安森美高能效計(jì)算機(jī)電源方案概覽及新品擷英

　　臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器和筆記本等計(jì)算機(jī)應(yīng)用主要需要電壓不超過(guò)30 V的低壓MOSFET。安森美半導(dǎo)體為這些應(yīng)用提供豐富的N溝道及P溝道MOSFET選擇,這些MOSFET提供30 V、-30 V或25 V的漏極-源極電壓(VDS)，采用SO8-FL 5x6 mm、μ8FL 3.3x3.3 mm、DPAK、SOIC-8 5x6 mm或ICEPAK等不同封裝，為計(jì)算機(jī)電源應(yīng)用提供高能效。其中，采用ICEPAK封裝的MOSFET用于增加功率開(kāi)關(guān)的功率密度.
        值得一提的是，安森美半導(dǎo)體新近針對(duì)計(jì)算機(jī)等應(yīng)用推出了帶集成肖特基二極管的30 V MOSFET產(chǎn)品，包括NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF。這些MOSFET采用緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝，在10 V時(shí)分別擁有2 m?、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫(kù)侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開(kāi)關(guān)損耗也保持最低。集成肖特基二極管借助于集成在與初級(jí)FET結(jié)構(gòu)相同的裸片中，減小死區(qū)時(shí)間導(dǎo)電損耗，因而提升能效及改善波形。
        熱傳感器、風(fēng)扇控制器及系統(tǒng)監(jiān)控器
        安森美半導(dǎo)體為計(jì)算機(jī)應(yīng)用提供完整選擇的遠(yuǎn)程熱傳感器、風(fēng)扇控制器及系統(tǒng)監(jiān)控器。其中，熱傳感器將溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字格式，并通過(guò)SMBus總線傳送這些數(shù)據(jù)信息。溫度設(shè)定點(diǎn)及極限也可能通過(guò)這總線來(lái)編程。溫度信息可以用于動(dòng)態(tài)控制風(fēng)扇速度、降低可聽(tīng)噪聲及能耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。先進(jìn)的系統(tǒng)監(jiān)控方案帶來(lái)電壓和電流監(jiān)測(cè)、電池檢測(cè)、閃存及GPIO功能，提供了全套系統(tǒng)狀況監(jiān)測(cè)及控制器。
        這些計(jì)算機(jī)熱管理器件包括ADM1026/27/29/30/31、ADT7460/63/62/67/68/73/75/76、ADM1033/34/32、ADT7490/61A/21/81/82/83A/84A/85A/86A/88A、NCT75及NCT214等。
        計(jì)算機(jī)高速接口開(kāi)關(guān)器件及低電容保護(hù)器件
        安森美半導(dǎo)體為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、筆記本和上網(wǎng)本等計(jì)算機(jī)應(yīng)用中的高速接口，如PCI Express(PCIe)、DisplayPort、千兆位以太網(wǎng)(GbE)及USB 2.0等，提供多種開(kāi)關(guān)器件。以服務(wù)器應(yīng)用為例，相關(guān)應(yīng)用示意圖及可以采用的器件如下圖所示。

　　圖3：安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于服務(wù)器的開(kāi)關(guān)器件型號(hào)及應(yīng)用示意。

　　在計(jì)算機(jī)應(yīng)用的高速接口保護(hù)方面，安森美半導(dǎo)體同樣提供多種選擇(見(jiàn)表2)。這些保護(hù)方案中，既有傳統(tǒng)ESD保護(hù)方案，也有新的PicoGuard XS保護(hù)方案(見(jiàn)圖4)。安森美半導(dǎo)體的高速接口保護(hù)產(chǎn)品系列兼具極高的信號(hào)完整性及業(yè)界最佳的鉗位電壓，確保為敏感的高速接口提供最高等級(jí)的保護(hù)。

　　表2：安森美半導(dǎo)體針對(duì)不同高速接口應(yīng)用的不同保護(hù)方案。