中國(guó)發(fā)明新晶體管 提高芯片制造話語權(quán)
根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息,在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中,中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解,這項(xiàng)發(fā)明將有助于我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù),讓中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)和制造能力在國(guó)際上去的更多的話語權(quán)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/159169.htm負(fù)責(zé)該項(xiàng)目的復(fù)旦大學(xué)教授王鵬飛說:“國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國(guó)外成熟的技術(shù),在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管的成功研制將有助我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù),從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。”
根據(jù)王鵬飛教授介紹,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前集成電路中的主流器件,過去幾年的工藝進(jìn)步,讓晶體管的尺寸不斷的縮小,越來越接近物理極限,這樣才迫切需求并催生出新的結(jié)構(gòu)和原理的晶體管,半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內(nèi)嵌一個(gè)廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)制成。它的優(yōu)勢(shì)在于體積可更小,結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,讀寫速度更快,且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。
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