基于3G手機(jī)的RF屏蔽設(shè)計(jì)

　　最后的任務(wù)是對(duì)不帶屏蔽的TxM進(jìn)行輻射測(cè)量并將結(jié)果與采用MicroShield集成RF屏蔽技術(shù)的TxM進(jìn)行對(duì)比。為實(shí)施準(zhǔn)確測(cè)量，必須避免待測(cè)PCB上從連接器和其它板上電路造成的RF功率泄漏；因此，為進(jìn)行這些測(cè)量所設(shè)計(jì)的測(cè)試板包含若干獨(dú)立屏蔽容器，如圖5所示。

　　全部輻射測(cè)量都是在丹麥哥本哈根的Delta Technologies進(jìn)行的。被測(cè)設(shè)備放在不吸收和不反射材料的表面(圖6)。在該測(cè)試中，RFMD的另一款TxM產(chǎn)品(RF3282)用作測(cè)試載體。

　　圖7顯示的是發(fā)自RF3282 TxM的輻射功率。紅色圖表示沒有屏蔽的TxM，藍(lán)色圖表示的是采用MicroShield屏蔽的TxM。注意：為更清楚地顯示兩種被測(cè)器件的差異，藍(lán)色圖被稍微右移。如圖所示，MicroShield集成RF屏蔽顯著降低了輻射功率。在10.5GHz僅有一個(gè)示警。它昭示著這兩種情況：或是存在另一種模式(腔模式)，或是結(jié)果也許與流經(jīng)屏蔽表面的地電流相關(guān)。但無(wú)論如何，對(duì)輻射功率的平均衰減可達(dá)15dB或更高。

　　我們討論了MicroShield屏蔽技術(shù)在抑制EMI和RFI方面的優(yōu)勢(shì)，該技術(shù)提升了滿足規(guī)約要求的能力。另外，MicroShield集成RF屏蔽還同時(shí)把外部EMI/RFI干擾的影響降至最低，從而弱化了手機(jī)設(shè)計(jì)中存在的性能漂移問題。

　　因手機(jī)設(shè)計(jì)師和制造商越來(lái)越依賴手機(jī)平臺(tái)來(lái)滿足其時(shí)間和成本要求，所以器件對(duì)PCB布局的敏感性是個(gè)關(guān)鍵因素。過(guò)去，當(dāng)這些平臺(tái)被用于不同手機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)，性能會(huì)被打折，具體表現(xiàn)在EMI和RFI輻射通常成為性能不一致的主要誘因。借助支持MicroShield的RF器件，手機(jī)制造商有能力像安放對(duì)EMI/RFI不敏感的任何器件一樣，安放高度復(fù)雜的RF模塊，從而提供了一種真正、可包容PCB改變和布局變化的“即插即用”方案。通過(guò)規(guī)避對(duì)PCB布局的敏感性，MicroShield避免了重新調(diào)節(jié)電路的風(fēng)險(xiǎn)，因此，加快了上市進(jìn)度并降低了RF實(shí)現(xiàn)的成本。