世界半導(dǎo)體業(yè)走向何方?

今年市場(chǎng)將優(yōu)于預(yù)期

        在全球金融/經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴的襲擊下，世界半導(dǎo)體業(yè)2008、2009連續(xù)兩年陷入困境，出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)，2010年觸底強(qiáng)勁反彈。WSTS（世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)）去年秋季曾預(yù)測(cè)，當(dāng)年市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)31.7%，市場(chǎng)突破3000億美元大關(guān)，達(dá)3004億美元，是十年來(lái)增長(zhǎng)最快的一年。可是，冷暖相依，大多市調(diào)公司對(duì)2011年市場(chǎng)并不看好，預(yù)期增長(zhǎng)率僅能在5％上下，徘徊于個(gè)位數(shù)的低端。

預(yù)測(cè)不過(guò)是預(yù)測(cè)而已

        最近WSTS發(fā)表了今年1月份的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界半導(dǎo)體的銷售額達(dá)240億美元，同比勁增16％，而環(huán)比（比上年12月）僅下降4.5%，是自1999年以來(lái)12年中下降最少的一年（據(jù)統(tǒng)計(jì)，1999～2010年間每年l月的平均環(huán)比負(fù)增長(zhǎng)率達(dá)20％）。

        依據(jù)上述數(shù)據(jù)，市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insights將歷年的詳細(xì)數(shù)據(jù)加以推算，再加上最近如美國(guó)失業(yè)率減少、新興經(jīng)濟(jì)國(guó)家需求殷切等的經(jīng)濟(jì)積極因素，該公司對(duì)今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)前景表示樂(lè)觀，認(rèn)為可增長(zhǎng)10％左右。

        無(wú)獨(dú)有偶，VLSI公司在3月份竟兩次上調(diào)今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)率，尤其引人矚目。該公司不久前曾表示，去年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)了30.9%，預(yù)測(cè)今年將增長(zhǎng)8.1%，達(dá)2687億美元，雖然承認(rèn)今年市場(chǎng)確有許多不確定因素，但鑒于首季度的市場(chǎng)運(yùn)行情況，于3月2日將今年的增長(zhǎng)率上調(diào)至8.9%，達(dá)2707億美元。等到3月30日，一季度的半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)紅火好于預(yù)期，今年快速提高了11.6%，銷量也從11%提高到14%，因此一季度為全年發(fā)展構(gòu)建了良好基礎(chǔ)。于是，VLSI公司便再次將今年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)率上調(diào)到12.2%，并認(rèn)為即使有石油漲價(jià)、通貨膨脹、日本地震等種種不利因素，未來(lái)幾個(gè)季度運(yùn)行速度可能會(huì)趨緩，但至少可保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)率。

        IC Insights公司預(yù)測(cè)，今年熱銷的半尋體產(chǎn)品有數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路、汽車專用模擬電路和MPU等，日前又特別提到了O－S－D（光電器件－傳感器/傳動(dòng)器－分立器件）市場(chǎng)，3類產(chǎn)品總銷售額將比去年上揚(yáng)10.2%，達(dá)583億美元，其中光電器件增長(zhǎng)11%，達(dá)264億美元；傳感器/傳動(dòng)器增長(zhǎng)15%，達(dá)85億美元；分立器件增長(zhǎng)8%，達(dá)234億美元。

        由于日本3.11地震曾導(dǎo)致15座晶圓廠生產(chǎn)中斷，對(duì)半導(dǎo)體業(yè)造成不良影響，IC Insights公司最近又出版了一份相關(guān)報(bào)告。據(jù)其統(tǒng)汁，世界半導(dǎo)體制造產(chǎn)能中有63%位于地震活動(dòng)帶，晶圓代工產(chǎn)能更超過(guò)90%，尤其是位于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的世界兩大頂級(jí)晶圓代工廠――臺(tái)積電和聯(lián)電，一旦遭遇地震或颶風(fēng)災(zāi)害，則將對(duì)整體電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈造成巨大沖擊(見(jiàn)表1)。


