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的集中度不斷上升。根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，前十家 半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的市場(chǎng)占有率不斷提升，1998 年 CR10 為 58.2%。2020 年，CR10 提高到 76.6%，增加了 18.4pct，其中前五大廠商市占率達(dá)到 65.5%。
細(xì)分設(shè)備市場(chǎng)格局方面，大部分設(shè)備的市場(chǎng)份額均由國(guó)外企業(yè)壟斷。根 據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯紹興、積塔、華虹無(wú)錫、華力微和株洲中車這五條產(chǎn)線進(jìn)行計(jì)算，以刻蝕設(shè)備、退火設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)格局為例：
（1） 刻蝕設(shè)備:
由于刻蝕工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高，市場(chǎng)格局高度集中。根據(jù) Gartner 的 數(shù)據(jù)，2019 年，Lam、TEL 和 AMAT 在刻蝕設(shè)備市場(chǎng)分別占據(jù)前三， 總計(jì)占有 90.88%的市場(chǎng)份額，寡頭壟斷明顯。國(guó)內(nèi)有部分新興公司正逐 漸打破刻蝕設(shè)備市場(chǎng)壟斷，包括中微公司、北方華創(chuàng)、北京屹唐等，三 者分別占據(jù) 1.08%、0.78%和 0.15%的市場(chǎng)份額，目前市場(chǎng)份額占比相對(duì) 較小。
內(nèi)資產(chǎn)線對(duì)于國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備公司有明顯的發(fā)展推動(dòng)作用，產(chǎn)線中的國(guó)內(nèi) 設(shè)備占比相對(duì)較高。根據(jù)中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，Lam、TEL 和 AMAT 總共占據(jù) 67%的產(chǎn)線份額。雖然國(guó)外公司寡頭現(xiàn)象依然嚴(yán)重，但是國(guó)內(nèi) 設(shè)備公司的產(chǎn)線份額得到了明顯提升，其中北方華創(chuàng)、中微公司和北京 屹唐三家公司分別占有內(nèi)資產(chǎn)線 8%、9%和 2%的市場(chǎng)份額，內(nèi)資產(chǎn)線 對(duì)于國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備的發(fā)展具有推動(dòng)作用。

（2） 退火設(shè)備：
AMAT 在全球 RTP（快速熱處理設(shè)備）領(lǐng)域占有絕對(duì)領(lǐng)先地位。退火 設(shè)備主要分為氧化/擴(kuò)散爐、RTP 設(shè)備和 Gate Stack 三個(gè)部分。其中在 RTP 設(shè)備方面，AMAT 占有近 70%的市場(chǎng)份額，有絕對(duì)話語(yǔ)權(quán)。北京屹 唐作為國(guó)內(nèi)公司，在 RTP 領(lǐng)域有深厚積累，占據(jù) 10.22%的市場(chǎng)份額， 排名第二。內(nèi)資產(chǎn)線中北方華創(chuàng)、國(guó)際電氣等國(guó)內(nèi)公司占比明顯提升。根據(jù)中國(guó)國(guó) 際招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，市場(chǎng)份額占比最大的為 TEL，占 46%。中國(guó)公司總計(jì) 占有 23.17%的市場(chǎng)份額，其中北方華創(chuàng)占 17%，北京屹唐占 2%。
（3） 薄膜沉積設(shè)備：
AMAT、Lam 和 TEL 在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域具有壟斷地位。薄膜沉積設(shè) 備主要分為 CVD、PVD 和 ALD。根據(jù) Gartner 的數(shù)據(jù)，全球 CVD 設(shè)備 被 AMAT、Lam 和 TEL 壟斷，三者合計(jì)占有 70%左右的市場(chǎng)份額。
