采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗

IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。

此外，帶有單片二極管的IGBT概念也經(jīng)常被探討。首先投產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT是針對(duì)電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化的，被稱(chēng)之為“LightMOS”。本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。

TrenchStop和RC-IGBT技術(shù)

在采用的TrenchStop技術(shù)中，溝槽柵結(jié)合了場(chǎng)終止概念(見(jiàn)圖1中的IGBT)。由于發(fā)射極(陰極)附近的載流子濃度提高，溝槽柵可使得導(dǎo)通損耗降低。場(chǎng)終止概念是NPT概念的進(jìn)一步發(fā)展，包含一個(gè)額外的植入晶圓背面的n摻雜層。

將場(chǎng)終止層與高電阻率的晶圓襯底結(jié)合起來(lái)，能使器件的厚度減少大約三分之一，同時(shí)保持相同的阻斷電壓。隨著晶圓厚度的降低，導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗也可進(jìn)一步降低。場(chǎng)終止層摻雜度低，因此不會(huì)影響背面植入的低摻雜p發(fā)射極。為了實(shí)現(xiàn)RC-IGBT，二極管的部分n摻雜背面陰極(圖1)將與IGBT集電極下面的p發(fā)射極結(jié)合起來(lái)。

RC-IGBT的溝槽柵概念所基于的技術(shù)與傳統(tǒng)的TrenchStop-IGBT(見(jiàn)圖2)相同，但針對(duì)軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用所需的超低飽和壓降Vce(sat)進(jìn)行了優(yōu)化，比如電磁爐或微波爐應(yīng)用。數(shù)以萬(wàn)計(jì)的溝槽柵通過(guò)金屬(鋁)相連，該金屬鋁層同時(shí)也是連線(xiàn)區(qū)。柵極和發(fā)射極之間的區(qū)域和端子被嵌入絕緣亞胺薄膜里。最新的投產(chǎn)型RC2-IGBT，其溝槽柵極更小，與標(biāo)準(zhǔn)TrenchStop-IGBT相比要多出150%的溝槽柵單元。圖3為基于TrenchStop技術(shù)的最新一代RC2-IGBT的溝槽柵截面圖。

超薄晶圓技術(shù)

由于導(dǎo)通電壓和關(guān)斷損耗在很大程度上取決于晶圓的厚度，因此需要做更薄的IGBT。圖4顯示了英飛凌600/1,200V IGBT和EMCON二極管的晶圓厚度趨勢(shì)。對(duì)于新型1,200V RC-IGBT而言，120um厚度晶圓將是標(biāo)準(zhǔn)工藝。這需要進(jìn)行復(fù)雜的晶圓處理，包括用于正面和背面的特殊處理設(shè)備。將晶圓變薄可通過(guò)晶圓打磨和濕式化學(xué)蝕刻工藝實(shí)現(xiàn)。

新型RC2-IGBT的優(yōu)勢(shì)

來(lái)自英飛凌的新型RC2-IGBT系列產(chǎn)品是以成熟的TrenchStop技術(shù)為基礎(chǔ)的，具有超低飽和壓降。此外，IGBT還集成了一個(gè)功能強(qiáng)大且正向電壓超低的二極管。

新型RC2-IGBT的優(yōu)勢(shì)是針對(duì)軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用(比如微波爐、電磁爐和感應(yīng)加熱型電飯煲)進(jìn)行優(yōu)化的定制解決方案。與以前的器件相比，RC2-IGBT可提升性能，降低飽和壓降損耗。這可導(dǎo)致非常低的總體損耗，因此所需的散熱器更小。另外一個(gè)優(yōu)勢(shì)是最大結(jié)溫被提高到TvJ(max)=175℃，比普通IGBT芯片提高了25℃。這種結(jié)溫已通過(guò)TO-247無(wú)鉛封裝的應(yīng)用驗(yàn)證。

圖1：應(yīng)用TrenchStop技術(shù)的RC-IGBT

圖2 ：RC-IGBT芯片(IHW20N120R)前視圖

圖3：基于TrenchStop技術(shù)的最新一代RC2-IGBT的溝槽柵截面圖(溝槽柵里的洞是為分析準(zhǔn)備)

圖4 ：IGBT和二極管晶圓厚度變化