單片開關(guān)電源原理及應(yīng)用

1前言

開關(guān)電源自20世紀(jì)70年代開始應(yīng)用以來，涌現(xiàn)出許多功能完備的集成控制電路，使開關(guān)電源電路日益簡(jiǎn)化，工作頻率不斷提高，效率大大提高，并為電源小型化提供了廣闊的前景。三端離線式脈寬調(diào)制單片開關(guān)集成電路TOP(Threeterminaloffline)將PWM控制器與功率開關(guān)MOSFET合二為一封裝在一起，已成為開關(guān)電源IC發(fā)展的主流。采用TOP開關(guān)集成電路設(shè)計(jì)開關(guān)電源，可使電路大為簡(jiǎn)化，體積進(jìn)一步縮小，成本也明顯降低。

2TOP開關(guān)結(jié)構(gòu)及工作原理

2.1結(jié)構(gòu)

TOP開關(guān)集各種控制功能、保護(hù)功能及耐壓700V的功率開關(guān)MOSFET于一體，采用TO220或8腳DIP封裝。少數(shù)采用8腳封裝的TOP開關(guān)，除D、C兩引腳外，其余6腳實(shí)際連在一起，作為S端，故仍系三端器件。三個(gè)引出端分別是漏極端D、源極端S和控制端C。其中，D是內(nèi)裝MOSFET的漏極，也是內(nèi)部電流的檢測(cè)點(diǎn)，起動(dòng)操作時(shí)，漏極端由一個(gè)內(nèi)部電流源提供內(nèi)部偏置電流?？刂贫薈控制輸出占空比，是誤差放大器和反饋電流的輸入端。在正常操作時(shí)，內(nèi)部的旁路調(diào)整端提供內(nèi)部偏置電流，且能在輸入異常時(shí)，自動(dòng)鎖定保護(hù)。源極端S是MOSFET的源極，同時(shí)是TOP開關(guān)及開關(guān)電源初級(jí)電路的公共接地點(diǎn)及基準(zhǔn)點(diǎn)。

2.2工作原理

TOP包括10部分，其中Zc為控制端的動(dòng)態(tài)阻抗，RE是誤差電壓檢測(cè)電阻。RA與CA構(gòu)成截止頻率為7kHz的低通濾波器。主要特點(diǎn)是：

（1）前沿消隱設(shè)計(jì)，延遲了次級(jí)整流二級(jí)管反向恢復(fù)產(chǎn)生的尖峰電流沖擊；

（2）自動(dòng)重起動(dòng)功能，以典型值為5％的自動(dòng)重起動(dòng)占空比接通和關(guān)斷；

（3）低電磁干擾性（EMI），TOP系列器件采用了與外殼的源極相連，使金屬底座及散熱器的dv/dt=0，從而降低了電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制;

（4）電壓型控制方式與逐周期峰值電流限制。

下面簡(jiǎn)要敘述一下：

（1）控制電壓源

控制電壓Uc能向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動(dòng)極提供偏置電壓，而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比。控制端的總電容用Ct表示，由它決定自動(dòng)重起動(dòng)的定時(shí)，同時(shí)控制環(huán)路的補(bǔ)償，Uc有兩種工作模式，一種是滯后調(diào)節(jié)，用于起動(dòng)和過載兩種情況，具有延遲控制作用；另一種是并聯(lián)調(diào)節(jié)，用于分離誤差信號(hào)與控制電路的高壓電流源。剛起動(dòng)電路時(shí)由DC極之間的高壓電流源提供控制端電流Ic，以便給控制電路供電并對(duì)Ct充電。

（2）帶隙基準(zhǔn)電壓源

帶隙基準(zhǔn)電壓源除向內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓之外，還產(chǎn)生一個(gè)具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源，以保證精確設(shè)定振蕩器頻率和門極驅(qū)動(dòng)電流。

（3）振蕩器

內(nèi)部振蕩電容是在設(shè)定的上、下閾值UH、UL之間周期性地線性充放電，以產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需要的鋸齒波（SAW），與此同時(shí)還產(chǎn)生最大占空比信號(hào)(Dmax)和時(shí)鐘信號(hào)(CLOCK)。為減小電磁干擾，提高電源效率，振蕩頻率（即開關(guān)頻率）設(shè)計(jì)為100kHz，脈沖波形的占空比設(shè)定為D。

（4）放大器

誤差放大器的增益由控制端的動(dòng)態(tài)阻抗Zc來設(shè)定。Zc的變化范圍是10Ω～20Ω，典型值為15Ω。誤差放大器將反饋電壓UF與5.7V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后，輸出誤差電流Ir，在RE上形成誤差電壓UR。

（5）脈寬調(diào)制器（PWM）

脈寬調(diào)制器是一個(gè)電壓反饋式控制電路，它具有兩層含義。第一、改變控制端電流Ic的大小，即可調(diào)節(jié)占空比D，實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。第二、誤差電壓UR經(jīng)由RA、CA組成截止頻率為7kHz的低通濾波器，濾掉開關(guān)噪聲電壓之后，加至PWM比較器的同相輸入端，再與鋸齒波電壓UJ進(jìn)行比較，產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號(hào)UB。

（6）門驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)

門驅(qū)動(dòng)級(jí)（F）用于驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管(MOSFET)，使之按一定速率導(dǎo)通，從而將共模電磁干擾減至最小。漏蒼吹紀(jì)ǖ繾櫨氬品型號(hào)和芯片結(jié)溫有關(guān)。MOSFET管的漏蒼椿鞔┑繆U(bo)ds≥700V。

（7）過流保護(hù)電路

過流比較器的反相輸入端接閾值電壓ULIMIT，同相輸入端接MOSFET管的漏極。此外，芯片還具有初始輸入電流限制功能。剛通電時(shí)可將整流后的直流限制在0.6A或0.75A。

（8）過熱保護(hù)電路

當(dāng)芯片結(jié)溫TJ>135℃時(shí)，過熱保護(hù)電路就輸出高電平，將觸發(fā)器Ⅱ置位，Q=1，Q=0，關(guān)斷輸出級(jí)。此時(shí)進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式，Uc端波形也變成幅度為4.7V～5.7V的鋸齒波。若要重新起動(dòng)電路，需斷電后再接通電源開關(guān)；或者將控制端電壓降至3.3V以下，達(dá)到Uc(reset)值，再利用上電復(fù)位電路將觸發(fā)器Ⅱ置零，使MOSFET恢復(fù)正常工作。

（9）關(guān)斷/自起動(dòng)電路

一旦調(diào)節(jié)失控，關(guān)斷/自動(dòng)重起動(dòng)電路立即使芯片在5％占空比下工作，同時(shí)切斷從外部流入C端的電流，Uc再次進(jìn)入滯后調(diào)節(jié)模式。倘若故障己排除，Uc又回到并聯(lián)調(diào)節(jié)模式，自動(dòng)重新起動(dòng)電源恢復(fù)正常工作。自動(dòng)重起動(dòng)的頻率為1.2Hz。

圖1TOP開關(guān)內(nèi)部工作原理框圖