國(guó)內(nèi)薄膜沉積設(shè)備公司主要為北方華創(chuàng)和沈陽(yáng)拓荊，競(jìng)爭(zhēng)力較小。根據(jù) 中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，AMAT、Lam 和 TEL 在內(nèi)資產(chǎn)線中占比達(dá)到 69%，國(guó)內(nèi)設(shè)備公司僅占 10.52%，競(jìng)爭(zhēng)力非常小，其中北方華創(chuàng)占 3%， 沈陽(yáng)拓荊占 4%。
晶圓加工前道環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代市場(chǎng)廣闊，本土領(lǐng)軍企業(yè)挑戰(zhàn)國(guó)際巨頭壟斷 地位。前道制程設(shè)備（含前道測(cè)試）投資額占比高達(dá) 80%以上，為半導(dǎo) 體設(shè)備領(lǐng)域的核心主戰(zhàn)場(chǎng)。前道設(shè)備市場(chǎng)中海外龍頭廠商高度壟斷，本 土廠商占比較低，主要市場(chǎng)突破口仍集中在本土產(chǎn)線。在國(guó)內(nèi)政策導(dǎo)向 等支持下，本土產(chǎn)線擴(kuò)張速度顯著高于全球市場(chǎng)。本土領(lǐng)軍的設(shè)備企業(yè) 已經(jīng)突破部分前道制程設(shè)備，憑借多年前道工藝技術(shù)積累以及產(chǎn)線國(guó)產(chǎn) 化扶持，本土領(lǐng)軍設(shè)備企業(yè)有望在前道工藝這一核心主戰(zhàn)場(chǎng)挑戰(zhàn)國(guó)際巨 頭壟斷地位。
本土封測(cè)企業(yè)全球市占率高，國(guó)產(chǎn)封測(cè)設(shè)備企業(yè)市占率有望進(jìn)一步提升。據(jù)芯思想數(shù)據(jù)，本土三大封裝企業(yè)長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技 2020 年市占率分別為 11.96%、5.05%、3.93%，合計(jì)占比 20.94%，在全球供 應(yīng)鏈體系中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán)。傳統(tǒng)封裝技術(shù)相對(duì)穩(wěn)定，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商已 具備一定技術(shù)積累與份額。先進(jìn)封裝國(guó)內(nèi)市場(chǎng)布局較快，國(guó)內(nèi)封測(cè)設(shè)備 企業(yè)有望受益國(guó)內(nèi)封測(cè)環(huán)節(jié)崛起而進(jìn)一步提升市占率。
1.3. 行業(yè)特點(diǎn)：資本先行、客戶高粘性、技術(shù)迭代快
1.3.1. 資本開(kāi)支是設(shè)備環(huán)節(jié)有效先行指標(biāo)
下游資本開(kāi)支是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)一個(gè)有效的先行指標(biāo)。根據(jù) Wind 的數(shù) 據(jù)，從 2006 年到 2020 年，全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開(kāi)支與集成電路晶圓加 工設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的同比增長(zhǎng)率具有近乎相同的變化關(guān)系，集成電路制造 設(shè)備產(chǎn)業(yè)景氣程度與行業(yè)資本開(kāi)支密切相關(guān)，行業(yè)資本開(kāi)支屬于設(shè)備行 業(yè)整體發(fā)展趨勢(shì)的先行指標(biāo)。這主要是因?yàn)樵O(shè)備支出在行業(yè)資本開(kāi)支中 占比最大，占比接近 80%，而晶圓加工設(shè)備投資又在設(shè)備投資中達(dá)到近 50%。1.3.2. 產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)，客戶市場(chǎng)粘性大
