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安森美高能效計算機電源方案概覽及新品擷英

作者: 時間:2011-01-20 來源:電子產品世界 收藏
       值得一提的是,NCP6151、NCP6121、NCP6131和NCP6132是配合第二代IntelCore處理器系列(即Sandy Bridge)最新推出的高能效器件。它們均提供用戶可配置的相位配置,集成真正的差分電壓感測、差分電感直流電阻(DCR)電流感測、輸入電壓前饋,以及用于精確穩(wěn)定電源的自適應電壓定位功能。每款器件均提供分離(split)電流環(huán)路配置,縮短調諧(tuning)時間及降低復雜度,進而簡化設計入選(design-in);其中,結合了DCR電流感測功能的雙緣PWM對動態(tài)負載事件提供最快的初始對應??刂骗h(huán)路的非線性瞬態(tài)對應滿足高性能應用的要求,而30 mV/s的轉換速率,結合前饋功能,將充電和放電時間縮至最短,用于高能效工作。輕載工作期間自動“切相”至單相工作,進一步提升了能效。這幾款器件中,NCP6151是用于服務器應用的2/3/4相CPU控制器及單相圖形處理器(GPU)控制器,NCP6121是用于臺式機的1/2/3相CPU控制器及單相GPU控制器,而NCP6131是用于筆記本的3相CPU控制器及單相GPU控制器。

  這些NCP61xx控制器結合提供的業(yè)界最小MOSFET驅動器NCP5901(采用SOIC-8 Narrow Body或DFN8 2.0x2.0x0.9mm)或NCP5911集成,以及優(yōu)化了能效的新的、NTTFS49xx、NTD49xx或NTMS49xx高端穩(wěn)壓MOSFET,使客戶能夠創(chuàng)建用于客戶端級和企業(yè)級的完整供電方案。這系列的11款新的高能效MOSFET使用先進硅技術,經過了優(yōu)化,在降壓轉換器控制端應用中提供最佳的開關性能。每款新器件均提供極低的門電荷(Qg)和門阻抗(Rg),將開關損耗降至最低,并改善信號質量;提供低電容,將驅動器損耗降至最低;提供低導通阻抗(RDS(ON)),提高總能效。圖1中分別顯示的是結合采用這些器件的臺式機和筆記本Vcore電源方案的應用電路圖。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/116300.htm

  圖2:臺式機及筆記本Vcore電源方案應用電路圖。

  系統(tǒng)電源、芯片組及DDR電源控制器方案

  除了提供用于CPU的方案,還提供用于系統(tǒng)電源、芯片組及DDR存儲器的電源控制器方案(參見表1)。以上網本應用為例,除了可以采用ADP3211A單相降壓控制器用于CPU,還可使用安森美半導體用于系統(tǒng)電源、芯片組及DDR電源的不同控制器方案。

  例如,在上網本應用中可以采用安森美半導體的單同步整流降壓控制器NCP5217。這器件是系統(tǒng)、I/O及存儲器性能最佳的電源方案之一,支持4.5 V至27 V輸入電壓范圍,可提供3.3 V至0.8 V的更寬范圍電壓,具備全面的保護功能,還具備提高輕載能效的可選擇省電模式。此外,NCP5217提供的前饋(feed forward)控制,可以在上網本應用出現(xiàn)較大的輸入電壓變化時仍能提供恒定的輸出電壓。這種控制架構使各組電源間交錯工作,能夠降低輸入電容的物料單成本。

  表1:安森美半導體用于計算機系統(tǒng)電源、芯片組及DDR電源的控制器方案



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