三模冗余在ASIC設(shè)計(jì)中的實(shí)現(xiàn)方法

如果減小時(shí)鐘間的延遲，電路可能會(huì)出現(xiàn)不定態(tài)，原因也是由于組合邏輯的提前輸出，這里就不再討論了。

2 三模冗余的實(shí)現(xiàn)
2．1 修改網(wǎng)表二次綜合
DC綜合的功能是讀取設(shè)計(jì)的RTL代碼并且根據(jù)時(shí)序約束，綜合RTL代碼到結(jié)構(gòu)級(jí)，從而產(chǎn)生一個(gè)映射后的門級(jí)網(wǎng)表，其中一個(gè)重要的步驟是指定綜合所使用的綜合庫(kù)，綜合庫(kù)一般由流片廠商提供，庫(kù)中包含了引腳到引腳的時(shí)序，面積，引腳類型和功耗等信息，綜合后的門級(jí)網(wǎng)表中的單元也就是庫(kù)中所定義的單元。
三模冗余的加固過程實(shí)際上就是為設(shè)計(jì)中的每個(gè)觸發(fā)器生成2個(gè)冗余觸發(fā)器并加上表決邏輯，而RTL代碼中無(wú)法反應(yīng)出這點(diǎn)，因此可以對(duì)原設(shè)計(jì)綜合后的門級(jí)網(wǎng)表進(jìn)行修改，把觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，用門級(jí)描述編寫三模冗余觸發(fā)器模塊，然后和修改的網(wǎng)表一起再次綜合就可得到三模冗余加固后的網(wǎng)表文件。值得說明的是DC綜合庫(kù)里面有多種類型的觸發(fā)器，比如SDFF，EDFF，SEDFF，JK，DFF，即使在綜合腳本中限定只用DFF觸發(fā)器，也會(huì)有好幾種，所以對(duì)于不同的單元要編寫相應(yīng)的三模冗余觸發(fā)器模塊(其結(jié)構(gòu)如圖1所示)。此外由于有3路時(shí)鐘信號(hào)，所以要編寫時(shí)鐘生成模塊，其功能是由clk產(chǎn)生互有延遲的2路時(shí)鐘信號(hào)。
首先在Synopsys的綜合工具DsignCompiler下對(duì)原設(shè)計(jì)的RTL代碼進(jìn)行綜合，得到電路的門級(jí)網(wǎng)表。門級(jí)網(wǎng)表中的電路實(shí)際上就是通過例化綜合庫(kù)的單元來描述電路的結(jié)構(gòu)，可以使用形式驗(yàn)證工具Formality來驗(yàn)證RTL代碼和綜合后的門級(jí)網(wǎng)表在功能上是否一致。
然后修改門級(jí)網(wǎng)表，在網(wǎng)表中增加線網(wǎng)類型ck[2：0]，并且實(shí)例化clkgen模塊，再把網(wǎng)表里面的觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，并修改其時(shí)鐘端口為{clk，ck[1：0]}，由于綜合庫(kù)中不含有這兩個(gè)模塊，這時(shí)網(wǎng)表中就出現(xiàn)了兩個(gè)綜合工具沒有處理的模塊，時(shí)鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器模塊，修改后的網(wǎng)表就不是完全映射后的門級(jí)網(wǎng)表。
最后對(duì)修改后的網(wǎng)表，時(shí)鐘生成模塊及三模冗余觸發(fā)器模塊進(jìn)行再次綜合，這次綜合實(shí)際上就是對(duì)時(shí)鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器的綜合，把它們映射為綜合庫(kù)中的單元，得到的門級(jí)網(wǎng)表即是三模冗余加固后設(shè)計(jì)的門級(jí)網(wǎng)表。
2．2 建立三模冗余觸發(fā)器的庫(kù)單元