半導(dǎo)體設(shè)備涉及多類學(xué)科，具有高技術(shù)門檻。技術(shù)專利是半導(dǎo)體行業(yè)的 護(hù)城河，而半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)更是如此。該行業(yè)涉獵更廣，其設(shè)計(jì)和制造 過(guò)程需要綜合運(yùn)用電子、機(jī)械、物理、化學(xué)、材料、軟件系統(tǒng)、自動(dòng)化 等多學(xué)科領(lǐng)域的先進(jìn)科技。由于半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)參數(shù)、運(yùn)行穩(wěn)定性等 指標(biāo)會(huì)直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的產(chǎn)量、質(zhì)量和良率等生產(chǎn)指標(biāo)，因此行業(yè) 新進(jìn)入者需要經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累，才能在該領(lǐng)域有所突破。
半導(dǎo)體設(shè)備于對(duì)技術(shù)參數(shù)和運(yùn)行穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求，具有長(zhǎng)驗(yàn)證周期 的特點(diǎn)。半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)品研發(fā)及商業(yè)化流程主要分為可行性研究階段、 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及下線階段、客戶端認(rèn)證階段和量產(chǎn)及生命周期維護(hù)階段四個(gè) 階段，其中客戶端認(rèn)證是最為關(guān)鍵的步驟。無(wú)論是市場(chǎng)新進(jìn)入者或新設(shè) 備的量產(chǎn)，都要經(jīng)過(guò)下游企業(yè)長(zhǎng)時(shí)間的工藝驗(yàn)證，包括在具體生產(chǎn)場(chǎng)景的技術(shù)驗(yàn)證、與客戶的持續(xù)溝通、完善技術(shù)細(xì)節(jié)等。整個(gè)驗(yàn)證周期消耗 時(shí)間平均在 1 年以上，之后設(shè)備供應(yīng)商才會(huì)被納入客戶的合格供應(yīng)商名 單。以華海清科為例，其 Demo 機(jī)臺(tái)平均驗(yàn)證周期長(zhǎng)達(dá) 12.46 個(gè)月，銷 售機(jī)臺(tái)屬于二次采購(gòu)，驗(yàn)收周期較短，為 4.95 個(gè)月。
半導(dǎo)體設(shè)備通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證后替換成本高，具有較強(qiáng)的客戶粘性。由于半 導(dǎo)體設(shè)備較長(zhǎng)的生產(chǎn)周期和驗(yàn)證周期，且下游客戶對(duì)于產(chǎn)品售后服務(wù)響 應(yīng)速度和售后技術(shù)工藝支持都有著較高的要求，因此半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域具 有較強(qiáng)的客戶粘性，非必要情況下，下游客戶不會(huì)輕易更改產(chǎn)線設(shè)備。
1.3.3. 技術(shù)迭代帶動(dòng)產(chǎn)品價(jià)值量提升，不同精度等級(jí)設(shè)備共存
隨著先進(jìn)制程逐步推進(jìn)，晶圓制造復(fù)雜度提升，工藝步驟顯著增多，精 度要求也隨著線寬變小而明顯提升，最終帶來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備先進(jìn)產(chǎn)品價(jià)值 量提升。以集成電路器件刻蝕為例，根據(jù)中微公司的公告，就邏輯器件 而言，從 40nm 到 7nm，需要的刻蝕步驟從 35 步提升到 140 步，且主要 運(yùn)用設(shè)備也從有限控制的圓筒式刻蝕機(jī)發(fā)展至現(xiàn)代等離子體刻蝕機(jī)。而 閃存器件與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器件相對(duì)于邏輯器件而言，又存在刻蝕步驟等性能 要求上的差異。
隨著先進(jìn)制程推進(jìn)，制造工藝結(jié)構(gòu)復(fù)雜度提升，同一產(chǎn)線同一產(chǎn)品可使 用不同精度等級(jí)的設(shè)備。以國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商 128 層 NAND 產(chǎn)品為例，由 于產(chǎn)品層數(shù)較多，不同環(huán)節(jié)對(duì)設(shè)備的要求存在顯著差異。其中，光刻機(jī) 單臺(tái)設(shè)備價(jià)值量波動(dòng)范圍約 300 萬(wàn)美金~7000 萬(wàn)美金；刻蝕單臺(tái)設(shè)備價(jià) 值量波動(dòng)范圍約 30 萬(wàn)美金~1400 萬(wàn)美金；CVD 單臺(tái)設(shè)備價(jià)值量波動(dòng)范 圍約 20 萬(wàn)美金~1100 萬(wàn)美金。設(shè)備價(jià)值量差異一方面給新進(jìn)廠商帶來(lái)導(dǎo) 入產(chǎn)線的突破口；另一方面給高研發(fā)投入的先進(jìn)廠商帶來(lái)較高護(hù)城河。