450mm晶圓即將上馬

        自1980年半導(dǎo)體業(yè)界采用l00mm晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，大約每5年前進(jìn)一代，1985年采用150mm生產(chǎn)；l990年采用200mm生產(chǎn)；1995年采用300mm生產(chǎn)?？勺?00mm以來(lái)已超過(guò)15年還未走向450mm新一代晶圓，時(shí)間可謂長(zhǎng)矣，近年雖議論不少，可始終未見(jiàn)具體計(jì)劃。

        究其原因，主要是缺少突破型新產(chǎn)品需求的驅(qū)動(dòng)力，據(jù)說(shuō)300mm晶圓線的巨額投資，廠商還沒(méi)全部收回，因而缺少投資新一代工藝的經(jīng)濟(jì)實(shí)力。另外，開(kāi)發(fā)新一代技術(shù)已不像以往各代的工藝主要是重復(fù)，而是要求制造設(shè)備廠商具有綜合開(kāi)發(fā)能力，包括工藝開(kāi)發(fā)、材料準(zhǔn)備、軟件編寫、工廠自動(dòng)化等，龐大的資金和專業(yè)知識(shí)均非易事。當(dāng)前，即使像應(yīng)用材料和東京電子這樣世界最大的設(shè)備制造公司在資源方面也難于獨(dú)立完成這樣的開(kāi)發(fā)。

        2008年5月，Intel、三星和臺(tái)積電共同發(fā)表實(shí)施450mm生產(chǎn)線的聲明時(shí)，業(yè)界一時(shí)震動(dòng)。可其后適遇經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴，市場(chǎng)陷入低迷，計(jì)劃亮起紅燈。直到不久前，人們才又見(jiàn)到促進(jìn)派特別是Intel和臺(tái)積電的動(dòng)靜，發(fā)表了較為具體的發(fā)展路線圖。臺(tái)積電計(jì)劃2013～2014年完成試制生產(chǎn)線，2015～2016年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并計(jì)劃2012年第三季度開(kāi)始在450mm晶圓上采用20nm工藝技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。Intel公司2月宣布，即將投資50億美元以上，在亞利桑那州建立42號(hào)工廠，釆用l4nm以下工藝，2013年建成，據(jù)稱將是世界上最先進(jìn)的工廠。

        臺(tái)積電4月5日在美國(guó)圣荷塞舉行的技術(shù)論壇上，詳細(xì)透露了公司的450mm晶圓生產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電將全力向450mm時(shí)代挺進(jìn)，目的之一是降低成本，其二是爭(zhēng)取比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手搶先一步。450mm生產(chǎn)線約需投資100億美元，其中設(shè)備費(fèi)尤為高昂，但其生產(chǎn)率可比300mm生產(chǎn)線提高1.8倍，且可減少工廠數(shù)量，避免面臨尋找大量?jī)?yōu)秀工程技術(shù)人員的難題，未來(lái)10年將減少人員需求7000人。據(jù)悉，臺(tái)積電將首先在新竹第12號(hào)工廠建立試制線，預(yù)計(jì)2013～2014年投入運(yùn)行，然后轉(zhuǎn)入臺(tái)中第15號(hào)工廠進(jìn)行量產(chǎn)，計(jì)劃2015～2016年完成。初時(shí)釆用20nm工藝，未來(lái)將轉(zhuǎn)向14nm工藝。

摩爾定律何時(shí)到頭?

        在半導(dǎo)體業(yè)界一向奉為圭臬的摩爾定律到頭之論早已有之，iSuppli公司2009年便聲稱摩爾定律即將于2014年失效，曾引起熱烈議論。被譽(yù)為臺(tái)灣集成電路之父的臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀于今年4月下旬出席“全球科技高峰論壇”時(shí)又表示，摩爾定律大約再過(guò)6～8年將走到極限。他說(shuō)，摩爾定律以往平均每?jī)赡赀M(jìn)入新的一代，未來(lái)IC的微細(xì)化發(fā)展空間已不大，倒是電路板方面還有發(fā)展空間，未來(lái)勢(shì)必要往新的應(yīng)用發(fā)展，如低功耗等。

