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一種人工耳蝸系統(tǒng)專用植入刺激芯片設計

作者: 時間:2011-12-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

0 引言

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/199639.htm
是幫助傳感性耳聾患者恢復聽覺的一種電子裝置,它把外部的聲音轉(zhuǎn)換為聽神經(jīng)需要的電刺激,將這種刺激通過植入電極刺激聽覺神經(jīng),人工制造出聽覺。
主要由四部分構成: (1)語音處理器,按照一定的算法將聲音轉(zhuǎn)換成適當?shù)碾娦盘?;(2)傳?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/系統(tǒng)">系統(tǒng),用來將電信號和體內(nèi)電路所需的能量從體外傳送到體內(nèi);(3)植入刺激電路,用來處理體外傳入的電信號并產(chǎn)生刺激聽神經(jīng)的電脈沖;(4)電極(組),用來直接刺激聽覺神經(jīng)。其中植入刺激電路、接收天線和電極組通過外科手術植入耳內(nèi)。
植入刺激電路是的核心部件,早在1800 年,Alessandro Volta 在實驗時發(fā)現(xiàn)將通電的電極插入雙耳時“使頭內(nèi)產(chǎn)生轟響聲”,隨后會聽到“一種如同粘液沸騰的聲音”。此后人類便開始了對電刺激恢復聽覺的研究[1];到1960 年FBSimmons等人[2]使用了一種單通道刺激,在耳蝸內(nèi)插入一根電極,用電脈沖直接刺激聽神經(jīng),使患者可以產(chǎn)生音調(diào)感覺;此后,受到電極陣列技術條件和無法實現(xiàn)小面積低功耗的植入刺激電路的限制[3],人工耳蝸的發(fā)展很慢;20 世紀80 年代,電極技術有了較大突破,可以在一根載體中放入4 根或者更多的獨立電極[4],同時集成電路的制造和設計技術也有了很大的進步,植入芯片由分立元件實現(xiàn)發(fā)展到專用集成電路實現(xiàn),功耗和面積都得到了很大程度的降低,越來越多的人工耳蝸開始出現(xiàn)。目前三家商用的人工耳蝸系統(tǒng)[5]的植入刺激電路普遍采用數(shù)?;旌蠈S眉呻娐吩O計實現(xiàn)。
本文介紹一種適用于16 通道、電流脈沖刺激方式的人工耳蝸系統(tǒng)[67]的體內(nèi)刺激電路。
1 芯片結構和功能
植入刺激電路的結構如圖1 所示。
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圖1 植入刺激電路結構示意圖
植入刺激電路通過接收線圈接收體外電路發(fā)射的信號,從中提取出數(shù)據(jù)和能量,并對數(shù)據(jù)解碼形成相應的脈沖刺激電流刺激聽神經(jīng)。具體各部分的功能為:(1)接收線圈負責接收體外線圈發(fā)射的調(diào)制信號;(2)整流濾波電路對接收線圈接收到的信號進行整流、濾波,得到12 V 的高壓電源電壓VCC;(3)高壓帶隙基準模塊產(chǎn)生低壓降穩(wěn)壓器使用的12 V 參考電源電壓Vref; (4)低壓降穩(wěn)壓器負責產(chǎn)生33 V 的常壓電源VDD給其他常壓模塊供電;(5)上電復位電路負責在低壓降穩(wěn)壓器輸出到一定電位時產(chǎn)生復位信號,控制數(shù)字模塊復位,進入工作狀態(tài);(6)數(shù)據(jù)時鐘恢復模塊將線圈接收到的信號進行處理,解調(diào)出數(shù)字控制模塊所需的數(shù)據(jù)信號(data)和時鐘信號(clk); (7)數(shù)字控制模塊負責從數(shù)據(jù)時鐘恢復模塊恢復出的數(shù)據(jù)信號中提取出關于刺激電流的各種參數(shù)(刺激電極選擇、刺激維持時間、刺激強度等),控制開關陣列和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路;(8)常壓帶隙基準源負責產(chǎn)生數(shù)模轉(zhuǎn)換電路所需要的09 V 參考電壓;(9)12 位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的刺激強度產(chǎn)生控制壓控電流源的控制電壓; (10)壓控電流源負責根據(jù)數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的控制電壓產(chǎn)生精確的刺激電流;(11)開關陣列根據(jù)數(shù)字控制模塊提取出的電極序號選通待刺激的電極,并維持相應的刺激時間。
體內(nèi)刺激電路有兩個工作電壓,12 V 高壓電源VCC和3.3 V 常壓電源VDD。使用12 V 高壓電源的模塊為高壓模塊,采用相應的高壓工藝進行設計;使用常壓電源的模塊為常壓模塊,采用常壓工藝進行設計。采用雙電源既可以有效地降低電路功耗,又可以保證刺激的強度。
2 關鍵模塊電路實現(xiàn)
2 1 帶隙基準源
植入刺激電路中有高壓和常壓兩個帶隙基準源,二者均采用了傳統(tǒng)的帶隙結構[8],其核心電路如圖2 所示。通過雙極型晶體管VBE的負溫度系數(shù)和不同電流密度的兩個雙極型晶體管的VBE之差ΔVBE的正溫度系數(shù)相加產(chǎn)生與溫度無關的基準電壓,輸出電壓為
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