英特爾3D Foveros封裝產(chǎn)能2025年將提升四倍

8月24日消息，英特爾目前在積極投入先進制程研發(fā)的同時，在先進封裝領(lǐng)域也是火力全開。目前英特爾在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠，以強化其2.5D/3D封裝布局版圖，近日更是提出了2025年時，旗下最先進的3D Foveros封裝產(chǎn)能將較目前大增四倍，并開放給外部客戶單獨采用。

外界預(yù)期，英特爾結(jié)合先進制程與先進封裝能量后，一體化制造實力大增，在晶圓代工領(lǐng)域更具競爭力，以便可以更好的與臺積電、三星競爭，同時也或?qū)θ赵鹿?、安靠等頭部的半導(dǎo)體封測廠商帶來沖擊。

英特爾從2017年開始導(dǎo)入EMIB封裝，第一代Foveros封裝則于2019年推出，當時凸點間距為50微米。預(yù)計今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器，則將利用第二代Foveros封裝技術(shù)，凸點間距進一步縮小為36微米。

英特爾并未透露現(xiàn)階段其3D Foveros封裝總產(chǎn)能，僅強調(diào)除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外，在未來的馬來西亞檳城新廠也有相關(guān)產(chǎn)能建置，這三個據(jù)點的3D封裝產(chǎn)能合計將于2025年時增為目前的四倍。

英特爾副總裁Robin Martin 于8月22日接受采訪時強調(diào)，未來檳城新廠將會成為英特爾最大的3D Foveros先進封裝據(jù)點。

英特爾在兩年前宣布投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產(chǎn)能，至今仍進行中。至于馬來西亞檳城新廠，英特爾表示，興建進度符合計劃。根據(jù)預(yù)計，該新廠可能于2024年稍晚或2025年完工并投入生產(chǎn)。

值得注意的是，除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務(wù)，英特爾表示，開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案，目的是希望讓客戶可以更能擁有生產(chǎn)彈性。

英特爾在執(zhí)行長基辛格帶領(lǐng)下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圓廠產(chǎn)能，擴大晶圓代工業(yè)務(wù)，同時也希望彈性利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。

隨著先進制程的持續(xù)推進，小芯片（Chiplet）與異質(zhì)整合的發(fā)展趨勢明確。外界認為，英特爾的2.5D/3D先進封裝布局除了強化自身處理器等產(chǎn)品實力之外，也是其未來對客戶爭取更多晶圓代工服務(wù)生意的一大賣點。

相比之下，臺積電、三星都積極布建先進封裝技術(shù)。臺積電方面，主打“3D Fabric”先進封裝，包括InFo、CoWoS與SoIC方案；三星也發(fā)展I-cube、X-Cube等封裝技術(shù)。

編輯：芯智訊-林子