高壓MOS/IGBT的短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)

帶短路保護(hù)鎖定的驅(qū)動(dòng)的3腳為短路信號(hào)檢測(cè)入端;2腳為驅(qū)動(dòng)地;1腳為驅(qū)動(dòng)輸出。

　　當(dāng)電路存在短路的時(shí)候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導(dǎo)致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通(當(dāng)然導(dǎo)到什么程度具體跟MOS的跨導(dǎo)有關(guān)系)，因此驅(qū)動(dòng)電阻上面有壓降，MOS進(jìn)入放大區(qū)。這個(gè)時(shí)候高電壓不會(huì)通過MOS進(jìn)行強(qiáng)電流放電，因而芯片不會(huì)有局部過熱的可能，在很短的時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測(cè)到短路存在關(guān)閉并鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出，MOS僅承受了動(dòng)作時(shí)間內(nèi)的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。

　　此電路僅作為理解原理使用具體參數(shù)看實(shí)際工況選取。

　　S級(jí)的電阻是根據(jù)你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導(dǎo)這個(gè)不是主要因數(shù);這里三極管并不工作在開關(guān)狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS的驅(qū)動(dòng)電壓,保證在短路出現(xiàn)的時(shí)候IDM不至于超出安全工作范圍,這個(gè)時(shí)候由于在1US甚至更短的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時(shí)間越快越好.其實(shí)這個(gè)電路是電流負(fù)反饋電路演變過來的.電路如下: