AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產品

　　萬國半導體(AOS)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS™ (?MOS™)中壓系列旗艦產品，為眾多設備追求極致效率提供了解決方案。AON6250適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉換器原邊開關、AC/DC及DC/DC轉換器副邊同步整流，太陽能微逆變器，以及通信系統(tǒng)中的負載點模塊(POL)。

　　采用先進的AlphaMOS™技術，AON6250實現(xiàn)了業(yè)界領先的低導通內阻和高速開關性能。該產品與上一代產品相比，內阻降低了57%;與市場上現(xiàn)有最先進的同類型150V器件相比，內阻降低了8% ，除此之外， AON6250的優(yōu)值(RDS(ON) * COSS)也是市場上最好的，從而可以有效降低開關損耗。因此無論是輕載條件還是重載條件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝，符合綠色環(huán)保產品相關規(guī)定，且電氣性能方面100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試。繼AON6250之后，萬國半導體(AOS)將發(fā)布一系列150V MOSFET產品。.

　　“終端客戶總是要求電源系統(tǒng)輸出更高功率并且占用更小的空間，這讓電源設計工程們面臨嚴峻考驗” , AOS高級產品經理Stephen表示， “實現(xiàn)其功率密度，需要器件具有極低的導通內阻以及良好的開關性能，AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”　　

 

　　AON6250 技術優(yōu)勢:

　　150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package
　　RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業(yè)內最低內阻)
　　COSS = 213 pF typ
　　Qg (10V) = 30.5 nC typ
　　業(yè)內最低 RDS(ON) * COSS (優(yōu)值, 可以有效降低開關損耗)
　　100%經過柵極電阻測試以及UIS雪崩能力測試