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D類音頻系統(tǒng)中斬波運放電路的設(shè)計

作者: 時間:2010-06-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2.減小輸入電阻;

3.減小斬波開關(guān)的電荷注入效應(yīng)。

由于MOS管1/f噪聲的拐角頻率一般都在幾十KHz以上,減小斬波頻率不能很好地對1/f噪聲進行調(diào)制,而輸入電阻只與信號源內(nèi)阻有關(guān),在中很難將輸入電阻降低,因此只能考慮減小開關(guān)的電荷注入效應(yīng)。為此輸入斬波開關(guān)采用互補時鐘結(jié)構(gòu),在尺寸上使用最小線寬,一方面能夠減小傳輸?shù)膶?dǎo)通電阻,提供較大的電壓擺幅;另一方面減小了電荷注入和饋通的影響,降低了殘余電壓失調(diào)??紤]到PMOS管比NMOS管的1/f噪聲特性好,所以輸入管MP1和MP2采用大面積的PMOS管,既能減小因器件的失配引起的電壓失調(diào),又可以降低晶體管1/f噪聲的拐角頻率,改善運放的噪聲特性。

為了更小地降低殘余電壓失調(diào),fold―cascode運放的輸出采用T/H解調(diào)技術(shù),結(jié)構(gòu)和時序如圖4。該的工作原理:在跟蹤信號時K1~K4閉合,K5~K8斷開,輸出信號保持在電容C1和C2上,當輸出時,K1~K4斷開,K5~K8閉合,C1和C2的電壓值加載到負載電容C3上求和。由于C2上的電壓疊加到負載電容時經(jīng)過了反向,因此放大器的殘余電壓失調(diào)能夠有效地抵消。由于解調(diào)器采用高阻結(jié)點斬波。因此可以使用較小面積的NMOS管開關(guān),減小對輸出極點的影響。

主運放采用全差分折疊式cascode結(jié)構(gòu),在Class-D的結(jié)構(gòu)中,由于輸出功率MOSFET大電流的頻繁開啟,產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)會在電源上形成很強的紋波,在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)當芯片工作在5V的電源電壓下,EMI引起的電源波動能達到±2V,全差分結(jié)構(gòu)既可以提高運放的電源抑制比和共模抑制比,減弱電源噪聲和共模噪聲的影響,而且避免了鏡像極點,因而對于更大的帶寬仍能表現(xiàn)出穩(wěn)定的特性。

為了提供更高的增益和電壓輸出擺幅,在fold-cascode后加入共源運放輸出級。采用二級運放后.對運放的頻率穩(wěn)定性進行分析。暫時不考慮斬波開關(guān)的影響,可以推斷該電路至少有三個LHP極點,它們分別是miller補償電容引入的主極點Wp1,輸出濾波電容產(chǎn)生的輸出極點Wpout。為第一非主極點,以及folded-cascode(MN1的漏端、MN3的源端)引入的非極點Wp3,三者之間的關(guān)系為Wp1WpoutWp3。另外從電路可以看出,在共源輸出級產(chǎn)生了一個低頻的RHP零點,通過引入miller補償電阻將此零點從右半平面移動到左半平面并抵消第二極點。為了進一步減小高頻干擾,輸出級通過電容接地,濾除高頻信號。

共模反饋電路由MN7~MN10、MP10-MP12構(gòu)成,輸入一端接VDD/2的基準電壓,另一端接主運放的共模輸出,共模檢測電路由電阻和電容構(gòu)成.經(jīng)過誤差放大后調(diào)控主運放的偏置電流。

4 仿真結(jié)果及版圖

在SMIC O.35微米N阱工藝下.利用cadence spectre工具對本文所的電路進行了仿真分析。其中,各器件的工藝參數(shù)為典型情況,電源電壓5V,輸入信號為幅度10uV,頻率為1KHz的標準正弦波,斬波頻率fch=150K,仿真波形如圖5和圖6所示。

運放的幅頻

圖5 運放的幅頻~相頻特性曲線

斬波輸出波形

圖6 斬波輸出波形

從圖5可以看出,在典型情況下,該運放的主極點在10HZ以內(nèi),相位裕度75度左右.能充分保證運放在各個comer條件下的穩(wěn)定性。從輸fn波形來看,斬波引起的殘余電壓尖峰也有了明顯的改善。表1為運放的開環(huán)仿真結(jié)果。

表1運放開環(huán)仿真結(jié)果

運放開環(huán)仿真結(jié)果

該電路的版圖采用SMIC 0.35um工藝規(guī)則設(shè)計并對版圖進行優(yōu)化,襯底接地采用全封閉的double gardring,有效降低了襯底的耦合噪聲,差分對采用啞柵共質(zhì)心匹配降低輸入電壓失調(diào)。另外,為了減小外圍電路對運放的干擾,將后后級的濾波電容分散在運放電路的周圍,優(yōu)化后的版圖面積為0.24mmx0.34mm,概貌如圖7。

 版圖布局

圖7 版圖布局

5 結(jié)論

D類功放的1/f噪聲和電壓失調(diào)對信號的失真和噪聲性能產(chǎn)生直接的影響,特別是在輸入信號為零時的背景噪聲最為明顯,通過采用全差分斬波運放電路和T/H解調(diào)技術(shù),有效地降低了的低頻噪聲和電壓火調(diào)。流片后的對芯片的測試表明,該電路使Class-D的噪聲性能有了很大的改善。

本文作者創(chuàng)新點:采用全差分斬波運放電路和T/H解調(diào)技術(shù),有效地降低了D類的低頻噪聲和電壓失調(diào)。

項目經(jīng)濟效益:本項目已流片成功,根據(jù)Forward Concepts lnc數(shù)據(jù)顯示2008年全球D類功放的總產(chǎn)值高達8億美金。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/166696.htm

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