爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。

　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動(dòng)?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項(xiàng)新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)上產(chǎn)品體積更小、功能更強(qiáng)大NAND閃存芯片。

　　爾必達(dá)的目標(biāo)是成為全球第一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)基于電荷擷取技術(shù)NAND閃存芯片的芯片制造商。

　　諸如爾必達(dá)等僅生產(chǎn)DRAM(dynamic random access memory)芯片的半導(dǎo)體制造商正在試圖增加生產(chǎn)閃存芯片的能力，以滿足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動(dòng)電話的強(qiáng)烈需求。這類產(chǎn)品的市場(chǎng)正日益增長(zhǎng)，部分原因是智能手機(jī)的全球普及。