今年這七座晶圓廠或延期建設

近兩年，半導體行業(yè)受到下行周期市場復蘇不及預期、資金緊張等多方面影響，英特爾、臺積電、三星等多家大廠在繼續(xù)維持擴產(chǎn)大勢下，不斷調(diào)整放緩晶圓廠建設速度和節(jié)奏，以更好服務于企業(yè)長期發(fā)展目標。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，今年上半年以來，英特爾德國1nm芯片廠和美國俄亥俄州建廠兩座工廠延遲建設，三星韓國平澤芯片廠和美國泰勒晶圓廠延期，臺積電美國亞利桑那州兩座工廠推遲投產(chǎn)。另外，Wolfspeed德國8英寸SiC晶圓廠或推遲到2025年開建。

據(jù)外媒消息，英特爾位于德國馬格德堡附近Fab 29.1和Fab 29.2的建設被推遲，因為歐盟補貼審批待定以及需要移除黑土并重新利用。開工時間由2024年夏天推遲至2025年5月。

此前消息顯示，該芯片廠建設計劃最初開始于2023年上半年，但由于補貼延遲，建設被推遲到2024年夏天。為此，德國財政部長邁克爾·里希特（Michael Richter）極力推動，確保英特爾獲得所需的資金。2023年，聯(lián)邦政府批準了價值99億歐元的國家援助作為英特爾300億歐元的項目補貼，但這還有待歐盟確認。

另外，施工現(xiàn)場的表土最早要到2025年5月才能清除，據(jù)悉英特爾未來的建筑工地含有優(yōu)質(zhì)黑土，必須按照法律規(guī)定小心清除并重新利用。州政府將負責清除表層40厘米的土壤，而英特爾則負責清除超過此深度的額外土壤。

據(jù)悉，英特爾的Fab 29.1和Fab 29.2原計劃于2027年底開始運營，或?qū)⒉捎梅浅Ｏ冗M的制造工藝，可能為Intel 14A（1.4nm）和Intel 10A（1nm）工藝節(jié)點。但英特爾現(xiàn)在估計“建造這兩家工廠需要四到五年時間”，“因此將于2029年至2030年開始生產(chǎn)”。

此前英特爾官方消息顯示，英特爾節(jié)點命名約定中的“A”后綴代表埃，10埃轉(zhuǎn)換為1納米。英特爾尚未透露有關(guān) 10A/1nm 節(jié)點的任何細節(jié)，但告訴我們，它將新節(jié)點歸類為至少具有兩位數(shù)的功耗/性能改進。英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 告訴我們，新節(jié)點的改進幅度大約為 14% 到 15%，因此我們可以預期 10A 節(jié)點將至少比 14A 節(jié)點有同樣程度的改進。

另外，今年2月外媒消息，由于市場需求低迷和美國補貼發(fā)放延遲，英特爾推遲了美國俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項目。

2022年1月，英特爾宣布計劃初始投資超過200億美元，在俄亥俄州利金縣建設兩家新的尖端晶圓廠。該計劃從2025年開始芯片制造。受到多方因素影響，據(jù)據(jù)參與該項目的人士稱，俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩座工廠目前推出至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。

今年2月消息，三星透露，三星已部分停止其位于京畿道平澤市的第五家半導體工廠的建設。

據(jù)悉，平澤園區(qū)是三星電子的半導體基地，涵蓋內(nèi)存和系統(tǒng)半導體、芯片設計、生產(chǎn)和后處理。三星電子原計劃在平澤園區(qū)85.5萬平方米的場地上建設六家半導體工廠，打造全球最大的半導體中心。目前，平澤園區(qū)的P1、P2和P3工廠擁有最先進的 DRAM、NAND 閃存和代工生產(chǎn)線，而P4和P5工廠的建設正在進行中。

三星電子當時表示，停工是為了進一步檢查。但行業(yè)人士透露，三星調(diào)整P4、P5晶圓廠新生產(chǎn)線是為了優(yōu)先建造P4廠PH2產(chǎn)線。據(jù)悉，P4廠或?qū)⑴d建PH3產(chǎn)線，生產(chǎn)高端DRAM等以滿足市場需求。

