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安森美半導(dǎo)體推出汽車(chē)級(jí)非同步升壓控制器

—— 能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET
作者: 時(shí)間:2011-08-24 來(lái)源:中電網(wǎng) 收藏

  半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出用于汽車(chē)系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/122908.htm

  是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件,能用于驅(qū)動(dòng)外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門(mén)驅(qū)動(dòng)器提供電荷,它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA),使功耗降至最低。它還具有可同步開(kāi)關(guān)頻率特性,提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本。峰值電流模式控制及內(nèi)部斜坡補(bǔ)償確保這器件在寬汽車(chē)電池電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,并在電流限制值被超過(guò)的情況下,通過(guò)在開(kāi)關(guān)周期的剩余部分關(guān)閉電源開(kāi)關(guān),確保這器件在電流故障條件下受到保護(hù)。這器件還藉熱關(guān)閉機(jī)制(溫度閾值為170 ?C)及3.1 V欠壓鎖定來(lái)提供更多保護(hù)。

  可靈活編程,能根據(jù)要求提供其它不同頻率以供選擇。更多其它選擇包括不同的斜坡補(bǔ)償值、限流設(shè)定點(diǎn),以及配接多種MOSFET的不同門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓。這器件還支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)配置,包括升壓、反激、單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器(SEPIC)及多相。升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下的輸出功率范圍為數(shù)瓦(W)到最高200 W。

  半導(dǎo)體汽車(chē)產(chǎn)品分部總監(jiān)Jim Alvernaz說(shuō):“工作電壓最低達(dá)3.2 V,而市場(chǎng)上其它方案的最低工作電壓通常僅達(dá)4 V,使這器件脫穎而出,極適合發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)/停止應(yīng)用,而且它的高集成度也帶來(lái)其它優(yōu)勢(shì)。以前,工程師的唯一選擇是采用引腳數(shù)量更多、須使用大量外部元器件的更復(fù)雜器件。NCV8871簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程,縮減物料單(BOM),并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。”

  NCV8871的工作結(jié)點(diǎn)溫度范圍為−40 ?C至150 ?C。這器件采用無(wú)鉛、符合RoHS指令的SOIC-9封裝。



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