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最低5nm,國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈再添“利器”

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2022-04-07 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察


近日,中國(guó)長(zhǎng)城旗下鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鄭州軌交院”)在研制半導(dǎo)體激光****晶圓切割設(shè)備的經(jīng)驗(yàn)和基礎(chǔ)上,推出了支持超薄晶圓全切工藝的全自動(dòng)12寸晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備。


圖片

圖源:中國(guó)長(zhǎng)城


據(jù)官方介紹,該設(shè)備除了具備常規(guī)激光開(kāi)槽功能之外,還支持5nm DBG工藝、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圓廠IGBT工藝端相關(guān)制程和TAIKO超薄環(huán)切等各種高精端工藝,為國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈再添“利器”。


據(jù)悉,該設(shè)備采用的模塊化設(shè)計(jì),可支持不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)激光器。自主研發(fā)的光學(xué)系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)光斑寬度及長(zhǎng)度連續(xù)可調(diào),配合超高精度運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)等技術(shù),與激光隱切設(shè)備完美結(jié)合、相輔相成,解決了激光隱切設(shè)備對(duì)表面材質(zhì)、厚度、晶向、電阻率的限制,真正實(shí)現(xiàn)了工藝的全兼容,對(duì)有效控制產(chǎn)品破損率、提高芯片良率有著極大幫助。        


高端智能裝備是國(guó)之重器,是制造業(yè)的基石,半導(dǎo)體工業(yè)在實(shí)現(xiàn)中國(guó)制造由大到強(qiáng)的發(fā)展中肩負(fù)重要使命。據(jù)介紹,鄭州軌交院的研發(fā)團(tuán)隊(duì)與國(guó)內(nèi)著名高校的知名專(zhuān)家攻克技術(shù)難題,取得了國(guó)產(chǎn)開(kāi)槽設(shè)備在5nm先進(jìn)制程以及超薄工藝(處理器等產(chǎn)品)的重大突破,在晶圓加工穩(wěn)定性、激光使用效率、產(chǎn)品切割質(zhì)量等方面均達(dá)到了新的高度。


目前,芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越小,要求設(shè)備精度越來(lái)越高,該設(shè)備的成功研制不僅標(biāo)志著中國(guó)長(zhǎng)城在晶圓激光切割領(lǐng)域已經(jīng)擁有強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)實(shí)力,也將助力封裝廠家提升工藝水平、開(kāi)展新工藝,助力芯片設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)出更為先進(jìn)制程的芯片,對(duì)進(jìn)一步提高我國(guó)智能裝備制造能力具有里程碑式的意義。


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關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體

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