新聞中心

EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > FPGA架構(gòu)的功耗及影響功耗的用戶選擇方案

FPGA架構(gòu)的功耗及影響功耗的用戶選擇方案

作者: 時(shí)間:2010-09-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  7 Block RAM的構(gòu)建

  多個(gè)Block RAM常??梢越M合起來(lái)構(gòu)成一個(gè)大型RAM。組合的方式可以對(duì)意義重大。時(shí)序驅(qū)動(dòng)的方法是并行訪問(wèn)所有RAM。例如,可以用4個(gè)2k×9 RAM構(gòu)成一個(gè)2k×36 RAM。這個(gè)較大RAM的訪問(wèn)時(shí)間與單個(gè)Block RAM相同;然而,其每次訪問(wèn)的卻相當(dāng)于4個(gè)Block RAM的之和。

  一種低功耗的解決是用4個(gè)512×36b RAM 構(gòu)成同樣的2k×36b RAM。每次訪問(wèn)都會(huì)預(yù)先解碼,以訪問(wèn)4個(gè)Block RAM之一。盡管預(yù)解碼延長(zhǎng)了訪問(wèn)時(shí)間,但較大RAM每次訪問(wèn)的功耗卻與單個(gè)Block RAM大致相同。

  低功耗研究

  1 降低電壓

  降低電壓是減少功耗的最有效方式之一,而且隨之而來(lái)的性能下降對(duì)許多并不要求最高性能的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是可以接受的。不過(guò),目前的工作電壓范圍很小,在某些電壓敏感型電路上還不能使用。

  在Xilinx研究實(shí)驗(yàn)室,CLB電路被重新設(shè)計(jì)成能在降低許多的電壓下工作,以便在較低功耗情況下提供寬裕的性能權(quán)衡余地。例如,對(duì)于90nm工藝,電壓下降200mV可降低功耗40%,最高性能損失25%;電壓下降400mV可降低功耗70%,最高性能損失55%。

  2 細(xì)粒度電源開關(guān)

  可編程邏輯設(shè)計(jì)特有的開銷之一是并非所有片上資源都用于給定的設(shè)計(jì)??墒牵词褂玫馁Y源保持供電狀態(tài),并以漏電功耗的形式增加了總功耗。模塊級(jí)電源開關(guān)可分別關(guān)掉未使用模塊的供電。每個(gè)模塊通過(guò)一個(gè)電源開關(guān)耦接到電源。開關(guān)閉合時(shí),該模塊工作。開關(guān)斷開時(shí),該模塊從電源有效斷開,從而使漏電功耗降到1/50~1/100。電源開關(guān)的粒度可以小到單個(gè)CLB和Block RAM。在設(shè)計(jì)中,這些電源開關(guān)可以通過(guò)配置比特流進(jìn)行編程,也可由直接控制或通過(guò)訪問(wèn)端口控制。實(shí)際設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果表明,細(xì)粒度電源開關(guān)可減少漏電功耗30%。

  3 深睡眠模式

  便攜電子產(chǎn)品的主要要求之一是器件空閑時(shí)功耗極低或無(wú)功耗。以Xilinx Spartan-3A 為例,該芯片可通過(guò)進(jìn)入休眠模式來(lái)達(dá)到此目的,這需要外部控制,蘇醒緩慢,且不能恢復(fù)狀態(tài)。設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)控制上述細(xì)粒度電源開關(guān),令其關(guān)閉所有內(nèi)部模塊供電,僅保留配置和電路狀態(tài)存儲(chǔ)組件為供電狀態(tài)。這樣形成的狀態(tài)是一種深睡眠模式,其漏電功耗為額定功耗的1%~2%,保存FPGA狀態(tài),退出此模式僅需數(shù)微秒。

  4 異構(gòu)

  電路的最高時(shí)鐘頻率取決于其時(shí)序關(guān)鍵型路徑的延遲。非關(guān)鍵型路徑的速度可以較慢而不整體芯片性能。在大型系統(tǒng)中,可以有幾個(gè)速度關(guān)鍵型模塊(如處理器中的數(shù)據(jù)通路),其他模塊可以是非關(guān)鍵型(如緩存)。

  當(dāng)今的FPGA就功耗和速度而言是相同的;每個(gè)CLB 均有同樣的功耗和速度特性。異構(gòu)可降低功耗,這種包含一些低功耗(同時(shí)也較慢)的模塊,方法是在低功耗模塊中實(shí)現(xiàn)非關(guān)鍵型模塊。這樣做不整體芯片性能,因?yàn)闀r(shí)序關(guān)鍵型模塊并未損失性能。

  創(chuàng)建異構(gòu)架構(gòu)的一種方法是,分配兩條核心供電軌,即一條高電壓軌(VDDH)和一條低電壓軌(VDDL)。FPGA的每個(gè)器件用嵌入式電源開關(guān)這二者之一,并相應(yīng)采用高速度或低功耗特性。設(shè)計(jì)的詳細(xì)時(shí)序確定之后,電壓便告完成,所以只有非關(guān)鍵型模塊才應(yīng)以VDDL供電。

  創(chuàng)建異構(gòu)架構(gòu)的另一種方法是,將FPGA分成不同的區(qū),并將這些區(qū)分別預(yù)制為具有高速度和低功耗特性。可以用不同電源電壓、不同閾值或通過(guò)若干其他設(shè)計(jì)權(quán)衡條件來(lái)實(shí)現(xiàn)這些區(qū)。要避免性能下降,設(shè)計(jì)工具必須將設(shè)計(jì)的時(shí)序關(guān)鍵型器件映像成高速度區(qū),而將非關(guān)鍵型器件映射成低功耗區(qū)。

  5 低擺幅信令

  隨著FPGA容量增加,片上可編程互連的功耗越來(lái)越大。減少這種通信功耗的一種有效方法是使用低擺幅信令,其中導(dǎo)線上的電壓擺幅比電源電壓擺幅低得多。現(xiàn)今,低擺幅信令常見(jiàn)于在高電容性導(dǎo)線(如總線或片外鏈接)上進(jìn)行通信的情況。低擺幅驅(qū)動(dòng)器和接收器比CMOS 緩沖器更復(fù)雜,所以占用更多芯片面積。但是,隨著片上互連逐漸成為總體功耗的較大組成部分,低擺幅信令的功耗優(yōu)勢(shì)將證明增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性是值得的。當(dāng)然,F(xiàn)PGA不會(huì)看到內(nèi)部信號(hào)電壓的差異。

  圖3所示為具有上述某些概念的FPGA架構(gòu),其可編程異構(gòu)架構(gòu)由高速度和低功耗兩個(gè)區(qū)組成。一個(gè)片上功耗模式控制器可管理各種降功耗模式,即深睡眠模式、懸掛模式和休眠模式。在架構(gòu)內(nèi)部,可以用專用的供電開關(guān)關(guān)掉每個(gè)邏輯塊的電源。通過(guò)布線架構(gòu)的通信信號(hào)流經(jīng)低擺幅驅(qū)動(dòng)器和接收器,以降低互連功耗。

  

  圖3 具有多種降低功耗解決的概念架構(gòu)

  結(jié)論

  除了目前用于現(xiàn)代FPGA設(shè)計(jì)的能源優(yōu)化,一些設(shè)計(jì)決策也可以產(chǎn)生顯著的功耗效益。可以預(yù)見(jiàn),未來(lái)的新技術(shù)中會(huì)有更大膽地遏制功耗的架構(gòu)解決方案,從而使新的FPGA應(yīng)用成為可能。


上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