SK海力士將采用全新刻蝕設(shè)備，在零下70度制造400層以上3D NAND

5月7日消息，綜合外媒The Elec、tomshardware報道，SK海力士正在測試日本半導(dǎo)體設(shè)備大廠東京電子（TEL）最新的低溫蝕刻設(shè)備，可以在-70°C工作，以實現(xiàn)400層以上新型3D NAND。

報道稱，東京電子的低溫蝕刻設(shè)備可以在-70°C的冷卻溫度下運行，這與當(dāng)前蝕刻工藝的0°C至30°C范圍形成了鮮明對比，使得其“刻蝕深孔”的速度達到了傳統(tǒng)刻蝕設(shè)備的三倍（能夠在33分鐘內(nèi)以高縱橫比進行10μm深的蝕刻），這一能力將有助于具有400多個有源層的3D NAND的制造，并重塑3D NAND器件的生產(chǎn)時間表和輸出質(zhì)量。

當(dāng)談到生產(chǎn)3D NAND時，有些人可能會說“蝕刻垂直孔”很簡單，但事實并非如此。事實上，蝕刻具有良好均勻性的深存儲器溝道孔是一個挑戰(zhàn)，這就是為什么該行業(yè)對3D NAND采用了雙堆疊甚至三堆疊（構(gòu)建兩個或三個獨立的堆疊，而不是一個具有“深”溝道孔的堆疊）。

SK海力士的321層3D NAND產(chǎn)品據(jù)說采用了三層堆疊結(jié)構(gòu)。隨著東京電子新低溫蝕刻設(shè)備的采用，將使得在單堆疊或雙堆疊中構(gòu)建400層3D NAND器件成為可能，這也意味著更高的生產(chǎn)效率。未來超過400層的產(chǎn)品是否會過渡到單層或雙層的決定將取決于該工具的可靠性以及它是否能夠始終如一地再現(xiàn)其結(jié)果。

東京電子低溫刻蝕設(shè)備的一個顯著環(huán)境優(yōu)勢是使用氟化氫（HF）氣體，其全球變暖潛能值（GWP）小于1。與傳統(tǒng)使用的全氟化碳（如四氟化碳（CF4）和八氟丙烷（C4F8））相比，這是一個顯著的減少，它們的全球升溫潛能值分別為6030和9540。因此，東京電子新的低溫刻蝕設(shè)備的潛在采用反映了行業(yè)朝著更環(huán)保的制造實踐發(fā)展的趨勢。

據(jù)了解，目前SK海力士已經(jīng)將測試晶圓送往日本的東京電子實驗室，以便SK海力士無需將實際設(shè)備運送并安裝到其晶圓廠就能有效地評估該技術(shù)的潛力。而三星電子正在同時通過進口該設(shè)備的演示版本來評估相同的技術(shù)。這些測試的結(jié)果將決定半導(dǎo)體制造中低溫蝕刻技術(shù)的未來采用和潛在的標(biāo)準(zhǔn)化。

編輯：芯智訊-浪客劍