一種新型逆變器優(yōu)化光伏系統(tǒng)

近年來光伏發(fā)電在各國的普及和應(yīng)用取得可觀的進展。作為電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，電力電子變換器對于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。本文在簡要回顧了太陽能市場近年來的發(fā)展之后，著重分析了逆變器>太陽能逆變器的設(shè)計需要并由此闡述了功率半導(dǎo)體器件與電路拓撲方面的優(yōu)選原則。

隨著對綠色能源不斷增長的需求， 太陽能發(fā)電近年來的迅猛發(fā)展引起了各方面的廣泛關(guān)注。這樣的高增長率預(yù)測是基于以下幾個因素：目前過剩的生產(chǎn)能力已經(jīng)將光伏系統(tǒng)的平均制造成本削減了百分之二十五;光伏系統(tǒng)的安裝價格在持續(xù)下降;世界范圍內(nèi)各國與地區(qū)的政府補貼。中國太陽能資源非常豐富，近期來國家的補貼扶持政策陸續(xù)推出。如其中最具影響的金太陽工程DD提出對光伏并網(wǎng)項目和無電地區(qū)離網(wǎng)光伏發(fā)電項目分別給予50%及70%的財政補貼。

電力電子的設(shè)計對于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。由于光電轉(zhuǎn)換板的效率很低，通常不超過百分之二十，因此太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率對于減小太陽能板總面積和系統(tǒng)總體積就至關(guān)重要。除此之外，在電能轉(zhuǎn)換過程的功率損耗直接導(dǎo)致了半導(dǎo)體晶圓的溫度升高，所以要通過散熱器有效耗散這部分損耗能量。器件工作時的溫升和熱應(yīng)力是影響可靠性的重要參數(shù)，換言之，減少功率變換損耗不僅節(jié)約了能源，還提高了系統(tǒng)可靠性，縮減了系統(tǒng)體積和成本。

電路拓撲

要把太陽能轉(zhuǎn)換板輸出的“粗電”(波動的直流電壓)變成恒定可靠的正弦波交流市電，實現(xiàn)方式通常分為兩種構(gòu)架：單級變換和兩級變換，也稱為無直流斬波和有直流斬波式。有些時候也利于電力半導(dǎo)體器件的選取和系統(tǒng)成本優(yōu)化。所以越來越多的廠商在開發(fā)或評估單級變換的架構(gòu)，即使這樣會面臨更復(fù)雜的逆變器控制和潛在的更高器件耐量要求。在新的拓撲結(jié)構(gòu)中，HERIC 和多電平結(jié)構(gòu)吸引了業(yè)界更多的關(guān)注而且有望成為主流的拓撲形式，特別是在和電網(wǎng)相聯(lián)的情況下。

圖 1： HERIC 拓撲結(jié)構(gòu)

圖 2 ：三電平鉗位二極管拓撲。

如圖1所示，HERIC逆變器的結(jié)構(gòu)是在傳統(tǒng)的單相逆變?nèi)珮蚧A(chǔ)上新增加了一對二極管串聯(lián)開關(guān)反并聯(lián)作為輸出。新增電路中的開關(guān)器件以工頻周波速度開關(guān)，對于器件速度沒有特殊需求。在應(yīng)用了適當?shù)南辔豢刂浦?，這種電路能夠更加有效地處理無功功率，從而提高整個系統(tǒng)的效率。

