英飛凌對英諾賽科發(fā)起337調(diào)查申請！

據(jù)中國貿(mào)易救濟信息網(wǎng)7月29日消息，美國英飛凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美國英飛凌技術(shù)奧地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根據(jù)《美國1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定向美國際貿(mào)易委員會（ITC）提出申請，指控中國氮化鎵(GaN)芯片廠商英諾賽科及其子公司對美出口、在美進口及銷售的特定半導體器件及其下游產(chǎn)品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其專利，違反了美國337條款。

此次受指控公司包括：英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美國英諾賽科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。

早在今年3月，英飛凌就通過其官網(wǎng)發(fā)布公告稱，為防止自己擁有的與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的美國專利受到侵犯，已對英諾賽科提起訴訟，且正在尋求永久禁令。涉及起訴的專利權(quán)利要求涵蓋了氮化鎵功率半導體器件的核心方面，其中包括可實現(xiàn)英飛凌專有的氮化鎵器件可靠性和性能的創(chuàng)新。

值得一提的是，在2023年5月25日，美國氮化鎵（GaN）技術(shù)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation，以下簡稱宜普公司或EPC）也向美國聯(lián)邦法院和美國國際貿(mào)易委員會提起訴訟，指控英諾賽科及其子公司侵犯了EPC面向氮化鎵功率半導體器件的四項核心技術(shù)專利，專利號分別為8,350,294、8,404,508、9,748,347和10,312,335。

2024年7月8日，EPC發(fā)布聲明稱，美國ITC最新確認其兩項關(guān)鍵專利（294號和508號專利）有效，并且判定英諾賽科和其子公司英諾賽科美國公司侵犯了EPC的294號美國專利。而另一項508號美國專利則未受到英諾賽科侵權(quán)。美國ITC這項最終決定預計將于2024年11月5日發(fā)布。

資料顯示，成立于2015年12月英諾賽科，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的中國高新技術(shù)企業(yè)，公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（15V-1200V）的氮化鎵功率器件。

在市場份額方面，根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，按收入計，英諾賽科于2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，按收入計市場份額為33.7%。

在專利積累方面，截至2023年12月31日，英諾賽科在全球有約700項專利及專利申請（已經(jīng)獲得的專利累計為213項，其中包括173項發(fā)明專利），涵蓋芯片設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

編輯：芯智訊-浪客劍