閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

正確識(shí)別器件之后，就可以根據(jù)器件的命令集對(duì)器件進(jìn)行各種操作。對(duì)閃速存儲(chǔ)器的所有操作都是通過(guò)芯片的命令用戶接口CUI實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)CUI寫(xiě)入不同的控制命令，閃速存儲(chǔ)器就從一個(gè)工作狀態(tài)轉(zhuǎn)移到另一個(gè)工作狀態(tài)。其主要的工作狀態(tài)是：讀存儲(chǔ)單元操作、擦除操作和編程操作。

2.2 讀存儲(chǔ)單元操作

　　在閃速存儲(chǔ)器芯片上電以后，芯片就處于讀存儲(chǔ)單元狀態(tài)，也可以通過(guò)寫(xiě)入復(fù)位命令進(jìn)入讀存儲(chǔ)單元狀態(tài)，讀存儲(chǔ)單元的操作與SRAM相同。

2.3 擦除操作

　　在對(duì)閃速存儲(chǔ)器芯片編程操作前，必須保證存儲(chǔ)單元為空。如果不空，必須對(duì)閃速存儲(chǔ)器芯片進(jìn)行擦除操作。由于閃速存儲(chǔ)器采用模塊分區(qū)的陣列結(jié)構(gòu)，使得各個(gè)存儲(chǔ)模塊可以被獨(dú)立地擦除。當(dāng)給出的地址是在模塊地址范圍之內(nèi)且向命令用戶接口寫(xiě)入模塊擦除命令時(shí)，相應(yīng)的模塊就被擦除。要保證擦除操作的正確完成，必須考慮以下幾個(gè)參數(shù)：(1)該閃速存儲(chǔ)器芯片的內(nèi)部模塊分區(qū)結(jié)構(gòu)。(2)擦除電壓Vpp。(3)整片擦除時(shí)間和每個(gè)模塊分區(qū)的擦除時(shí)間參數(shù)。上面三個(gè)參數(shù)在器件識(shí)別中獲得。

2.4 編程操作

　　閃速存儲(chǔ)器芯片的編程操作是自動(dòng)字節(jié)編程，既可以順序?qū)懭耄部芍付ǖ刂穼?xiě)入。編程操作時(shí)注意芯片的編程電壓Vpp和編程時(shí)間參數(shù)，這兩個(gè)參數(shù)也可以在器件識(shí)別中獲得。

　　上面，我們給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器硬件接口電路和軟件編程設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。硬件上主要考慮芯片的工作電壓和編程電壓，軟件上要考慮到器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、使用命令集和時(shí)間參數(shù)等因素。隨著閃速存儲(chǔ)器器件朝著容量越來(lái)越大、工作電壓越來(lái)越低、支持共同的接口標(biāo)準(zhǔn)的方向發(fā)展，將會(huì)使閃速存儲(chǔ)器硬件接口和軟件編程設(shè)計(jì)越來(lái)越容易，也會(huì)使閃速存儲(chǔ)器的應(yīng)用更加廣泛。