(2021.11.22)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞

2021.11.15- 2021.11.19

1. 中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實力全面對比

全球分析師團隊根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）與BCG聯(lián)合發(fā)布的研究報告《在不確定時代下加強全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈》，以及維基百科《全球半導(dǎo)體晶圓廠分布》清單，對中國大陸和美國在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈和價值鏈上的實力進行的全方位對比：

根據(jù)芯思想研究院發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2020年中國大陸本土晶圓代工廠商總體營收為463億元，較2019年增加66億元。扣除紹興中芯、粵芯半導(dǎo)體和寧波中芯的18億元營收，原有7大代工廠商的營收增長了48億元。

2. 趙海軍：兩因素致芯荒，國內(nèi)需求至少三成應(yīng)由本地制造支撐

趙海軍表示，如果本地制造能夠?qū)崿F(xiàn)對于三成本土需求的支撐，那么國內(nèi)的半導(dǎo)體制造業(yè)至少還要成長5倍的產(chǎn)能。

趙海軍認為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來可期，制造業(yè)產(chǎn)能能夠做到在10年內(nèi)滿足自己一半需求，屆時在設(shè)計、晶圓加工、封裝測試領(lǐng)域一定會出現(xiàn)世界前三的國內(nèi)企業(yè)。

“去年年底中國大陸設(shè)計、制造的銷售只占需求的5.9%，其余主要由三星、海力士、臺積電等廠商在大陸工廠制造。”

趙海軍表示有兩方面原因造導(dǎo)致“缺芯”：

一是疫情等造成居家辦公、遠程教育等場景下的市場需求“透支”，拉動智能汽車、5G手機等電子終端類產(chǎn)品的升級，造成原來可能要在幾年內(nèi)完成的升級過程都集中在這一兩年內(nèi)發(fā)生。

二是多年來半導(dǎo)體行業(yè)在規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能和終端系統(tǒng)整機需求時，整個供應(yīng)鏈非?！敖┯病?，沒有一點余量。

“全球集成電路產(chǎn)能80%來自于美國、歐洲的IDM工廠，純代工廠商只占20%。去年因為疫情導(dǎo)致這些歐美工廠生產(chǎn)中斷，差不多缺少了四五個月的生產(chǎn)，今年也沒有100%恢復(fù)，所以缺芯的情況一直存在。”趙海軍說。

3. 傳AMD將成為三星3納米首位客戶，臺媒稱或為故意放話

此前臺積電高層表示，3納米制程將在2022年下半年推出。三星則宣布采用GAA技術(shù)的3納米制程預(yù)計2022年上半年量產(chǎn)，時間點早于臺積電。

傳聞處理器大廠AMD可能成為三星代工業(yè)務(wù)首家3納米制程客戶，原因是合作伙伴臺積電與蘋果關(guān)系密切，使AMD考慮選擇三星交付3納米制程訂單。除了AMD，高通也對三星3納米制程感興趣。

4. 高通提前設(shè)定未來三年財務(wù)目標(biāo)，直指7000億美元潛在市場

在高通2021投資者大會上，高通公司總裁兼首席執(zhí)行官安蒙表示，未來十年，得益于越來越多終端實現(xiàn)智能互聯(lián)，高通的潛在市場規(guī)模預(yù)計將從目前的約1000億美元增長至7000億美元。為此，高通提前設(shè)定了未來三個財年的全新財務(wù)目標(biāo)。

為此，高通提前設(shè)定了未來三個財年的全新財務(wù)目標(biāo)，包括：

到2024財年，QCT半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收將實現(xiàn)中雙位數(shù)（mid-teens）的復(fù)合年均增長率，運營利潤率將超過30%。具體而言：

到2024財年，智能手機和射頻前端業(yè)務(wù)營收的增長率至少將與可服務(wù)市場（SAM）12%的復(fù)合年均增長率持平；

汽車業(yè)務(wù)年營收將在未來5年增長至35億美元，在未來10年增長至80億美元；

2024財年，物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)年營收將增長至90億美元；

QTL技術(shù)許可業(yè)務(wù)預(yù)計將保持現(xiàn)有的營收規(guī)模和利潤水平。

5. 3000億資產(chǎn)的芯片巨頭花落誰家？這家財團有望接手

中國芯片制造商紫光集團有限公司(Tsinghua Unigroup)引入戰(zhàn)略投資者一事，或已進入最后階段，阿里巴巴和浙江國資組成的聯(lián)合財團有望以超500億元的對價整體接手紫光集團的運營。

