安森美半導(dǎo)體推出自保護(hù)電子保險絲用于侵入電流限制應(yīng)用

NIS5112集成SENSEFET™高端開關(guān)，
以價廉的電阻芯片替代昂貴的低阻抗分流電路進(jìn)行電流檢測

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）推出SMART HotPlug™系列的新成員NIS5112——集成自保護(hù)、可復(fù)位之電子保險絲，采用內(nèi)置電荷泵驅(qū)動高端N-通道FET。為用于12伏(V)系統(tǒng)而設(shè)計，NIS5112為熱插拔應(yīng)用如企業(yè)級硬盤提供一個高性價比的侵入電流限制解決方案。

安森美半導(dǎo)體Smart HotPlug™產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理Barry Brinkman說：“采用NIS5112，設(shè)計人員只需幾個低成本元件便可得到可靠的分流電路流限制集成解決方案。在該器件推出前，設(shè)計人員需采用多達(dá)11個不同元件的分立元件解決方案。”

NIS5112設(shè)計可以在12 V背板上安全插拔設(shè)備，它采用內(nèi)置SENSEFETTM以價廉電阻芯片，替代較昂貴的低阻抗分流電路實(shí)現(xiàn)有源限流功能。與可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換率耦合，NIS5112使設(shè)計人員可輕易地選擇在多種應(yīng)用中限流水平和輸出電壓的提升速率。NIS5112的輸入電壓范圍為9 V到  18 V，且提供過壓保護(hù)，能在瞬流中運(yùn)行，保護(hù)負(fù)載。此器件也包含控制導(dǎo)通電壓、輸出電流、裸片溫度、導(dǎo)通di/dt和導(dǎo)通dV/dt，及啟動/定時器功能的電路。它提供兩種限熱版本的穩(wěn)健熱保護(hù)電路，即自動重試和鎖存關(guān)閉。

特性
•    集成功率器件
•    熱限制保護(hù) 
•    無須外部分流電路
•    內(nèi)置電荷泵
•    9 V到18 V輸入范圍
•    典型值為30 mΩ

應(yīng)用
•    硬盤
•    計算

封裝和價格
NIS5112D1R2G(鎖存)和NIS5112D2R2G(重試)采用無鉛SO-8封裝，每2,500件的批量單價為$1.15美元。現(xiàn)提供樣品。更多信息，請訪問www.onsemi.com/tech 或聯(lián)系Barry Brinkman (電郵地址barry.brinkman@onsemi.com)。