又一SiC襯底廠簽單，6.8億！

來源： 化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

8月17日，第三代半導(dǎo)體IDM巨頭II-VI宣布與國內(nèi)SiC外延片領(lǐng)先企業(yè)東莞天域半導(dǎo)體簽訂了1億美元（約合人民幣6.8億元）的合同。按照合同，II-VI將向天域半導(dǎo)體提供用于電力電子領(lǐng)域的6英寸SiC導(dǎo)電型襯底，從本季度開始到明年年底交付。

II-VI指出，隨著交通基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)設(shè)備的電氣化發(fā)展，市場(chǎng)正加速向基于SiC的電力電子應(yīng)用轉(zhuǎn)型。業(yè)界皆知，SiC自身耐高溫、耐高壓、高功率密度、高效率、低功耗等優(yōu)勢(shì)，可完美匹配電力電子產(chǎn)品高效化、節(jié)能化、小型化的需求，有助于整體系統(tǒng)成本的下降。因此，SiC在電動(dòng)汽車、光伏與儲(chǔ)能、軌道交通及工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力，

根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2022第三代半導(dǎo)體功率應(yīng)用市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，SiC功率元件的規(guī)模預(yù)估將在今年達(dá)到15.9億美元，并在2026年達(dá)到53億美元，年復(fù)合增長率為35%左右。由此可見，終端市場(chǎng)對(duì)SiC的需求將持續(xù)強(qiáng)勁增長，但與之形成對(duì)比的是，目前全球SiC供應(yīng)鏈產(chǎn)能尚不能滿足市場(chǎng)需求，尤其是前端的襯底環(huán)節(jié)。于是，自SiC開啟元年以來，擴(kuò)產(chǎn)、鎖定產(chǎn)能等成為第三代半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵詞。

為了滿足亞洲市場(chǎng)的需求，II-VI 于2021年在中國福州的II-VI"亞洲地區(qū)總部 "建立了一條SiC襯底后端加工生產(chǎn)線，潔凈室面積超過50,000平方英尺。

本次天域半導(dǎo)體向II-VI簽單，也是提前鎖定關(guān)鍵的襯底產(chǎn)能，為接下來迎接需求的爆發(fā)做好充分的準(zhǔn)備。II-VI也表示，通過簽訂這一份長期供貨合同，其在美國和中國的6英寸產(chǎn)線將確保天域半導(dǎo)體能夠獲得6英寸襯底的產(chǎn)能，以滿足2023年SiC應(yīng)用市場(chǎng)的需求。

隨著客戶加速推進(jìn)SiC產(chǎn)品的開發(fā)和應(yīng)用，II-VI也進(jìn)一步落實(shí)了擴(kuò)產(chǎn)6英寸和8英寸襯底和外延片的計(jì)劃。該公司已于今年3月宣布在美國賓夕法尼亞州伊斯頓（Easton）和瑞典希斯塔（Kista）科學(xué)城擴(kuò)建工廠，加速6英寸、8英寸SiC襯底和外延片的大規(guī)模制造。預(yù)計(jì)到2027年，伊斯頓6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能將達(dá)100萬片，8英寸SiC襯底的占比也將逐漸增加。希斯塔工廠的SiC外延片產(chǎn)能也將顯著增加。

作為國內(nèi)最早研發(fā)SiC外延片的企業(yè)以及國內(nèi)首家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證（IATF 16949）的SiC半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)，天域半導(dǎo)體也正在擴(kuò)產(chǎn)的道路上加速前進(jìn)。今年4月，天域半導(dǎo)體SiC外延片項(xiàng)目正式落地，將新增6/8英寸SiC外延片生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)100萬片，預(yù)計(jì)2025年竣工投產(chǎn)。

天域半導(dǎo)體此番與產(chǎn)能規(guī)模較大的II-VI簽訂長期供應(yīng)合同，能夠在保障上游產(chǎn)能供應(yīng)的條件下，隨著自身產(chǎn)能的釋放，不斷滿足未來下游器件廠商對(duì)SiC外延片的需求。