韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出，1組韓國工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。

　　首爾大學(xué)表示，該團(tuán)隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲器等裝置上。

　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊負(fù)責(zé)教授表示，藉由將NOR芯片彎曲成圓錐狀，將可全面提升該芯片的電子和物理質(zhì)量，理論上可使其功能達(dá)到NAND芯片的水平。

　　雖然仍有些為差異，但改良后的NOR芯片基本上可取代NAND芯片，用于各種電子裝置中，特別是手機(jī)。然而，由于目前傳統(tǒng)NOR芯片的價格較高，改良后的NOR芯片是否將因為價格而受到發(fā)展限制，仍待觀察。

　　不過，對三星電子(Samsung Electronics)和其它韓國科技鉅子而言，使用本國的技術(shù)將有助于控制成本，進(jìn)而提高對英特爾(Intel)的競爭力。

　　據(jù)悉，包括NOR和NAND芯片的Flash市場，在2010年的規(guī)模將可望超過200億美元，較2009年的180億美元攀升。

　　此改良NOR芯片的計劃是由韓國政府資助，共花費(fèi)4年時間和投入3億韓元(約26.7萬美元)。