高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器
電路的功能
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/188165.htm用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器,而且還在輸出級采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。本電路能連續(xù)輸出100~150W并能承受負(fù)載短路。
電路工作原理
基本電路組成與限流保護(hù)電路的100W功率放大器相同,第二差動級是輸出用的功率MOSFET,2SJ77,電流密勒電路使用了2SK214。雖然工作電流只有6MA,但是,因為電源電壓高達(dá)正負(fù)50V,晶體管會發(fā)熱,于是安裝了小型散熱片。
輸出級采用直接驅(qū)動方式,由于不經(jīng)射極輸出器緩沖,驅(qū)動電路的負(fù)載就加重了,如果轉(zhuǎn)換速度需要提高,可以TT5-6的允許損耗范圍內(nèi)盡量加大漏級偏置電流。
功率MOSFET經(jīng)常產(chǎn)生高頻振蕩,要抑制振蕩比較困難,簡單的措施是在柵極串聯(lián)電阻★標(biāo)志的RO,但這要犧牲一些高頻特性,RO的阻值隨所用元件而異,通常在50~500歐之間。
與單極晶體管相比,輸出電路的電壓損耗很大,電源電壓應(yīng)有所提高。出于輸出電路的損耗電壓取決于功率MOSFET的通態(tài)電阻,在大電流條件下工作,這個問題是不可忽視的,所以采用了多管并聯(lián)的方式加以解決。
元件的選用
因為FET的VOB~ID特性一致性較差,所以TT5和TT6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15應(yīng)盡量選用傳輸特性不同的產(chǎn)品,偶數(shù)高效諧波就會增多。
電路中即使沒有源極電阻R2A~R31也能工作,但是該電路如用作電流檢測并使用色碼繞線電阻,其電感成分不容忽略,這時不宜在高頻條件下工作。
調(diào)整
第一差動的工作電流可用輸入級的置偏電流來調(diào)整,若降低R7,電流就會增大,轉(zhuǎn)換速度也可加快,如果R1級等于R11,失調(diào)電壓就會減小,要完全調(diào)零,必須在TT1.2的射極電路中加可變電阻。
輸出級的偏流由VR1調(diào)整,每個輸出晶體管的漏極電流平均為100MA左右。
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