        微細(xì)化技術(shù)發(fā)展的困難日益增大，速度趨緩，從2003年的90nm工藝、2005年的65nm工藝、2007年的45nm工藝到2009年32nm，都是兩年一代?？缛?010年以后工藝革新的間隔時(shí)間將延長(zhǎng)，預(yù)計(jì)將從2011～2012年的22nm、2014～2015年15nm到2017～2018年11nm，將放慢到2.5～3年一代。

        今天的半導(dǎo)體業(yè)除了繼續(xù)走傳統(tǒng)微細(xì)化道路的所謂“More Moore（更摩爾）”方式之外，業(yè)界還提出了有別于此的所謂“More than Moore（超摩爾）”的發(fā)展道路。它包括通過(guò)3D方式提高集成度，以及將模擬電路、功率器件、傳感器、生物芯片、無(wú)源元件等集成在一個(gè)封裝里，稱為SIP（System In a Package）。另外，“Beyond CMOS（后CMOS）”也是業(yè)者提出的另一方式，即利用與現(xiàn)有MOS晶體管不同原理進(jìn)行工作的新器件，包括將原子、量子、光、自旋電子等用作芯片布線等技術(shù)，并將成為本世紀(jì)20年代的基礎(chǔ)技術(shù)。

        總之，未來(lái)集成電路必將走上多樣化的發(fā)展道路，“More than Moore”和“Beyond CMOS”將成“More Moore”技術(shù)發(fā)展的原動(dòng)力。此外，還有化合物半導(dǎo)體（Ge和III－V族半導(dǎo)體）材料的應(yīng)用也值得注意，業(yè)界有“得材料者得天下”的說(shuō)法。

激蕩的未來(lái)十年


        無(wú)論如何，微細(xì)化的道路還將走下去，當(dāng)前32nm工藝已成主流技術(shù)，今年世界主要半導(dǎo)體廠商如Intel、臺(tái)積電、Global F、三星等公司即將跨入22nm新一代技術(shù)，但綜觀世界半導(dǎo)體業(yè)各生產(chǎn)公司，自130nm以下，共有6代生產(chǎn)工藝并存于世（圖1）。預(yù)計(jì)明年22nm將成主流生產(chǎn)技術(shù)。
另外還有一種提法，認(rèn)為微細(xì)化技術(shù)在NAND flash等的牽引下，不斷采用新的手段，前進(jìn)步伐還將加快，超過(guò)了ITRS（國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖）的預(yù)測(cè)，今年1Xnm技術(shù)即將成事，9nm技術(shù)也已在實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)成功。若依ITRS路線圖，2024年將進(jìn)入5nm時(shí)代，屆時(shí)每平方厘米尺寸的芯片上，集成的晶體管數(shù)將超過(guò)250億個(gè)。當(dāng)然，它必須經(jīng)過(guò)革新原有技術(shù)，應(yīng)用新的半導(dǎo)體材料。
總之，世界半導(dǎo)體業(yè)將在這新的十年里閃展騰挪，爭(zhēng)時(shí)立新，人們必須清醒地認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn)，方能不失時(shí)機(jī)地?fù)駲C(jī)而進(jìn)。2011～2012年22nm工藝付諸量產(chǎn)時(shí)，現(xiàn)有的MOS晶體管結(jié)構(gòu)和材料尚可維持，可到2014～2015年15nm時(shí)代以后，就必須要開(kāi)發(fā)提高產(chǎn)品性能的新技術(shù)了。

結(jié)語(yǔ)

        事物總在發(fā)展，生命必有盡頭。摩爾定律是在半導(dǎo)體芯片上通過(guò)傳統(tǒng)手段縮小工藝尺寸以提高其集成度和降低成本，這條道路走不下去了，人們便研究出改變M0S晶體管結(jié)構(gòu)、更換半導(dǎo)體材料以及3D化等不同手段，使半導(dǎo)體工藝微細(xì)化繼續(xù)不斷前進(jìn)。