報道稱交易預(yù)計最快12月達成，但目前還在進行談判，不排除存在變數(shù)。

6. 28nm競爭進入新階段

Gartner數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計全球芯片制造商今年將向資本支出投入約1460億美元，比上一年增長約三分之一，但據(jù)其估計，每6美元中只有不到1美元專門用于目前面臨最長積壓的所謂傳統(tǒng)芯片。成熟工藝投入的不足讓人對當(dāng)前擴產(chǎn)的“遠水能否救得了近火”產(chǎn)生懷疑。

對比之下：16nm節(jié)點之后要用上FinFET晶體管技術(shù)，晶圓制造成本會上升至少50%以上。此前市場研究機構(gòu)IBS數(shù)據(jù)顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升，28nm工藝的成本為0.629億美元，5nm將增至4.76億美元。

眾所周知，28nm是成熟工藝中的重要節(jié)點，區(qū)分了先進制程與成熟制程，由臺積電于2011年率先推出，此后，三星、格芯、中芯國際等大廠也接連宣布突破了28nm。

7. 2021半導(dǎo)體銷售增長率TOP25排名出爐中芯國際預(yù)計強勢增長近40%！

IC Insights剛剛發(fā)布對銷售額增長率排名前25位的半導(dǎo)體供應(yīng)商的預(yù)測排名。

由于新冠疫情引起的習(xí)慣改變以及隨后的經(jīng)濟在 2021 年反彈，預(yù)計今年半導(dǎo)體市場將增長23%。包括：半導(dǎo)體出貨量預(yù)計強勁增長20%，和半導(dǎo)體總平均售價(ASP) 3%的增長。23% 的增長將是自 2010 年以來全球半導(dǎo)體市場的第二大漲幅，當(dāng)時半導(dǎo)體銷售額在 2008 年和 2009 年金融危機和全球經(jīng)濟衰退后飆升了 33%。

8. 即使被認為有安全風(fēng)險，美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商仍然從中國獲取了創(chuàng)紀(jì)錄的利潤｜海外觀點

在過去的一年里，應(yīng)用材料股價幾乎翻了一番，從74美元漲到141美元，KLA股價上漲了近60%，從241美元到380美元，LAM Research股價則上漲了30%。從432美元到572美元。這樣的結(jié)果引出了一個問題：如果這些企業(yè)向美國的主要對手出售關(guān)鍵的“卡脖子”技術(shù)，并危及美國的國家安全，那么美國政府應(yīng)該使用出口管制來阻止它們嗎？

在加強美國國內(nèi)網(wǎng)絡(luò)安全的同時，有必要阻止中國收購美國的敏感技術(shù)。然而，美國的出口管制框架不一致，漏洞百出，這會讓對手鉆空子。例如，在特朗普執(zhí)政期間，美國商務(wù)部將中國最大的芯片制造商中芯國際列入了實體清單，而拜登政府對此表示了支持。不過，像長江存儲科技有限責(zé)任公司、長鑫存儲技術(shù)有限公司這樣的中國軍用芯片制造商還繼續(xù)享受著進入美國市場的機會。

新美國安全中心（Center for a New American Security）的技術(shù)與國家安全項目主任Martijn Rasser指出，與中國有軍事關(guān)系的頂級芯片制造商長江存儲科技有限責(zé)任公司應(yīng)該被列入清單中。美國國會議員Michael McCaul最近在接受采訪時說：“短期的企業(yè)利潤正在犧牲美國的長期戰(zhàn)略利益，美國政府必須利用出口管制來阻止中國進一步建設(shè)其半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。”

9. IC Insights預(yù)測DRAM價格將在2021年第4季度回落

11月11日消息，據(jù)IC Insights更新的《麥克林報告》顯示，DRAM價格在2021年前八個月飆升了41%，從1月份的平均銷售價格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAM ASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長37%。2019年對DRAM來說是相對困難的一年，ASP下降44%，不過2020年出現(xiàn)了強勁的價格上漲和市場反彈。不過這一年爆發(fā)的疫情給這一細分市場的發(fā)展蒙上了陰影。

具體而言，PC和服務(wù)器制造商在上半年購買了大量DRAM，以幫助緩解2021年晚些時候潛在的制造和運輸延遲。預(yù)計他們將在2021年第四季度減少大量DRAM采購，以消耗現(xiàn)有庫存。PC和服務(wù)器DRAM價格預(yù)計將在2021年第四季度下滑0-5%。

10. 10年內(nèi)突破2nm工藝瓶頸，ASML計劃推出新一代EUV設(shè)備

ASML將自2023上半年起提供客戶0.55數(shù)值孔徑(NA)的新一代EUV機臺(目前版本為0.33NA)，號稱可延長摩爾定律壽命至少10年。該公司副總裁Teun van Gogh接受《EE Times》采訪時表示，這將有助于芯片制造業(yè)者在至少10年內(nèi)突破2納米節(jié)點的瓶頸。

