英飛凌推出新一代DrMOS器件DrBlade

　　英飛凌科技股份公司 (FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY)近日在2013應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動(dòng)器及MOSFET VR功率級(jí)。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動(dòng)器技術(shù)及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達(dá)到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計(jì)算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機(jī)架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機(jī)等?！　?/p>本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/143600.htm

 

　　全新Blade封裝技術(shù)

　　英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術(shù)，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標(biāo)準(zhǔn)的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術(shù)。此外，芯片也以疊層薄片進(jìn)行保護(hù)。其結(jié)果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時(shí)還降低熱阻。

　　英飛凌低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術(shù)的集成了驅(qū)動(dòng)器及MOSFET半橋的半導(dǎo)體公司。DrBlade的推出可提升服務(wù)器應(yīng)用在全負(fù)載范圍的效率，再度證明我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

　　節(jié)省空間，提高效率

　　DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計(jì)算系統(tǒng)對(duì)于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術(shù)，再結(jié)合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場(chǎng)的最佳穩(wěn)壓解決方案。

　　上市時(shí)間與定價(jià)

　　DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。