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滯流控制實(shí)現(xiàn)LED恒流驅(qū)動(dòng)

作者: 時(shí)間:2013-04-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

圖5  運(yùn)放頻率特性仿真

圖5 運(yùn)放頻率特性仿真

2. 4 平均驅(qū)動(dòng)電流

設(shè)定

運(yùn)放將點(diǎn)A 電位鉗位于帶隙電壓基準(zhǔn)上。 由M7 - M8 、M6 - M9 組成的級(jí)聯(lián)電流鏡將偏置電流I1 鏡像到M8 - M9 - R5 所在支路,所以Compara2tor 模塊的一個(gè)輸入端電壓V n 保持一定,另一輸入端電壓V p 將跟隨檢測電壓V cs變化。 當(dāng)比較器輸出V out為高電平(開關(guān)管導(dǎo)通) 時(shí),B 點(diǎn)電壓為VBL 即下限閾值檢測電壓V CSMIN ,當(dāng)V cs下降到此閾值時(shí),由M6~M11 組成的對(duì)稱電路結(jié)構(gòu)使流過R5 、R6的電流相等,此時(shí)V n = V p . 若V cs V CSMIN ,即V p V n ,比較器翻轉(zhuǎn),輸出V out為低電平。 當(dāng)V out變至低電平后,M2 截止,B 點(diǎn)電壓將變?yōu)閂 BH , V BH即是上限閾值電壓V CSMAX ,流過L ED 的平均驅(qū)動(dòng)電流是

由B 點(diǎn)平均電壓設(shè)定:

滯環(huán)電流范圍:

上式?jīng)Q定了驅(qū)動(dòng)電流的紋波大小。

3 仿真結(jié)果分析

文中電路采用0. 5μm 5V/ 18V/ 40V CDMOS工藝,用Hspice Z - 2007. 03 進(jìn)行仿真。 在脈沖寬度為200μs、周期為300μs 的DIM 信號(hào)和V in = 12V(典型值) 的共同作用下,仿真結(jié)果如圖6 所示。

圖6  Vin = 12V 時(shí)的電路仿真

圖6 Vin = 12V 時(shí)的電路仿真

分別在V in = 2. 5V , V in = 28V 的情況下,再次對(duì)L ED 驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行仿真,三次仿真數(shù)據(jù)結(jié)果分別如表1 所示。

表1 三種輸入電壓情況下的驅(qū)動(dòng)電流

表1  三種輸入電壓情況下的驅(qū)動(dòng)電流

在V in = 12V 時(shí),對(duì)LED 驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行溫度特性仿真,三次仿真波形結(jié)果分別如表2 所示。 可以看出,芯片的溫度特性較好。

表2 Vin = 12V 情況下三種環(huán)境溫度下的驅(qū)動(dòng)電流

表2  Vin = 12V 情況下三種環(huán)境溫度下的驅(qū)動(dòng)電流

由于系統(tǒng)的固定延時(shí)τ對(duì)電流的紋波存在影響,實(shí)際的驅(qū)動(dòng)電流峰值是IMAX +τoff di/ dt , 電流谷值是IMIN - τon di/ dt ,τoff 為從驅(qū)動(dòng)電流大于設(shè)定值到功率開關(guān)關(guān)閉的系統(tǒng)延時(shí),τon 為從驅(qū)動(dòng)電流小于設(shè)定值到功率開關(guān)導(dǎo)通的系統(tǒng)延時(shí), di/ dt 是電感電流變化率。 則電感若取較大值,對(duì)驅(qū)動(dòng)電流平均值影響不大,但可以減小電流紋波, 反之, 這是以增加外部電感體積為代價(jià)的。

電路可達(dá)很高的效率, 一方面檢測電阻中的功耗

會(huì)導(dǎo)致電源功率耗散,但本設(shè)計(jì)中RSENSE = 0. 5Ω,則PRSENSE 相當(dāng)小,另一方面,系統(tǒng)效率定義為LED 消耗的功率與電源提供的功率之比, 即η = PLED/ PPOWER. 其中, PPOWER =V in3 Ivin , PLED = V LED*

,從仿真可知, Ivin 的平均值遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于

, 所以系統(tǒng)的效率可以達(dá)到非常高。

4 結(jié)束語

文中設(shè)計(jì)了一款適用于降壓型L ED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片的滯環(huán)控制電路。 采用高邊電流檢測方案,運(yùn)用滯環(huán)電流控制方法對(duì)驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行滯環(huán)控制,從而獲得恒定的平均驅(qū)動(dòng)電流,通過調(diào)節(jié)外部檢測電阻,可調(diào)節(jié)恒定L ED 驅(qū)動(dòng)電流。 芯片采用015μm 5V/18V/ 40V CDMOS 工藝,電源電壓范圍為4. 5V~28V ,可為L ED 提供約恒定的350mA 驅(qū)動(dòng)電流,溫度特性- 40 ℃~125 ℃,可達(dá)到相當(dāng)高的效率。 當(dāng)V in從4. 5V 變化到28V 時(shí),平均驅(qū)動(dòng)電流變化22mA ,最大恒流精度為6. 2 %.


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