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大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2009-05-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

(3) 刷新間隔設(shè)置。關(guān)于刷新間隔值(DIR)的計(jì)算在手冊(cè)中是這樣給出的:

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/152475.htm


目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是,存儲(chǔ)體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64 ms,也就是說(shuō)每一行刷新的循環(huán)周期是64 ms。這樣刷新速度為:64 ms/行數(shù)量。由于行地址有13位(在MDCNFG寄存器的DRACO[1:0]中設(shè)置,需要與硬件一致),所以每行的的刷新時(shí)間為64 ms/213=64 ms/8 192=7.812 5/μs,則7.812 5μs×100 MHz/32=0x18,這樣就得到了的DRI值。


(4) 潛伏期的設(shè)置。潛伏期是指在讀寫過程中所存在的延遲,潛伏期的時(shí)間長(zhǎng)度是由以下幾個(gè)參數(shù)共同決定的:
CL:在選定列地址后,就已經(jīng)確定了具體的存儲(chǔ)單元,剩下的事情就是數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)I/O通道(數(shù)據(jù)總線)輸出到內(nèi)存總線上。但是在CAS發(fā)出之后,仍要經(jīng)過一定的時(shí)間才能有數(shù)據(jù)輸出,從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸出的這段時(shí)間被稱為讀取潛伏期。tRP:在發(fā)出預(yù)充電命令之后,要經(jīng)過一段時(shí)間才能允許發(fā)送行有效命令打開新的工作行,這個(gè)間隔被稱為預(yù)充電有效周期(Precharge command Period)。tRCD:在發(fā)送列讀寫命令時(shí)必須要與行有效命令有一個(gè)間隔,這個(gè)間隔被定義為tRCD,即RAS to CASDelay(RAS至CAS延遲),也可以理解為行選通周期。tRAS:行有效至預(yù)充電命令間隔周期。tRC:包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個(gè)過程所需要的時(shí)間。
所有參數(shù)可以從數(shù)據(jù)手冊(cè)得到,計(jì)算出理論潛伏期時(shí)長(zhǎng)為200/μs。


(5)其他設(shè)置


設(shè)置操作的入口點(diǎn),這里用到的虛擬地址需要與中建立的映射表相對(duì)應(yīng)。
3.2 BSP內(nèi)代碼的實(shí)現(xiàn)
Windows cE系統(tǒng)啟動(dòng)中,對(duì)的操作分為兩個(gè)部分:首先對(duì)SDRAM的物理空間進(jìn)行分配;其次將SDRAM所對(duì)應(yīng)的物理地址轉(zhuǎn)換為虛擬地址。
3.2.1 地址的分配
地址的分配和系統(tǒng)加載的順序有著密切的關(guān)系。首先要在內(nèi)存中開辟一段空間用來(lái)存放啟動(dòng)代碼BootLoader,它被存放在sDRAM的第一個(gè)區(qū)域空間內(nèi)。當(dāng)發(fā)生外部復(fù)位中斷時(shí)系統(tǒng)會(huì)從這里重新開始運(yùn)行。其次分配操作系統(tǒng)內(nèi)核空間,它被存放在SDRAM的第二個(gè)區(qū)域,以便使BootLoader能夠順利加載操作系統(tǒng)內(nèi)核。分配地址空間根據(jù)所建立系統(tǒng)內(nèi)核來(lái)確定。剩余的內(nèi)存空間用來(lái)存放系統(tǒng)下的程序。
3.2.2 地址的映射
在操作系統(tǒng)中,需要把SDRAM的空間連續(xù)起來(lái)并作為首地址,不僅方便內(nèi)存管理,而且當(dāng)程序申請(qǐng)大塊內(nèi)存時(shí),操作系統(tǒng)內(nèi)核也可方便的分配。這就引入了將不連續(xù)的物理地址空間映射為連續(xù)的虛擬地址空間。PXA255的SDRAM起始物理地址OxA0000000,可將其映射為0x80000000,這里0x80000000將作為系統(tǒng)虛擬空間的起始地址,當(dāng)有IRQ中斷發(fā)生時(shí),系統(tǒng)PC指針會(huì)重新指向這個(gè)地址。需要注意的是這里分配的虛擬地址要與啟動(dòng)代碼中BootLoader中所使用的虛擬地址對(duì)應(yīng)起來(lái)。

3.2.3 軟件的移植
針對(duì)于PXA27x系列的高端處理器,微軟在Plat-Build 5.0中給出了相對(duì)應(yīng)的內(nèi)核代碼雖然在內(nèi)核代碼的架構(gòu)上有了很大的變化,但對(duì)于擴(kuò)展SDRAM的思想并沒有改變,首先在BootLoader中初始化所使用的SDRAM,其次在BSP內(nèi)建立地址映射表。


4 結(jié) 語(yǔ)
介紹了在嵌入式Windows 系統(tǒng)平臺(tái)上,使用SDRAM作為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的方案。詳細(xì)介紹了sDRAM硬件連接方案以及軟件接口的實(shí)現(xiàn)。該方案已經(jīng)在工程中投入使用,其可以在同類的嵌入式高端產(chǎn)品中推廣使用。


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