由于三模冗余觸發(fā)器單元的時(shí)鐘端口有3位，即使在庫(kù)中加入三模冗余觸發(fā)器的單元，綜合器也無(wú)法把設(shè)計(jì)直接映射成該單元，因此可以把時(shí)鐘生成模塊放到TMR_DFF內(nèi)部，這樣三模冗余觸發(fā)器時(shí)鐘端口就只有1位，在庫(kù)文件中把觸發(fā)器單元用對(duì)應(yīng)的三模冗余觸發(fā)器單元替換掉，DC就可以把電路中的觸發(fā)器直接映射成TMR_DFF，一次綜合就可以完成設(shè)計(jì)了，但是這樣一來整個(gè)芯片的面積又會(huì)增大很多(時(shí)鐘生成模塊不在共用)，除此之外也可以借助上面的方法在原設(shè)計(jì)綜合后修改網(wǎng)表。前面已經(jīng)提到庫(kù)文件里面有很多種類型的觸發(fā)器，所以應(yīng)對(duì)不同的DFF觸發(fā)器建立相應(yīng)的庫(kù)單元，下面是一種建立庫(kù)單元的方法，主要分為2步：版圖設(shè)計(jì)和仿真特性提取。
單元庫(kù)的建立首先要完成單元的版圖設(shè)計(jì)，在確定單元庫(kù)所包含的單元種類和單元電路后，根據(jù)加工廠家的工藝參數(shù)，設(shè)計(jì)規(guī)則等完成單元的版圖設(shè)計(jì)，并導(dǎo)出電路網(wǎng)表，此時(shí)網(wǎng)表中不僅有電路結(jié)構(gòu)，還有電阻，電容參數(shù)。然后就可以進(jìn)行單元的參數(shù)提取工作。
參數(shù)提取需要選擇一種用于參數(shù)提取的工具，這里選擇siliconsmart，其次要確定模擬仿真工具，如HSpice。主要步驟包括創(chuàng)建工作目錄配置仿真環(huán)境，引入?yún)⒖紟?kù)，產(chǎn)生仿真文件，運(yùn)行仿真特性提取，生成庫(kù)文件。
創(chuàng)建工作目錄是指創(chuàng)建一個(gè)用于siliconsmart運(yùn)行的目錄，此時(shí)會(huì)自動(dòng)生成一個(gè)名為config．tcl的腳本文件，需要手動(dòng)對(duì)其進(jìn)行一些關(guān)鍵配置，主要包括模擬工具的選擇(這里選擇HSpice)，模擬模型的指定，環(huán)境溫度等變量的設(shè)置等。引入?yún)⒖紟?kù)是為工具指定一個(gè)參考的庫(kù)單元，工具將參考單元的信息摘取出來，并為該單元生成一個(gè)控制文件，該文件詳細(xì)描述了需要提取的單元的信息。包括單元網(wǎng)表文件，管腳信息，邏輯功能，輸入信號(hào)的上升／下降時(shí)間，輸出管腳負(fù)載情況等。如果沒有參考的庫(kù)文件，則需要手動(dòng)編寫該文件。產(chǎn)生仿真文件是告訴工具對(duì)單元的哪些方面進(jìn)行特性提取，比如時(shí)序，功耗，CCS模型等。運(yùn)行仿真提取是對(duì)單元進(jìn)行模擬仿真特性提取工作。生成庫(kù)文件會(huì)產(chǎn)生2個(gè)庫(kù)單元，其中．v是仿真工具用的仿真庫(kù)，．lib是可讀的綜合庫(kù)，可以在DC中用read_lib *．lib命令讀入．lib文件，然后用write_ lib* *．db命令可以生成．db綜合庫(kù)(*代表庫(kù)單元的名字)。
對(duì)于抗輻射加固來說，除了用電路加固外可能還需要選擇更加可靠的工藝，SOI工藝就具有很好的抗輻射性能，它消除了閂鎖效應(yīng)，有效地降低了單粒子效應(yīng)，而此時(shí)就需要建立自己的單元庫(kù)了，庫(kù)中的觸發(fā)器單元就可以直接建成三模冗余觸發(fā)器的庫(kù)單元。

3 結(jié)語(yǔ)
航天系統(tǒng)中芯片的抗輻射能力是一個(gè)重要的指標(biāo)，對(duì)于抗輻射的處理器和存儲(chǔ)器來說，輻照實(shí)驗(yàn)是測(cè)試中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。三模冗余加固技術(shù)只是眾多抗輻照加固技術(shù)的一種，比較常用的還有檢錯(cuò)糾錯(cuò)碼EDAC，SOI工藝加固，其中采用SOI工藝流片的費(fèi)用比普通工藝更為昂貴。標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的建立對(duì)ASIC設(shè)計(jì)來說是一項(xiàng)基礎(chǔ)性的工作，建立符合設(shè)計(jì)需要的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)對(duì)芯片設(shè)計(jì)來說是很重要的，對(duì)此文章提供了一種一般性的方法。