另外，據(jù)外媒消息報道，三星位于美國得克薩斯州的工廠也延期了。據(jù)悉，三星電子已將位于美國德克薩斯州泰勒市的晶圓的量產(chǎn)時間從2024年底推遲到了2026年，原因可能是考慮到晶圓代工市場增勢放緩而調(diào)整了建設速度。延遲是由于與美國政府補貼和各種許可復雜性相關(guān)的問題造成的。經(jīng)濟復蘇的不確定性似乎也影響了三星電子在該地區(qū)的投資決策。

據(jù)悉，三星泰勒晶圓廠項目始于2022年上半年，原計劃于2024年下半年量產(chǎn)，主要聚焦4nm芯片。在2023年12月末，三星電子代工（芯片代工）業(yè)務總裁崔時永在美國IEDM 2023上表示，泰勒工廠將于2024年下半年開始首次代工服務，并于2025年開始量產(chǎn)，這表明投資計劃已調(diào)整。并且，今年1月外媒最新消息顯示，三星電子原定于2023年末在泰勒晶圓廠安裝設備，現(xiàn)在該安裝計劃已推遲到2024年上半年，這或?qū)⒘慨a(chǎn)時間再次后延。

4月9日，臺積電在官網(wǎng)宣布計劃在亞利桑那州建設第三座晶圓廠，建成之后采用2nm或更先進的制程工藝為客戶代工晶圓，在亞利桑那州鳳凰城的全部資本支出，也將因此超過650億美元。

與此同時，業(yè)界還關(guān)注到，臺積電公布的在亞利桑那州的第一座和第二座晶圓廠投產(chǎn)時間較最初的計劃有推遲。

在官網(wǎng)上，臺積電披露，他們在亞利桑那州的首座晶圓廠正推進到2025年上半年投產(chǎn)，采用4nm制程工藝為相關(guān)的客戶代工晶圓；第二座除了此前宣布的3nm制程工藝，也將增加更先進的2nm制程工藝，將在2028年開始批量生產(chǎn)。

此前2020年5月15日宣布在亞利桑那州建設晶圓廠時，臺積電計劃在2021年開始建設，目標量產(chǎn)時間是2024年。2022年12月6日，臺積電宣布工廠的制程工藝由此前計劃的5nm升級到4nm時，他們?nèi)员硎居媱澰?024年量產(chǎn)。

亞利桑那州第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布，原定計劃于2026年量產(chǎn)，主要采用3nm制程工藝為客戶代工晶圓。最新披露的2028年較原計劃就推遲了近兩年。

而對于計劃在亞利桑那州建設的第三座晶圓廠，臺積電尚未披露動工的時間，但他們提到將采用2nm或更先進的制程工藝，計劃在本世紀30年代末開始投產(chǎn)。

今年延遲動工的還有Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠。

2023年2月，Wolfspeed公司與采埃孚集團宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。雙方計劃建立聯(lián)合創(chuàng)新實驗室，推動碳化硅系統(tǒng)和設備技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應用領域的進步。該戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系還包括采埃孚一項重大投資，支持在德國恩斯多夫建設世界上最大和最先進的200毫米碳化硅晶圓工廠。

據(jù)悉，計劃位于薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠由Wolfspee主導建設，預計耗資約27.5億歐元（約合人民幣215億），目前已獲得德國聯(lián)邦政府3.6億歐元（約合人民幣28億）及薩爾州政府1.55億歐元（約合人民幣12億）的補貼。Wolfspeed還在申請《歐洲芯片法案》的資金援助。采埃孚將給Wolfspeed提供數(shù)億美元的財務投資，以換取該工廠的少數(shù)股份。

消息人士透露，Wolfspeed希望在奠基儀式前獲得更多資金，如果無法從該法案中獲得援助，該項目極有可能會延遲。該工廠原計劃于2024年夏季開始建設，但據(jù)Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe透露，如今可能要到2025年才會啟動建設。