時(shí)序產(chǎn)品演進(jìn)到單晶片MEMS振蕩器時(shí)代

　　近日，Silicon Labs推出了一款全新的產(chǎn)品，基于MEMS的單晶片Si50x振蕩器，克服了此前的頻率控制產(chǎn)品中石英振蕩器高成本和難以小型化的缺點(diǎn)以及雙晶片MEMS振蕩器帶來(lái)的信號(hào)完整性和熱滯問(wèn)題。Si50x基于Silicon Labs專(zhuān)利的CMEMS技術(shù)，首次在大批量生產(chǎn)中把MEMS架構(gòu)直接構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓上，從而獲得完全集成的高可靠“CMOS+MEMS”單晶片解決方案。

　　Silicon Labs副總裁兼時(shí)序產(chǎn)品總經(jīng)理Mike Petrowski介紹，Si50x與現(xiàn)有的頻率控制解決方案相比，具有更小尺寸、更高可靠性、更高集成度。此系列產(chǎn)品共包括四類(lèi)：具有輸出使能功能的單頻率振蕩器Si501、具有OE和頻率選擇功能的雙頻率振蕩器Si502、具有FS技術(shù)的四頻率振蕩器Si503和可實(shí)時(shí)進(jìn)行頻率精確調(diào)整的完全可編程振蕩器Si504。

　　Mike對(duì)于Si50x為什么會(huì)具有高可靠性做了詳細(xì)的解釋?zhuān)湟籗i50x采用SiGe材料，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，芯片上的SiGe會(huì)變硬，而其中的氧化槽則會(huì)變軟，這一軟一硬的相互被動(dòng)補(bǔ)償，可以使器件的頻率漂移接近于0;其二整個(gè)MEMS直接架構(gòu)于CMOS之上，非常接近的距離使溫度傳感器的工作效率更高，響應(yīng)速度更快;其三，固定方式的不同，傳統(tǒng)的晶體振蕩器只有2個(gè)錨點(diǎn)，而Si50x由周?chē)膫€(gè)加中心一個(gè)的5錨點(diǎn)固定，更耐得住沖擊和振動(dòng)。

　　Mike介紹說(shuō)，兩年前公司就開(kāi)始和中芯國(guó)際合作開(kāi)發(fā)采用CMEMS技術(shù)的生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了MEMS振蕩器可以在CMOS工廠大批量生產(chǎn)制造，從而大幅降低了生產(chǎn)成本。初次采用CMEMS技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的Si50x產(chǎn)品經(jīng)過(guò)試驗(yàn)具備非常出色的性能，未來(lái)會(huì)將其用于其他產(chǎn)品系列的生產(chǎn)中，也會(huì)帶來(lái)性能的大幅提升。