三電平二極管鉗位逆變器是近來受到特別關(guān)注的一種新型太陽能逆變電路拓撲，它已被成功地使用在高電壓的集中式太陽能發(fā)電應(yīng)用中。圖2所示的三相三電平電路的每個橋臂由4只帶反并聯(lián)二極管的開關(guān)串聯(lián)而成，另外每相有一個二極管相臂跨接在主開關(guān)之間，且其中點和直流母線的中性點直接連通。這個二極管相臂起電壓鉗位的作用以保證電路工作時，每個主開關(guān)器件所受最大電壓應(yīng)力為母線電壓的一半。由于這種特殊的拓撲結(jié)構(gòu)，三電平輸出具有低次諧波小(交流輸出更接近正弦)，電磁噪聲水平低，所需開關(guān)器件的電壓耐量低和級數(shù)可擴展等優(yōu)點。在太陽能并網(wǎng)發(fā)電時，尤其適用于三相大功率高電壓的場合。體現(xiàn)在三個方面：首先，實踐證明，高壓半導(dǎo)體開關(guān)器件的價格高于相同電流耐量一半電壓耐量的低壓器件的兩倍，從而三電平電路的器件成本更低;其次，輸出電壓的諧波小，所需的濾波器磁性元件尺寸大為減小，從而降低了濾波設(shè)備成本;最后，由于開管數(shù)量的增多，即使在脈寬調(diào)制方式下，三電平的部分主開關(guān)可以在低頻下開關(guān)，就可以采用相對經(jīng)濟的開關(guān)器件。

電力電子器件的常用種類和選型原則

用于廣義的太陽能逆變器(含輸入直流斬波級)的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFE是一種金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 IGBT， Super Junction MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。與此相對的IGBT則開關(guān)速度較慢，但具有較高的電流密度，從而價格便宜并適用于大電流的應(yīng)用場合。超結(jié)MOSFET介于兩者之間，是一種性能價格折中的產(chǎn)品，在實際設(shè)計中被廣為應(yīng)用。為了幫助設(shè)計人員量化的分析效率和器件成本之間的關(guān)系，表一羅列了三種半導(dǎo)體開關(guān)器件的功率損耗和價格因素，為了便于比較，各參數(shù)均以MOSFET情況作歸一化處理。

表1 常用開關(guān)器件的性能與價格對照表 (所有數(shù)字以MOSFET情況歸一化)

除去以上最典型的三類全控開關(guān)器件，業(yè)界還存在像碳化硅二極管和ESBT? 等基于新材料和新工藝的產(chǎn)品。它們目前的價格還比較高，主要應(yīng)用于對太陽能發(fā)電效率有特殊要求的場合。但隨著生產(chǎn)工藝的不斷進步和器件單價的下降，這類器件也將逐步變?yōu)橹髁鳟a(chǎn)品，甚至替代上述的某一類器件。

工業(yè)界的最新產(chǎn)品

由于太陽能發(fā)電市場的龐大規(guī)模與發(fā)展?jié)摿?，世界各大半?dǎo)體生產(chǎn)廠商都競相推出自己的產(chǎn)品追逐市場。近幾年來，各種針對太陽能功率變換的新器件和新技術(shù)層出不窮。在如火如荼的市場競爭中，美高森美(microsemi)的太陽能系列產(chǎn)品以其先進工藝和應(yīng)用技術(shù)而獨樹一幟。

混合器有多種，各自定義都有不同，但是按詞意是指把兩種不同的物品混合在一起的工具就叫做混合器。電視信號混合器將兩套以上的不同頻率的射頻信號混合在一起形成一路寬帶的射頻信號多頻道節(jié)目輸出的器件為混合器。電視信號混合器是為有線電視多頻道的鄰頻前端系統(tǒng)設(shè)計的專用混頻設(shè)備，電路結(jié)構(gòu)采用傳輸變壓器式耦合方式，用于1000MHz鄰頻寬帶傳輸系統(tǒng)，關(guān)鍵磁性材料采用原裝進口，諧波輸出低，反射損耗大，駐波小，相互隔離度高，插入損耗低，輸入頻帶寬，16路信號輸入，混合成1路信號輸出，1路信號監(jiān)測，每一路指標都相同，輸入頻道互換性好，19英寸標準機箱，便于安裝，廣泛應(yīng)用于各類有線電視系統(tǒng)，衛(wèi)星電視系統(tǒng)，小區(qū)閉路電視、監(jiān)控系統(tǒng)，賓館、酒店、部隊、學校教育視聽系統(tǒng)等，能很好的滿足大、中型有線電視系統(tǒng)的配置要求。