半橋拓撲結(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　總結(jié)：

　　對于需要高能效的應(yīng)用而言，采用軟開關(guān)技術(shù)的半橋拓撲結(jié)構(gòu)越來越受設(shè)計人員青睞。但要驅(qū)動半橋拓撲結(jié)構(gòu)中的高端MOSFET，設(shè)計人員面臨著是選擇變壓器或是硅芯片等不同驅(qū)動方案的選擇。本文分析了不同驅(qū)動方案的設(shè)計考慮因素、相關(guān)問題及解決之道，并從多個角度對比了這兩種驅(qū)動方案。盡管精心設(shè)計的話，這兩種驅(qū)動方案都可以良好工作，但安森美半導(dǎo)體建議選擇諸如NCP5181這樣的硅芯片驅(qū)動方案，在簡化布線及設(shè)計的同時，也可避免變壓器驅(qū)動方案的諸多問題，幫助設(shè)計人員縮短設(shè)計周期，加快產(chǎn)品上市進程。

　　參考資料：

　　1、半橋驅(qū)動器：采用變壓器還是全硅驅(qū)動，安森美半導(dǎo)體培訓(xùn)教程， www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf

　　2、NCP5181數(shù)據(jù)手冊，http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF