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用于高速信號防靜電保護硅ESD器件

作者: 時間:2016-09-12 來源:網絡 收藏

硅ESD(SESD)保護器件可以防止電路因靜電放電(ESD)事件而受損。0201規(guī)格SESD器件的尺寸極小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm),比上一代器件的面積小了近70%,在空間受到限制的應用中為設計人員提供了極大的靈活性。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201609/304352.htm

SESD0201C-006-058器件是一款0.6pF的雙向超低電容器件,適合保護高速數據線(如USB和HDMI)或低壓天線端口。由于該器件具有超低電容、低插入損耗(頻率在3GHz以下時,均小于0.5dB)和電容-頻率線性程度高的特點,有助于降低信號衰減。

SESD0201C-120-058 (12pF)器件和SESD0102P1BN-0400-090(4pF) 器件為高電容雙向器件, 可用于低速通用接口, 如鍵盤、電源按鈕、揚聲器和移動電子設備中的麥克風。無論SESD0201C-006-058還是SESD0201C-120-058器件都可按 IEC61000-4-2 level 4標準提供具有8kV接觸放電和15kV空氣放電保護;而SESD0201P1BN-0400-090器件可按IEC61000-4-2level 4標準提供提供10kV接觸放電和16kV空氣放電保護。

該產品系列中還包括SESD0402S-005-054器件,這是一款具有0.5 pF典型電容的超低電容SOD-923 (0402規(guī)格封裝)單向器件。該器件具有符合IEC61000-4-2 level 4標準的10kV接觸放電保護等級,可在USB和HDMI等數字應用中使用。

產品系列中還包括SESD0402P1BN-0450-090器件。這是一款高電容(4.5pF) 高電容SMD雙向器件,可按EC61000-4-2 level 4標準提供10kV接觸放電和16kV空氣放電保護。



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