2.1. 制造環(huán)節(jié)高強(qiáng)度資本開(kāi)支為設(shè)備行業(yè)帶來(lái)發(fā)展空間
受益于半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高企，下游晶圓廠、封測(cè)廠資本開(kāi)支不斷擴(kuò)大， 加速產(chǎn)能擴(kuò)張。2021 年，晶圓廠開(kāi)始加大資本開(kāi)支進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。臺(tái)積 電 2021 年資本開(kāi)支計(jì)劃比 2020 年增加 66%，達(dá)到 300 億美元的高位。內(nèi)資產(chǎn)線長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、中芯國(guó)際、無(wú)錫華虹均規(guī)劃大幅進(jìn)行產(chǎn) 能擴(kuò)張。
本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的主要客戶集中在內(nèi)資產(chǎn)線和部分臺(tái)資產(chǎn)線，其中 內(nèi)資產(chǎn)線占絕大部分份額。內(nèi)資產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)主力集中在兩大存儲(chǔ)基地長(zhǎng)存 /長(zhǎng)鑫，以及兩大代工廠中芯國(guó)際/華虹。產(chǎn)線投資中設(shè)備投資占比最高， 以本土最大的晶圓制造代工廠中芯國(guó)際為例，中芯國(guó)際募投項(xiàng)目 12 英 寸芯片 SN1 項(xiàng)目的總投資額為 90.59 億美元，其中生產(chǎn)設(shè)置購(gòu)置及安裝 費(fèi)達(dá) 73.30 億美元，晶圓制造設(shè)備相關(guān)占比達(dá)到 80.9%。
根據(jù) IBS 統(tǒng)計(jì)，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈 大幅上升的趨勢(shì)。以 5 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例，其投資成本高達(dá)數(shù)百億美元， 是 14 納米的兩倍以上，28 納米的四倍左右。
根據(jù)本土主要晶圓制造產(chǎn)線每年擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能峰值測(cè)算，本土產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能 峰值合計(jì)約 30 萬(wàn)片/月。其中，不同制程產(chǎn)線對(duì)應(yīng)投資密度不同，據(jù)測(cè) 算，本土主要產(chǎn)線每年設(shè)備投資額峰值合計(jì)約 220 億美元。進(jìn)一步，根 據(jù)不同工藝設(shè)備占總設(shè)備投資比例測(cè)算，在實(shí)現(xiàn) 40%國(guó)產(chǎn)化率情況下， 薄膜沉積、光刻、刻蝕等環(huán)節(jié)的本土設(shè)備分別對(duì)應(yīng)約 17.6 億美元市場(chǎng)。隨著國(guó)產(chǎn)化率進(jìn)一步提升，本土設(shè)備廠商直接面向的市場(chǎng)空間將更為廣 闊。（報(bào)告來(lái)源：未來(lái)智庫(kù)）
2.2. 中美科技摩擦反復(fù)，加速設(shè)備全面深度國(guó)產(chǎn)化
2020 年中美科技摩擦升級(jí)，美對(duì)華為芯片斷供生效。2020 年 5 月 15 日， 美商務(wù)部稱全面限制華為購(gòu)買采用美國(guó)軟件和技術(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體，禁令 升級(jí)至半導(dǎo)體設(shè)備，設(shè)定 4 個(gè)月過(guò)渡期。2020 年 9 月 15 日，美國(guó)對(duì)華 為芯片斷供禁令生效。2020 年 10 月 5 日，中芯國(guó)際公告稱美國(guó)商務(wù)部 工業(yè)與安全局對(duì)向中芯國(guó)際出口的美國(guó)設(shè)備等進(jìn)行限制。2020 年 12 月 21 日，中芯國(guó)際公告稱被美國(guó)商務(wù)部列入“實(shí)體清單”，10nm 及以下的 產(chǎn)品或技術(shù)“推定拒絕”。
