IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
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時(shí)間：2010-07-02
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/110539.htm新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
IR 亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳，可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻，因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。”
所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W)，符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
評(píng)論