馬達(dá)設(shè)計中提升更高的效率
具有永磁體的三相同步馬達(dá)有兩種主要的類型:正弦脈沖調(diào)制(PM)同步馬達(dá)和梯形無刷直流馬達(dá)。二者在許多方面是相同的(例如,二者都是電子換向的),但也有兩個主要的差別。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/106343.htm●馬達(dá)的結(jié)構(gòu)
正弦控制波形馬達(dá)與梯形控制波形馬達(dá)的BEMF感生電壓的形狀不同。
●控制方式
控制電壓波形不同,分別是三相正弦波形(所有三個相位同時接通)與矩形六步換向(任何時候都有一個相位不接通)。
正弦脈沖調(diào)制(PM)同步馬達(dá)日益流行,在非常多的應(yīng)用中替代了有刷直流常規(guī)馬達(dá)和其他類型的馬達(dá)。主要的原因是它可以提供更好的可靠性而不需要電刷,以及有更高的效率、更低的噪聲和其他優(yōu)點(diǎn)(如圖2所示)。
圖2內(nèi)置永磁同步馬達(dá)(IPMSM)向量控制系統(tǒng)框圖
智能功率模塊
隨著小型化馬達(dá)的設(shè)計越來越容易,智能功率模塊(SPM)提供了與MCU或DSP的功率接口。這些模塊相比分立元件方案的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了寄生自感和具有更高的可靠性,這是由于模塊中所有開關(guān)器件都使用了相同類型的基底。因此,它們具有相同的特性,以及很好的可測試性。
SPM是一個驅(qū)動電路,可以直接與微控制器的低壓TTL或CMOS輸出引腳,以及其他保護(hù)電路連接。模塊有一個溫度傳感器來監(jiān)視節(jié)點(diǎn)的溫度,有相應(yīng)的控制邏輯來阻止高端和低端開關(guān)管的偶然打開、死區(qū)控制,以及波形整形電路以降低EMI。這些模塊的驅(qū)動集成電路可以對開關(guān)功率器件優(yōu)化以減少EMI和驅(qū)動損耗。
高壓橋驅(qū)動器
緊湊、低功耗型模塊為馬達(dá)驅(qū)動器帶來高壓(600V)橋驅(qū)動的變革。這些驅(qū)動器經(jīng)過精心設(shè)計來減少內(nèi)部高壓集成電路工藝中的寄生漏-源極電容,因此可以在標(biāo)準(zhǔn)負(fù)電壓超過-9V的環(huán)境下穩(wěn)定工作。
供電電壓正和負(fù)峰值不會使驅(qū)動器閉鎖和失去柵極控制,而最近十幾年,柵極驅(qū)動器卻發(fā)生了很大的改變。如果傳輸延遲低于50ns,就可以使開關(guān)頻率高達(dá)100或150kHz。
集成電路內(nèi)部的共模dv/dt噪聲吸收電路有助于降低錯誤打開的可能性,并使功率電路更加穩(wěn)固,而且不需要額外的濾波電路就能夠使體積更加緊湊。低靜態(tài)電流的現(xiàn)代集成電路,例如FAN7382和FAN7384,能降低工作溫升,因而增加可靠性。
另外一個更大的優(yōu)點(diǎn)是減少了電路板的面積和成本,它替代了在微控制器PCB和功率開關(guān)PCB之間的四種隔離供電和光耦合隔離電路,而這在早先一代的馬達(dá)驅(qū)動器產(chǎn)品中則是非常普遍的。
IGBT:NPT與PT的比較
二十多年來,馬達(dá)驅(qū)動器中的功率開關(guān)器件一直是IGBT,它在一定開關(guān)頻率下可以降低損耗。對于馬達(dá)驅(qū)動器領(lǐng)域,這也表明IGBT系列面向消費(fèi)類馬達(dá)的驅(qū)動頻率大約為5kHz,許多工業(yè)馬達(dá)的驅(qū)動頻率大約是29kHz,而有些馬達(dá)驅(qū)動的驅(qū)動器則有更高的驅(qū)動頻率。
IGBT不斷革新,每個開關(guān)周期中的導(dǎo)通電壓和關(guān)閉能量與模塊的可靠性和低成本都有很大的關(guān)系。最近五年,常規(guī)IGBT的能力得到了巨大的改進(jìn),而且新興的非擊穿IGBT更加普及??雌饋矸浅O癯R?guī)擊穿IGBT的NPTIGBT是通過與以往不同的工藝制造的。與MOSFET和常規(guī)IGBT不同,NPTIGBT在晶圓工藝中使用P區(qū)域和底層金屬區(qū)域填充。
NPTIGBT的導(dǎo)通電壓Vce(sat)通常不會比常規(guī)IGBT的高,或者至少一樣低。然而,它們通常更加穩(wěn)固??梢猿惺芟喈?dāng)長時間短路或過流條件的能力使它們在馬達(dá)控制領(lǐng)域非常流行。此外,如果對比兩種類型IGBT的開關(guān)波形,就可以發(fā)現(xiàn)NPTIGBT產(chǎn)生的EMI比PTIGBT低很多。
NPTIGBT有一個基本是單一斜率的下降時間
換句話說,常規(guī)IGBT的下降時間由一個dI/dt非常高的區(qū)域和之后一個非常長的尾跡組成。在后一個區(qū)域,電流的下降速率非常低,而且器件損耗非常高。在高dI/dt的區(qū)域,常規(guī)IGBT所產(chǎn)生的EMI是很高的,通常會具有影響驅(qū)動電路的可能,必須將驅(qū)動電路和功率開關(guān)管隔離。NPTIGBT的另一個優(yōu)點(diǎn)是,它可以采用Vce(sat)是正溫度系數(shù)的工藝制造,這是并聯(lián)IGBT時非常重要的參數(shù)。
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