根據(jù)中芯國(guó)際前后兩次的公告，美國(guó)商務(wù)部以保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全和外交 利益為由，將中芯國(guó)際及其部分子公司及參股公司列入“實(shí)體清單”。公 司被列入“實(shí)體清單”后，根據(jù)美國(guó)相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，針對(duì)適用于美 國(guó)《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國(guó)商務(wù)部的出口許 可才能向公司供應(yīng)；對(duì)用于 10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)（包括極紫外光技術(shù)） 的產(chǎn)品或技術(shù)，美國(guó)商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”（Presumption of Denial） 的審批政策進(jìn)行審核；同時(shí)公司為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受 到一定限制。
美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際限令將“10nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)”作為分界點(diǎn)，對(duì)“先進(jìn)制程” 與“成熟制程”進(jìn)行了再定義，將業(yè)界傳統(tǒng)認(rèn)為的分界點(diǎn)“28nm”或“14nm” 直接提升至“10nm”，美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的制裁在“先進(jìn)制程”定義上存 在一定程度的妥協(xié)與邊際改善。據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2019 年邏輯晶圓制造產(chǎn)能 占比約 41%，其中＜10nm 晶圓制造產(chǎn)能占比約 2%，>45nm 晶圓制造產(chǎn) 能占比最高約 22%。目前，≥10nm 制程的晶圓產(chǎn)能占比高達(dá) 98%，美 國(guó)對(duì)中芯國(guó)際的制裁將工藝制程分界點(diǎn)劃分為 10nm 為本土晶圓代工龍 頭的發(fā)展帶來(lái)了相對(duì)確定的發(fā)展空間和技術(shù)積累時(shí)間。
中美科技摩擦過(guò)程中，華為和中芯國(guó)際兩大支柱性企業(yè)均受不同程度影 響，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化有望向深度化和全面化發(fā)展。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備目 前仍主要依賴于進(jìn)口設(shè)備，國(guó)內(nèi)公司市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)較小，自給能力亟待 提升。在中美科技摩擦背景下，國(guó)內(nèi)政策傾斜、Fab 廠國(guó)產(chǎn)化意愿加強(qiáng)、 資本市場(chǎng)活躍注入、設(shè)備廠抓住歷史機(jī)遇等多方面因素促使半導(dǎo)體設(shè)備 國(guó)產(chǎn)化逐漸走向深度化和全面化。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)， 2020 年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到 213 億美元，國(guó)產(chǎn)化率預(yù)計(jì)將 首次超過(guò) 20%。
