采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗

作者：時(shí)間：2011-01-12 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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在典型飽和壓降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向電壓Vf=1.25V@175℃(額定電流)的條件下，功率損(特別是軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的導(dǎo)通損耗)可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降時(shí)間的切線可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2在下降時(shí)間方面是最為出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω；tf=40ns@175℃。(在硬開(kāi)關(guān)條件下測(cè)量，參見(jiàn)帶有Eoff曲線的圖6和圖7)。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/179976.htm

圖5 ：來(lái)自英飛凌科技的最新一代RC2-IGBT(IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A)。采用無(wú)鉛電鍍TO-247封裝

圖6 ：在硬開(kāi)關(guān)條件下，175℃結(jié)溫以及室溫下IHW20N120R2(IN=20A，Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降時(shí)間切線

圖7 ：在硬開(kāi)關(guān)條件下，175℃結(jié)溫以及室溫下RC2-IGBT的Eoff曲線

圖6顯示如果柵極電阻低于30(，下降時(shí)間再度上升。這對(duì)于實(shí)現(xiàn)良好的EMI行為非常重要。所有市場(chǎng)上相關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)目前使用的柵極電阻都在10~20Ω之間。這個(gè)柵極電阻選用區(qū)域也是最低開(kāi)關(guān)損耗區(qū)(見(jiàn)圖7)。它具有最低的開(kāi)關(guān)損耗和合適的EMI表現(xiàn)。