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L波段寬帶低相噪VCO的設計與制作

作者: 時間:2009-04-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

由于在仿真時僅僅進行了電路仿真,許多的寄生效應沒有考慮,在較寬頻帶內(nèi)得到的仿真結果與實際情況在數(shù)值上有一定差別,但是它可以方便地給出各種元件組合所能達到的效果,此外仿真還能給出有無寄生振蕩等其他信息。

4 電路及測試結果分析
在CAD軟件仿真的基礎上,進行實物。利用此種電路拓撲,通過選擇不同形狀大小的微帶電感和變?nèi)莨茉?,開發(fā)出了800~1 600 MHz、1 000~2 000 MHz、1 200~2 100 MHz三種產(chǎn)品。圖5給出了l 000~2 000 MHz 的實物圖,圖6給出了1000~2 000 MHz 在VT=6 V時的實測曲線。在偏離載頻10 kHz處相位噪聲為一102 dBc/Hz。由于大幅提高了諧振電路的Q值,其相位噪聲較原有的基于薄膜工藝的同類產(chǎn)品提高了5 dB以上。同時由于采用了雙端口調(diào)諧及可變電容反饋的引入,使其能在倍頻程帶寬內(nèi)穩(wěn)定地工作。

5 結論
此種電路結構在雙端口調(diào)諧的基礎上,通過引入可變電容反饋,實現(xiàn)了電路的超。合理選擇諧振器電容電感比,并利用在低損耗的介質(zhì)基板上實現(xiàn)小的電感以獲得高Q的諧振器,從而降低了VCO相位噪聲?;诖朔椒軌蜉^為方便地實現(xiàn)L系列VCO,基于此法開發(fā)出的三種寬帶低VCO產(chǎn)品已經(jīng)獲得了應用。


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