從細(xì)分設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看，ICP 刻蝕設(shè)備、CVD 成膜設(shè)備、摻雜設(shè)備、量 測(cè)設(shè)備、光刻設(shè)備上升速度明顯。通過(guò)統(tǒng)計(jì)截止到 2021 年 11 月 13 日 中國(guó)國(guó)際招標(biāo)網(wǎng)所公示的設(shè)備中標(biāo)情況，對(duì)六大產(chǎn)線（長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯 紹興、華虹無(wú)錫、華力微、株洲中車、積塔）每一類設(shè)備的總采購(gòu)量以 及國(guó)產(chǎn)化率進(jìn)行測(cè)算。根據(jù)測(cè)算，2020H2 至今六大產(chǎn)線中 ICP 刻蝕設(shè) 備、CCP 刻蝕設(shè)備、PVD 成膜設(shè)備、CMP 設(shè)備、爐管設(shè)備、清洗設(shè)備 以及去膠設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率較高，均超過(guò)了 30%，其中清洗設(shè)備達(dá)到 50%。技術(shù)壁壘較高的量測(cè)設(shè)備、光刻設(shè)備以及摻雜設(shè)備雖然國(guó)產(chǎn)化率很低，但是上升趨勢(shì)明顯
在 IC 設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的浪潮中，各個(gè)子領(lǐng)域均有優(yōu)秀的本土企業(yè)。其中， 北方華創(chuàng)在 ICP 刻蝕設(shè)備、PVD 成膜設(shè)備、清洗設(shè)備、爐管設(shè)備份額提 升顯著，中微半導(dǎo)體在 CCP 刻蝕設(shè)備表現(xiàn)出色，上海微電子在技術(shù)壁壘 較高的光刻設(shè)備中開(kāi)始嶄露頭角，華海清科在 CMP 設(shè)備中市場(chǎng)份額逐 漸提升等。尤其是 2020H2 至今，北方華創(chuàng)在 ICP 刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額達(dá) 到 29.27%的市場(chǎng)份額，開(kāi)始逐漸在該領(lǐng)域與龍頭企業(yè) Lam 和 AMAT 分 庭抗禮。我們預(yù)計(jì)未來(lái)隨著國(guó)產(chǎn)替代的持續(xù)推進(jìn)，IC 設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率有 望進(jìn)一步提升。
2.3. 資本市場(chǎng)助力行業(yè)發(fā)展，F(xiàn)abless 廠商自建制造環(huán)節(jié)
自科創(chuàng)板創(chuàng)立以來(lái)，本土半導(dǎo)體廠商迎來(lái)歷史性融資窗口期。在資本市 場(chǎng)助力下，大小 Fabless 廠商不同程度擴(kuò)建制造環(huán)節(jié)，以補(bǔ)強(qiáng)自身產(chǎn)品 流片過(guò)程中的產(chǎn)能薄弱環(huán)節(jié)，增強(qiáng)供應(yīng)鏈管理能力與話語(yǔ)權(quán)。Fabless 廠 商擴(kuò)產(chǎn)過(guò)程中根據(jù)自身產(chǎn)品特點(diǎn)對(duì)部分設(shè)備存在一定客制化需求，在疫 情影響下，國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商的快速響應(yīng)能力有望加速該環(huán)節(jié)產(chǎn)線導(dǎo)入。
自 2019 年以來(lái) A 股 Fabless 和 IDM 企業(yè)募投項(xiàng)目中，設(shè)備投資占比超 10%項(xiàng)目投資額超 430 億元。其中，設(shè)備投資額根據(jù)產(chǎn)品差異、企業(yè)戰(zhàn) 略定位等存在較大差異，統(tǒng)計(jì)企業(yè)中各類項(xiàng)目設(shè)備投資額占比約在 10%~75%之間。
韋爾股份自建生產(chǎn)線補(bǔ)強(qiáng)流片薄弱環(huán)節(jié)。韋爾股份作為本土最大的 Fabless 上市公司，發(fā)行可轉(zhuǎn)債約 24.4 億元用于晶圓測(cè)試及晶圓重構(gòu)生 產(chǎn)等項(xiàng)目建設(shè)，規(guī)劃于上海松江建設(shè) 3.5 萬(wàn)片/月測(cè)試與 3.0 萬(wàn)片/月重構(gòu) 產(chǎn)能。韋爾股份作為具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的 CIS 芯片龍頭企業(yè)，借助資本市 場(chǎng)補(bǔ)強(qiáng) CIS 芯片流片環(huán)節(jié)中的產(chǎn)能瓶頸環(huán)節(jié)，有助于保障自身供應(yīng)鏈安 全，提升競(jìng)爭(zhēng)壁壘。
