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家電智能功率模塊單驅(qū)動電源方案

作者: 時間:2010-07-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

由于雙列直插式(DIP)(IPM)內(nèi)置高壓集成電路(HVIC),使采用單一控制供電成為可能。對控制的性能指標要求為:+15V(+-10%),dv/dt≤(1V/us,V紋波>≤2Vp-p。HVIC器件通常會忽略掉脈寬50ns、脈沖幅值5V的高頻噪聲。這里值得注意的是,控制VD應(yīng)先于主電源(P-N間電源)開啟,并晚于主電源關(guān)斷。
充電初始過程
  為了使IPM正常起動,需要提供初始自舉充電信號。如圖1所示,通過打開N側(cè)的IGBT,自舉電容被充電,控制信號應(yīng)具有足夠的脈寬使自舉電容能充滿電。為了實現(xiàn)此初始化功能,在軟件上應(yīng)進行相應(yīng)的處理,即增加初始化程序段。
  參考參數(shù):自舉電容為100uF、自舉電阻為50(情況下,初始充電時間約5ms。
  自舉電容、電阻和二極管的選擇
1. 自舉電容C1的選擇:

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/180698.htm

  其電容值可通過下式來選擇:

  C1=IBS(T1/(VHSPACE=12

充電初始化

  圖1:充電初始化。

  其中,T1為IGBT1的最大開通脈寬時間,IBS為IC的電流(取決于溫度和頻率特性),(V為允許的放電電壓。通常應(yīng)對計算出的電容值增加2~3倍裕量。注意:由于交流電機和直流無刷電機的控制方式不同,T1具有較大的差異,因而C1的選取值差別較大。
2. 自舉電阻R2的選擇

  一般來說,R2電阻值的選擇應(yīng)使時間常數(shù)C1×R2能夠滿足使放電電壓((V),能在IGBT2的最大導(dǎo)通脈寬(T2)內(nèi)充電到C1。同時還需注意充電瞬間的最大充電電流,控制電源應(yīng)能提供此瞬態(tài)電流。然而,如果僅僅IGBT具有“開-關(guān)-開”控制模式,時間常數(shù)的設(shè)置應(yīng)使在導(dǎo)通階段消耗的電荷能夠在關(guān)斷時間內(nèi)被充電。
3. 二極管D1的選擇
  二極管D1應(yīng)采用高壓快恢復(fù)二極管(600V或更高),最大承受電流應(yīng)大于充電瞬間的最大充電電流。
  DIP IPM的短路保護電路
 在PCB板布局布線時,應(yīng)盡量滿足如下要求:

  旁路電阻盡量靠近DIP IPM的引腳N放置;RC濾波器盡量靠近DIP IPM的CIN引腳放置;A、B和C之間的走線應(yīng)盡可能短。
  RC濾波器時間常數(shù)設(shè)定在1~2(s之間,此RC濾波電路可防止旁路電阻上噪聲引起的短路保護誤動作,它還應(yīng)允許FWDi反向恢復(fù)電流流通。為了確定時間常數(shù),需要考慮IGBT的性能,圖3舉例說明了帶最小導(dǎo)通閾值電壓的IGBT的情況。例如,當(dāng)電壓為推薦范圍內(nèi)的最大值16.5V時,在上述條件下能通過額定集電極電流的8.5倍(VD=16.5V時的最大電流),此時,如果IGBT的導(dǎo)通時間(脈寬)小于4us,表明IGBT能夠安全地關(guān)斷。對于DIP IPM,考慮設(shè)置裕量,RC時間常數(shù)的推薦值為2us或更小。
  電流檢測旁路電阻值的選擇HSPACE=12

DIP IPM的短路保護電路

  圖2:DIP IPM的短路保護電路。

  采用下式來計算電流檢測電阻的阻值:R=VSC(ref)/ISC。其中,VSC(ref)為控制IC的SC參考電壓(動作閾值),ISC為需要中斷的電流值。
  控制IC的SC參考電壓(動作閾值)隨寄生電壓和溫度而變化,應(yīng)考慮其波動范圍,需要基于下述參數(shù)來設(shè)計??紤]到VSC(ref)參數(shù)及旁路電阻的精度問題,實際上應(yīng)考慮下述短路保護動作閾值:

  SCmax.= VSC(ref)max,旁路電阻最小值;

  SCtyp.= VSC(ref)typ,旁路電阻典型值;

  SCmax.= VSC(ref)min,旁路電阻最大值。



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