Hosseini表示，在接下來幾年，ASML將推出的0.55NA設(shè)備將有助于臺積電等領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)者突破前進3納米以下工藝的障礙；“晶圓廠唯一能實現(xiàn)3納米工藝的方法是采用EUV設(shè)備與多重圖形技術(shù)，這絕對會讓晶圓制造成本大幅提高，而避免EUV多重圖形的唯一方法，就是采用高NA (0.55NA)設(shè)備?！?/p>

11. 中芯寧波晶圓量產(chǎn)！

中芯集成電路（寧波）有限公司（簡稱：中芯寧波）自主研發(fā)的體聲波（BAW）諧振器工藝技術(shù)平臺：SASFR?，已經(jīng)支持多家設(shè)計公司實現(xiàn)射頻前端中高頻BAW濾波器量產(chǎn)，客戶產(chǎn)品性能已達到國內(nèi)最優(yōu)、業(yè)界先進水平，可開始向高端手機供貨，在中國大陸?yīng)殬湟粠?，也在長期被國外廠商壟斷的中高端BAW濾波器領(lǐng)域，實現(xiàn)了具有全自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)和規(guī)模制造突圍。

12. 晶盛機電碳化硅襯底國產(chǎn)替代空間大6英寸碳化硅晶片將成主流

本次臨時股東大會審議通過了《關(guān)于公司向特定對象發(fā)行股****方案的議案》等議案。為滿足業(yè)務(wù)發(fā)展的需要，擴大公司經(jīng)營規(guī)模，進一步增強公司資本實力及盈利能力，晶盛機電擬通過向特定對象發(fā)行股****的方式募集資金不超過57億元，募集資金將用于碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目、12英寸集成電路大硅片設(shè)備測試實驗線項目、年產(chǎn)80臺套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項目和補充流動資金。

13. 華虹半導(dǎo)體2021Q3季報總結(jié)及法說會紀(jì)要

華虹（HHGrace，1347.HK）于11月11日發(fā)布2021年第三季度財報，三季度營收4.52億美元，同比+78.5%/環(huán)比+30.4%，毛利率27.1%，同比+2.9pcts/環(huán)比+2.3pcts。綜合財報及交流會議信息，總結(jié)要點如下：

1、營收超指引并創(chuàng)歷史新高，毛利率超指引上限。

21Q3收入達4.52億美元，超21Q2指引并創(chuàng)歷史新高，同比+78.5%，環(huán)比+30.4%。毛利率穩(wěn)定上升至27.1%，超21Q2指引上限，同比+2.9pcts，環(huán)比+2.3pcts。營收及毛利率均超預(yù)期，主要系下游MCU、射頻、電源管理、標(biāo)準(zhǔn)式內(nèi)存、超級結(jié)MOSFET等需求強勁，產(chǎn)能提升、產(chǎn)能利用率維持滿載、晶圓ASP提升。①產(chǎn)能提升：21Q3整體產(chǎn)能達29.7萬片/月（等效8寸），環(huán)比提升10.8%，主要系資本開支穩(wěn)定增長，12寸產(chǎn)能爬坡順利，21Q3總資本開支2.52億美元，其中華虹無錫占2.25億美元、華虹8寸占2800萬美元。②產(chǎn)能利用率持續(xù)滿載：整體產(chǎn)能利用率從21Q2的109.5%提升至21Q3的110.9%，8寸產(chǎn)能利用率維持高位達112.3%，12寸線產(chǎn)能利用率環(huán)比大幅提升5pcts達109%。③ASP保持上升態(tài)勢：按照付運晶圓測算8寸ASP為506美元，環(huán)比+5.6%，按照付運晶圓測算12寸ASP為1079美元，環(huán)比+4.9%。

2、8寸線營收創(chuàng)歷史新高，12寸線產(chǎn)能穩(wěn)定增長但盈利受折舊影響承壓。

①8寸：21Q3 8寸線實現(xiàn)營收3.15億美元，創(chuàng)歷史新高，同比/環(huán)比+33.2%/+20.2%，毛利率為35.2%，同比/環(huán)比+8pcts/+3.6pcts，主要系產(chǎn)品組合優(yōu)化。②12寸：12寸實現(xiàn)營收1.367億美元，同比/環(huán)比+723.3%/+62.5%，營收占比達30.3%，12寸產(chǎn)能持續(xù)爬坡，目前達6.5萬片/月，提前完成目標(biāo)。12寸線毛利率為8.5%，環(huán)比+5.2pcts，主要系晶圓ASP上升。12寸稅前溢利虧損擴大，由21Q2虧損1409萬美元擴大至21Q3虧損2414.3萬美元，主要系12寸線折舊及攤銷加大，同時部分利潤被外匯損失和增加的人工成本抵消。