卓勝微與 Foundry 共建晶圓前道生產(chǎn)專線。卓勝微作為射頻領(lǐng)域 Fabless 龍頭企業(yè)，通過(guò)定增募資 30.1 億元發(fā)展濾波器芯片等項(xiàng)目。據(jù)公司公告， 公司通過(guò)與 Foundry 共同投入資源合作建立晶圓前道生產(chǎn)專線，使用先 進(jìn)的管理和設(shè)備對(duì)晶圓生產(chǎn)過(guò)程中的特殊工藝和環(huán)節(jié)進(jìn)行快速迭代優(yōu) 化，綜合晶圓制造企業(yè)和公司各自優(yōu)勢(shì)，形成最終的工藝技術(shù)能力和量 產(chǎn)能力，同時(shí)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率的提升和成本空間的壓縮。龍頭企業(yè)在規(guī)模 擴(kuò)大后，開(kāi)始突破發(fā)展早期的純 Fabless 模式，加強(qiáng)與 Foundry 合作，并 投入資金建立生產(chǎn)專線。該項(xiàng)目設(shè)備投資額占比約 62.3%。
Fabless 和 IDM 企業(yè)融資擴(kuò)產(chǎn)將拉升設(shè)備環(huán)節(jié)訂單量。格科微規(guī)劃于上 海投資 74.3 億元用于建設(shè) CIS 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，設(shè)備投資額占比約 72.28%。華潤(rùn)微規(guī)劃于重慶西永投資 42.0 億元用于功率半導(dǎo)體封測(cè)基 地項(xiàng)目建設(shè)，設(shè)備投資額占比約 69.76%。
此外，部分 Fabless 廠商募投項(xiàng)目設(shè)備投資額占比較低，而對(duì)研發(fā)進(jìn)行 高額投入。恒玄科技 IPO 募資 48.6 億元，其中設(shè)備和硬件投資占比約 5%，研發(fā)投入約 80%。研發(fā)投入中晶圓試制費(fèi)用和封測(cè)費(fèi)用占絕大部分， 也將占用晶圓廠部分產(chǎn)能。
在資本市場(chǎng)資金助力下，較大規(guī)模的 Fabless 廠商加強(qiáng)布局自身供應(yīng)鏈， 自建產(chǎn)線、共建專線或加強(qiáng)研發(fā)等方式將直接或間接拉動(dòng)設(shè)備訂單。Fabless 廠商產(chǎn)品種類相對(duì)固定，在自建或共建產(chǎn)能上對(duì)部分設(shè)備存在一 定客制化需求，為本土企業(yè)導(dǎo)入產(chǎn)線打開(kāi)一條新的通道。
2.4. 本土半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)迎來(lái)歷史性發(fā)展機(jī)遇
機(jī)遇一：半導(dǎo)體行業(yè)景氣度歷史罕見(jiàn)，高強(qiáng)度資本開(kāi)支開(kāi)啟新一輪擴(kuò)產(chǎn)周期。半 導(dǎo)體行業(yè)自 2019 年下半年開(kāi)啟景氣度向上周期，自 2020 年下半年開(kāi)啟 漲價(jià)模式，產(chǎn)能緊張產(chǎn)品缺貨推升半導(dǎo)體行業(yè)新一輪高強(qiáng)度擴(kuò)容。半導(dǎo) 體行業(yè)發(fā)動(dòng)機(jī)臺(tái)積電年初指引三年 1000 億美金高強(qiáng)度資本開(kāi)支，新一 輪行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)周期啟動(dòng)，半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)率先直接受益。
機(jī)遇二：中美科技摩擦推升國(guó)產(chǎn)化意愿，本土設(shè)備中標(biāo)率明顯提升。中美科技摩 擦自 2018 年起逐步升級(jí)加劇，2020 年 9 月華為芯片斷供、中芯國(guó)際設(shè) 備采購(gòu)受限。國(guó)家層面出臺(tái)政策進(jìn)行產(chǎn)業(yè)資源傾斜、本土產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化意 愿全面提升、本土設(shè)備廠提效抓機(jī)會(huì)、本土資金與人才流動(dòng)性加強(qiáng)，在 多方助力下，本土設(shè)備廠中標(biāo)率與訂單量提升明顯，國(guó)產(chǎn)自主可控仍是 中長(zhǎng)期主旋律。
