三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。

　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將全部采用Toggle DDR2.0技術(shù)。

　　Toggle DDR2.0 NAND Flash較既有的SDR NAND Flash信息處理速度40Mbps快10倍，達(dá)400Mbps，也較處理速度133Mbps的Toggle DDR1.0高速NAND Flash快3倍。

　　三星在量產(chǎn)的同時，為使此規(guī)格能成為市場標(biāo)準(zhǔn)，也向JEDEC申請標(biāo)準(zhǔn)登記，2011年初可完成登記作業(yè)。此外日本東芝(Toshiba)也決定將參與Toggle DDR2.0的標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)。

　　半導(dǎo)體事業(yè)部存儲器策略營銷副社長全東守表示，三星2009年11月初量產(chǎn)30奈米制程高速NAND Flash等持續(xù)主導(dǎo)高效能NAND Flash市場成長。未來搭載高速NAND Flash的4代智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬碟(SSD)等各種產(chǎn)品的需求將會大幅增加，并帶動NAND Flash市場成長。