三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率達(dá)58%

　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)一直等到2010年第4季都沒(méi)有表現(xiàn)的舞臺(tái)，整體2010年NAND Flash市場(chǎng)營(yíng)收成長(zhǎng)達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。

　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的是平板計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)所應(yīng)用的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器趨勢(shì)起飛，使得整個(gè)需求端往系統(tǒng)廠傾斜;以2010年第4季為例，快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)需求仍是疲弱不振，所幸有平板計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)等系統(tǒng)廠訂單支撐。

　　第4季原本應(yīng)該是傳統(tǒng)淡季，但因?yàn)橛袞|芝(Toshiba)跳電事件的發(fā)生，預(yù)先宣告2011年1、2月的供給會(huì)減少20%，促使下游通路業(yè)者提前愿意提前備貨，NAND Flash報(bào)價(jià)在2010年12月中旬提前反彈，打亂了原本業(yè)者規(guī)劃的腳步。

　　以2010年第4季NAND Flash市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，根據(jù)集邦科技統(tǒng)計(jì)，整個(gè)市場(chǎng)的平均售價(jià)ASP下跌約17%，營(yíng)收規(guī)模為49.07億美元，較上季減少4.2%，合計(jì)2010年整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)總營(yíng)收規(guī)模為191.7億美元，較前1年成長(zhǎng)58.7%。

　　以各家NAND Flash業(yè)者的表現(xiàn)來(lái)看，三星在2010年第4季仍是稱霸全球NAND Flash市場(chǎng)，市占率為37.5%，東芝以35.5%緊追在后，而美光和海力士更是繼續(xù)纏斗，美光第四季市占率為10.7%，海力士為10.4%，雙方差距僅0.3個(gè)百分點(diǎn)。

　　從2010年全年表現(xiàn)來(lái)看，三星全年市占率逼近40%，東芝為34.7%，美光和海力士分別為11.2%和9.1%，而英特爾排名第5，市占率僅5.9%，其中三星、東芝和美光2010年都宣布擴(kuò)建12寸晶圓廠，進(jìn)一步擴(kuò)大NAND Flash全球市占率，也藉機(jī)掌握內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器的應(yīng)用。

　　不約而同的是，全球4大NAND Flash陣營(yíng)在2011年重心都會(huì)轉(zhuǎn)至系統(tǒng)大廠身上，主要也是因應(yīng)平板計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)需求興起，原本外接記憶卡的需求轉(zhuǎn)到內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器;此外4大NAND Flash陣營(yíng)在制程技術(shù)上也都會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程世代，以降低生產(chǎn)成本。

　　其中，三星會(huì)持續(xù)提升27納米制程比重;東芝在2010年第4季幾乎都全數(shù)轉(zhuǎn)至32納米制程，也預(yù)計(jì)在2011年第1季持續(xù)提升24納米制程技術(shù)的比重;在美光方面，2010年已領(lǐng)先轉(zhuǎn)進(jìn)25納米制程，再次搶到全球制程技術(shù)頭香;海力士方面，2010年第四季32納米制程的產(chǎn)出比重已提高至75%，預(yù)計(jì)2011年將祭出26納米制程應(yīng)戰(zhàn)。

　　在三星方面，2010年NAND Flash營(yíng)收為75.09億元，市占率達(dá)39.2%，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星2010年第4季位元成長(zhǎng)率達(dá)15%，而平均售價(jià)則下跌15%，在韓元升值的影響下，第4季營(yíng)收較上季減少9.3%，為18.4億美元。

　　展望三星2011年第1季，位元成長(zhǎng)率可望較上季成長(zhǎng)30%，但預(yù)期平均售價(jià)仍會(huì)受快閃記憶卡經(jīng)歷傳統(tǒng)淡季而下跌20%;三星也會(huì)提升內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器和系統(tǒng)客戶比重，包括Movi-NAND、多芯片封裝(MCP)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。

　　在東芝方面，東芝2010年12月突如其來(lái)的跳電事件讓市場(chǎng)嚇一跳，也讓NAND Flash報(bào)價(jià)提前止跌;東芝2010年第4季營(yíng)收為17.43億美元，較上季減少4.3%，單季市占率為35.5%。

　　在2011年布局上，東芝已在2010年宣布和合作伙伴新帝(SanDisk)Fab5新廠將開(kāi)始投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2011年此座12寸晶圓廠第3季會(huì)開(kāi)始正式量產(chǎn);在產(chǎn)品策略上，東芝也會(huì)提升系統(tǒng)客戶的比重，包括MCP、eMMC和SSD等內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器，將完全掌握平板計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)商機(jī)。

　　在美光和英特爾陣營(yíng)方面，美光持續(xù)掌握系統(tǒng)客戶的訂單，以及旗下記憶卡通路商Lexar雙方面的營(yíng)運(yùn)貢獻(xiàn)，使得美光2010年第4季出貨量增加24%，平均售價(jià)下跌20%，單季營(yíng)收為5.26億美元，市占率為10.7%;展望2011年第1季，美光的NAND Flash位元產(chǎn)出約為15%，而平均售價(jià)將下跌約10%。

　　美光在NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)方面也不輸三星和東芝的速度，2010年以宣布啟動(dòng)新加坡新12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)到2011年底可到6~10萬(wàn)片產(chǎn)能水平。

　　在英特爾方面，英特爾在SSD產(chǎn)品上布局相當(dāng)積極，還包括mSATA嵌入式產(chǎn)品搶占商機(jī);英特爾2010年第4季NAND Flash營(yíng)收為2.88億美元，較上季成長(zhǎng)12.5%，單季市占率為5.9%。

　　海力士在痛失全球NAND Flash三哥寶座之后，也積極強(qiáng)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制程技術(shù)和系統(tǒng)客戶比重。

　　以2010年整體來(lái)看，海力士全球市占率僅小輸美光約2個(gè)百分點(diǎn)，以2010年第4季來(lái)看，海力士出貨量增加32%，平均價(jià)格則下滑12%，與三星同樣面臨韓元升值影響，單季營(yíng)收僅小幅增加2.9%，單季營(yíng)收為5.1億美元。

　　展望2011年第1季，海力士位元成長(zhǎng)率可增加15%，平均售價(jià)期望能持平，在產(chǎn)品和客戶調(diào)節(jié)上，也集中至系統(tǒng)產(chǎn)品和客戶身上。