機(jī)遇三：本土大廠已經(jīng)躍過(guò)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，戰(zhàn)略目標(biāo)從“爬良率出產(chǎn)品”向“供 應(yīng)鏈安全”傾斜。本土兩大存儲(chǔ)基地武漢長(zhǎng)存、合肥長(zhǎng)鑫在 2017 年~2019 年的發(fā)展早期，首要目標(biāo)是突破技術(shù)路徑和專利風(fēng)險(xiǎn)，盡快爬升良率出 產(chǎn)品，其在早期建設(shè)過(guò)程中供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)化并非首要任務(wù)。而目前，長(zhǎng)存 和長(zhǎng)鑫產(chǎn)能已初具規(guī)模，躍過(guò)早期風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，后期擴(kuò)產(chǎn)出于供應(yīng)鏈 安全角度，國(guó)產(chǎn)化意愿與能力有望提升。同理，中芯國(guó)際 14nm 已量產(chǎn)時(shí)間超過(guò)一年半，后期擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃主要以成 熟制程為主。華虹無(wú)錫、士蘭微廈門、華潤(rùn)微重慶的 12 寸產(chǎn)線均在近 年內(nèi)量產(chǎn)爬坡，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)有望進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)化率。
機(jī)遇四：設(shè)備國(guó)產(chǎn)化由單點(diǎn)突破模式邁向產(chǎn)線協(xié)同整合。早期國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造商導(dǎo) 入內(nèi)資產(chǎn)線主要通過(guò)提升自身產(chǎn)品性能向海外巨頭看齊，認(rèn)證周期及認(rèn) 證環(huán)節(jié)相對(duì)更長(zhǎng)更繁瑣。目前在科技摩擦背景下，國(guó)內(nèi)部分產(chǎn)線針對(duì)成 熟制程和成熟產(chǎn)品，從工藝制造、設(shè)計(jì)、機(jī)臺(tái)設(shè)備等方面加強(qiáng)全環(huán)節(jié)協(xié) 作，部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商有望從單一產(chǎn)品類公司向工藝平臺(tái)類公司升級(jí)， 看好半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)深度國(guó)產(chǎn)化。
機(jī)遇五：資本市場(chǎng)助力行業(yè)發(fā)展，F(xiàn)abless 廠商自建或共建制造產(chǎn)能。自科創(chuàng)板 創(chuàng)立以來(lái)，本土半導(dǎo)體廠商迎來(lái)歷史性融資窗口期。在資本市場(chǎng)助力下， 大小 Fabless 廠商不同程度擴(kuò)建制造環(huán)節(jié)，以補(bǔ)強(qiáng)自身產(chǎn)品流片過(guò)程中 的產(chǎn)能薄弱環(huán)節(jié)，增強(qiáng)供應(yīng)鏈管理能力與話語(yǔ)權(quán)。Fabless 廠商擴(kuò)產(chǎn)過(guò)程 中根據(jù)自身產(chǎn)品特點(diǎn)對(duì)部分設(shè)備存在一定客制化需求，在疫情影響下， 國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商的快速響應(yīng)能力有望加速該環(huán)節(jié)產(chǎn)線導(dǎo)入。
機(jī)遇六：疫情影響疊加設(shè)備訂單旺盛，海外巨頭部分設(shè)備交期拉長(zhǎng)給本土企業(yè)帶 來(lái)替代機(jī)會(huì)。半導(dǎo)體設(shè)備廠主要集中在歐美日地區(qū)，半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)主 要集中在大陸、中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)等地區(qū)。在全球疫情影響下，海外巨頭設(shè)備 廠商海運(yùn)交付、工程師調(diào)試等受阻，在旺盛設(shè)備訂單下，部分海外廠商 設(shè)備交期拉長(zhǎng)，給本土企業(yè)帶來(lái)良好的替代機(jī)會(huì)。
來(lái)源作者：國(guó)泰君安證券，王聰、舒迪、郭航