新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

作者: 時(shí)間:2010-09-16 來(lái)源:SST 收藏

  代工,2011與2010年相比下降20%。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/112700.htm

  全球頂級(jí)代工的產(chǎn)能利用率將在Q42010至Q12011看到季節(jié)性減弱。Muse認(rèn)為,臺(tái)積電在fabless, 如Nvidia等減少訂單的影響下, 所以其2011年投資下降30%。臺(tái)積電CEO Morris張可能轉(zhuǎn)變投資策略, 這可能是受宏觀經(jīng)濟(jì)大環(huán)境的影響。對(duì)于聯(lián)電因受Xilinx的訂單轉(zhuǎn)向三星及臺(tái)積電的影響而下降投資。在另一方面,三星LSI將繼續(xù)增加投資, 及GlobalFoundries的投資可能小幅下降。

  DRAM 2011與2010年相比下降15%。

  因?yàn)镈RAM的價(jià)格持續(xù)波動(dòng), 預(yù)計(jì)直到Q1 2011仍是季節(jié)性的弱勢(shì)。尤其是頂級(jí)供應(yīng)商如Samsung,Hynix及Micron都希望軟著陸。隨著它們加快采用4x技術(shù), 其中1-2家的DDR3成本可能首先突破1美元/Gb。Micron將減少DRAM投資(Nanya/Inotera的產(chǎn)能利用率不高), 但是Elpida/Rexchip/Powerchip的投資仍保持在2010年水平。在二線DRAM競(jìng)爭(zhēng)者的積極投資推動(dòng)下三星將繼續(xù)跟進(jìn)投資。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