如何選擇恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器

　　電子應(yīng)用設(shè)計(jì)人員現(xiàn)今面臨的一項(xiàng)極重要挑戰(zhàn)是將電子系統(tǒng)能耗降至最低。為了達(dá)到此目的，大多數(shù)系統(tǒng)利用不同的低功率模式，幫助降低整體功耗。在利用不同工作模式時(shí)，系統(tǒng)供電電流差異極大，低者如休眠模式下僅為數(shù)微安(μA)或不足1微安，高者如完整功率模式下達(dá)數(shù)十毫安(mA)甚至數(shù)百毫安。低壓降線性穩(wěn)壓器(通常簡(jiǎn)稱為LDO)是任何電源系統(tǒng)的常見(jiàn)構(gòu)建模塊，而線性穩(wěn)壓器的選擇對(duì)系統(tǒng)總體能耗有重要影響。不僅如此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)常常要求LDO不僅具有超低靜態(tài)電流特性，還應(yīng)當(dāng)提供良好的動(dòng)態(tài)性能，確保提供穩(wěn)定及無(wú)噪聲的電壓輸入端，適合敏感電路應(yīng)用。這些要求還常常相互排斥，為IC設(shè)計(jì)人員帶來(lái)切實(shí)的挑戰(zhàn)。因此，市場(chǎng)上同時(shí)滿足兩方面要求的LDO為數(shù)不多。

　　本文將探討在選擇LDO時(shí)需要在提供低IQ與良好動(dòng)態(tài)性能之間進(jìn)行的折衷，及現(xiàn)時(shí)一些能達(dá)至可接受的平衡的技巧。

　　選擇LDO時(shí)要顧及的因素

　　為低功率應(yīng)用選擇線性穩(wěn)壓器時(shí)，工程師主要搜尋符合他們輸入電壓及輸出電流規(guī)格的超低IQ(本文的定義是靜態(tài)電流IQ<15 μA) LDO。當(dāng)根據(jù)IQ規(guī)格來(lái)進(jìn)行選擇可提供一些很好的LDO電流消耗相關(guān)的初始信息，但I(xiàn)Q相同或近似的兩款LDO在動(dòng)態(tài)性能方面可能差異很大。如果我們回想起來(lái)IQ的定義是沒(méi)有施加任何負(fù)載條件下的接地電流消耗，那么IQ就變成一個(gè)實(shí)際參數(shù)了。在實(shí)際案例中，可能更適宜于查看極輕載條件下的接地電流消耗(數(shù)微安至數(shù)百微安)。需要說(shuō)明的是，在評(píng)估不同制造商的各種LDO產(chǎn)品后，不難發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)表中的IQ規(guī)格僅針對(duì)的是完美的空載條件，而非較真實(shí)的10至100 μA輸出負(fù)載。某些時(shí)候，知道與輸入電壓或溫度相關(guān)的接地電流特性也有實(shí)質(zhì)意義。市場(chǎng)上某些穩(wěn)壓器在輸入電壓下降時(shí)接地電流明顯增大，LDO進(jìn)入其壓降區(qū)。在選擇用于電池供電設(shè)備的LDO時(shí)，這可能是重要因素。其它意料之外的電流消耗可能對(duì)產(chǎn)品有負(fù)責(zé)影響，大幅縮短電池使用時(shí)間。如果應(yīng)用在大部分時(shí)間處于空閑或休眠狀態(tài)，僅消耗極小電流，這種意料之外的影響就尤為嚴(yán)重了。設(shè)計(jì)人員應(yīng)常閱讀數(shù)據(jù)表的IQ規(guī)格，而且若有可能，在決定選擇某個(gè)特定LDO之前，還要審查相關(guān)的IQ與ILOAD對(duì)比圖表。

　　超低IQ LDO的動(dòng)態(tài)性能參數(shù)

　　影響超低IQ LDO穩(wěn)壓器動(dòng)態(tài)性能參數(shù)主要有兩項(xiàng)因素。一是使用的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。安森美半導(dǎo)體的大多數(shù)超低IQ LDO采用的是先進(jìn)的CMOS或BiCMOS技術(shù)，并提供針對(duì)低功耗、高速電源管理IC優(yōu)化的特定工藝流程。雖然恰當(dāng)?shù)募夹g(shù)選擇必不可少，但很明顯的是，這還不能確保LDO穩(wěn)壓器具有良好的動(dòng)態(tài)性能。確定最終性能的第二個(gè)關(guān)鍵是設(shè)計(jì)LDO時(shí)應(yīng)用的設(shè)計(jì)技術(shù)，而這來(lái)自于此領(lǐng)域的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)領(lǐng)域擁有40多年的經(jīng)驗(yàn)，最新世代的器件同時(shí)提供超低噪聲、良好的電源抑制比(PSRR)及超低IQ。為了詳細(xì)闡明這一點(diǎn)，下文將探討不同類型穩(wěn)壓器的動(dòng)態(tài)性能。　　

 　　不同類型的超低IQ LDO簡(jiǎn)介

　　1) 恒定偏置LDO穩(wěn)壓器
　　傳統(tǒng)上的超低IQ CMOS LDO使用恒定偏置(constant biasing)原理。這表示在能夠提供的輸出電流范圍內(nèi)，接地電流消耗保持相對(duì)恒定。如MC78LC或NCP551器件，各自的接地電流IGND(或靜態(tài)電流IQ)分別為1.5 μA和4 μA。這些器件非常適合性能要求相對(duì)不那么嚴(yán)格的電池供電應(yīng)用。它們的主要劣勢(shì)是動(dòng)態(tài)性能較差，如負(fù)載及線路瞬態(tài)、PSRR或輸出噪聲等。通常可以使用較大的輸出電容來(lái)調(diào)節(jié)動(dòng)態(tài)性能。圖1顯示了通過(guò)將輸出電容由1 μF增加至100 μF來(lái)改善MC78LC的負(fù)載瞬態(tài)過(guò)沖及欠沖。

　　但提升輸出電容COUT并不總是能夠提供想要的性能，甚至還可能更麻煩，因可能需要增加額外保護(hù)二極管，或某些應(yīng)用要求快速設(shè)定時(shí)間、小尺寸方案或小浪涌電流。在這些情況下，推薦使用后文提到的一些更新的LDO。

　　2) 正比例偏置LDO穩(wěn)壓器
　　為了改善恒定偏置(恒定IGND) LDO較弱的動(dòng)態(tài)性能，一些相對(duì)較新器件的接地電流與輸出電流成正比例地變化。這樣的LDO有如安森美半導(dǎo)體的NCP4681及NCP4624，兩者的典型靜態(tài)電流分別為1 μA和2 μA。圖2顯示了正比例IGND LDO所使用的概念。這些器件被設(shè)計(jì)為在輸出電流IOUT > 2 mA時(shí)IGND開(kāi)始上升。這就確保LDO在輕載時(shí)的電流消耗實(shí)際上恒定，符合數(shù)據(jù)表中的IQ規(guī)格。