廣東培育“芯”賽道，半導體產(chǎn)業(yè)或迎變革式發(fā)展

光芯片是實現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換的基礎元器件，相較于集成電路展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強的抗電磁干擾能力，有望帶動半導體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展，有力支撐新一代網(wǎng)絡通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

近日，廣東省政府公安廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024—2030年）的通知》（以下簡稱“《行動方案》”）。

《行動方案》提出，為加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)，力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業(yè)，建設10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群。

《行動方案》從突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)、加快中試轉(zhuǎn)化進程、建設創(chuàng)新平臺體系、推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、大力培育領軍企業(yè)、加強合作協(xié)同創(chuàng)新等六個方面提出了18項重點任務，同時，從關(guān)鍵材料裝備攻關(guān)工程、產(chǎn)業(yè)強鏈補鏈建設工程、核心產(chǎn)品示范應用工程、前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)培育工程等方面提出了8項重點工程。

《行動方案》提出，強化光芯片基礎研究和原始創(chuàng)新能力，將鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡、柔性光子芯片、片上光學神經(jīng)網(wǎng)絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。

加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發(fā)投入力度。同時加大“強芯”工程對光芯片的支持力度，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補貼、量產(chǎn)前首輪流片獎補等產(chǎn)業(yè)政策，擴展至光芯片設計自動化軟件（PDA工具）、硅光MPW流片等領域。

此外，加快建設一批概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導體、硅基（異質(zhì)異構(gòu)）集成、光電混合集成等領域，建設概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線。支持中試平臺圍繞光芯片相關(guān)領域，向中小企業(yè)提供原型制造、質(zhì)量性能檢測、小批量試生產(chǎn)、工藝放大熟化等系列服務，推動新技術(shù)、新產(chǎn)品加快熟化。鼓勵綜合性專業(yè)化中試平臺為光芯片領域首臺套裝備、首批次新材料等提供驗證服務，符合條件的依法依規(guī)給予一定政策和資金支持。鼓勵中試平臺搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并孵化培養(yǎng)更多光芯片領域新物種企業(yè)。

廣東將依托各類創(chuàng)新主體，布局建設一批光芯片領域共性技術(shù)研發(fā)平臺，主要聚焦基礎理論研究和新興技術(shù)、顛覆性技術(shù)攻關(guān)，加快形成前沿性、交叉性、顛覆性技術(shù)原創(chuàng)成果，實現(xiàn)更多“從0到1”的突破。引進國內(nèi)外戰(zhàn)略科技力量，培育一批創(chuàng)新平臺，主要聚焦光芯片關(guān)鍵細分環(huán)節(jié)，加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)孵化，不斷提升細分領域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。圍繞研發(fā)設計、概念驗證人才培養(yǎng)等專業(yè)化服務領域，打造一批促進光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的公共服務平臺，強化創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化水平和專業(yè)化服務能力。

強化光芯片產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展布局，支持有條件的地市研究出臺關(guān)于發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)的專項規(guī)劃，加快引進國內(nèi)外光芯片領域高端創(chuàng)新資源，形成差異化布局。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發(fā)揮半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈基礎優(yōu)勢，結(jié)合本地區(qū)當前發(fā)展產(chǎn)業(yè)科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產(chǎn)業(yè)集群，打造涵蓋設計、制造、封測等環(huán)節(jié)的光芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，積極培育光計算芯片等未來產(chǎn)業(yè)。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，規(guī)劃建設各具特色的光芯片專業(yè)園區(qū)。

廣東將圍繞光芯片關(guān)鍵細分領域和產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)，引進一批領軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)進行并購整合，加快提升業(yè)務規(guī)模。支持龍頭企業(yè)與國內(nèi)外企業(yè)、高等院校、研究機構(gòu)聯(lián)合搭建未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體，探索產(chǎn)學研協(xié)同攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關(guān)，孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)。鼓勵半導體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢，延伸布局光芯片相關(guān)領域。

支持光芯片龍頭企業(yè)加大在粵的研發(fā)和產(chǎn)線布局，加快形成光芯片產(chǎn)業(yè)集群。支持外資光芯片企業(yè)布局建設企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、工程技術(shù)研究中心等各類平臺，進一步強化光芯片領域科技創(chuàng)新能力。

積極對接國家集成電路戰(zhàn)略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。加強與香港、澳門高等院校、科研院所的協(xié)同創(chuàng)新，對接優(yōu)質(zhì)科技成果、創(chuàng)新人才和金融資本，加快導入并形成一批技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果。加強與京津冀、長三角等國內(nèi)先進地區(qū)企業(yè)、機構(gòu)交流合作，探索開展跨區(qū)域協(xié)同合作，加強導入優(yōu)質(zhì)研發(fā)資源和產(chǎn)業(yè)資源。建立與國際知名高校、研發(fā)機構(gòu)、技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)等各類創(chuàng)新主體的交流合作機制，加強技術(shù)和人員交流。

《行動方案》在8項重點攻關(guān)工程中提出，要推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設備更新升級。

加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。

大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。

同時，《行動方案》還提出，要加強光芯片設計和光芯片制造布局、并提升光芯片封裝水平。

具體而言，支持光芯片設計企業(yè)圍繞光通信互連收發(fā)芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領域加強研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化布局。

大力支持技術(shù)先進的光芯片IDM、Foundry企業(yè)，加大基于硅基、鍺基、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質(zhì)異構(gòu)集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產(chǎn)線和產(chǎn)能布局。

大力發(fā)展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術(shù)，緊貼市場需求推動光芯片封裝測試工藝技術(shù)升級和能力提升。