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基于單片機的系統(tǒng)擴展

作者: 時間:2010-12-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

一、實驗?zāi)康?br /> 1、學(xué)習(xí)片外存貯器方法。
2、學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存貯器不同的讀寫方法。
3、學(xué)習(xí)片外程序存貯器的讀方法。
二、實驗內(nèi)容
1.實驗原理圖:

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/173102.htm



2、實驗內(nèi)容
(1)使用一片2764EPROM,作為片外的程序存貯器,對其進行讀。
(2)使用一片6264RAM,作為片外的數(shù)據(jù)存貯器,對其進行讀寫(使用鍵盤監(jiān)控命令和程序運行兩種方法)。
3、實驗說明
(1)在使用鍵盤監(jiān)控命令讀片外擴展的程序存貯器2764中內(nèi)容時,由于本中該程序存貯器作為用戶目標的程序存貯器,因此DVCC必須處于仿真2狀態(tài),即“H.....”態(tài),用MEM鍵即可讀出。
(2)在使用鍵盤監(jiān)控命令讀寫片外擴展的數(shù)據(jù)存貯器6264中的內(nèi)容時,由于本系統(tǒng)中該數(shù)據(jù)存貯器作為用戶目標系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯器,因此DVCC系統(tǒng)處于仿真1態(tài)(“P.....”態(tài))或仿真2態(tài)(“H.....”態(tài)),用ODRW鍵即可讀寫。
(3)讀寫數(shù)據(jù)的選用。
本實驗采用的是55H(0101,0101)與AAH(1010,1010),一般采用這兩個數(shù)據(jù)的讀寫操作就可查出數(shù)據(jù)總線的短路、斷路等,在實驗調(diào)試用戶電路時非常有效。
(4)在仿真1態(tài)即“P.....”狀態(tài)下,編寫程序?qū)ζ鈹U展的數(shù)據(jù)存貯器進行讀寫,若L1燈閃動說明RAM讀寫正常。
三、程序
程序清單:
ORG 0C80H
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
MOV A,#55H
RAM1: MOV R7,#0FFH
RAM2: MOVX @DPTR,A
CLR P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM2
DJNZ R6,RAM1
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
RAM3: MOV R7,#0FFH
RAM4: MOVX A,@DPTR
CJNE A,#55H,RAM6
SETB P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM4
DJNZ R6,RAM3
RAM5: CLR P1.0
CALL DELAY
SETB P1.0
CALL DELAY
SJMP RAM5
DELAY: MOV R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
DJNZ R4,$
DJNZ R5,DELAY1
RET
RAM6: SETB P1.0
SJMP RAM6
END
四、實驗步驟
1、片外擴展程序存貯器的讀。
(1)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS2區(qū)XD0—XD7,同樣用排線將A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7,A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
(2)PGM插孔連到+5V插孔。
(3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(4)OE插孔連到BUS3區(qū)XPSEN插孔。
(5)在DVCC系統(tǒng)處于“P”狀態(tài)下,按F1鍵進入仿真2態(tài)(“H.....”狀態(tài))。
(6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內(nèi)容。
2、片外擴展數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用鍵盤監(jiān)控命令)
(1)取出RAM/EPROM區(qū)中的實驗監(jiān)控,再插上數(shù)據(jù)存貯器6264。
(2)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS1區(qū)XD0—XD7,A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7,A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
(3)WE插孔與BUS3區(qū)XWR相連。
(4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(5)OE插孔連到BUS3區(qū)XRD插孔。
(6)CS2插孔與+5V插孔相連。
(7)在DVCC系統(tǒng)處于“P”狀態(tài)下,按F2鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)或按F1鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)。
(8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫6264中的內(nèi)容。
3、片外數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用程序)
步驟同上①—⑥。
(7)按框圖編制程序,在上位機上進行編譯,鏈接形成Hex(或ABS)最終目標文件,然后傳送到DVCC實驗系統(tǒng)仿真RAM區(qū)中。
(8)在“P”狀態(tài)下,按F2鍵,進入仿真1態(tài)(“P.....”),從起始地址0C80H開始連續(xù)運行程序。對6264進行讀寫。若L1燈閃動,表示6264 RAM讀寫正常。



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