東芝副社長：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”

　　“三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導(dǎo)體相關(guān)展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導(dǎo)體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。

　　成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應(yīng)的3D NAND“BiCS FLASH”(48層TLC產(chǎn)品)。BiCS與現(xiàn)有2D NAND相比，存儲元件密度可達(dá)到兩倍以上，可靠性(擦寫次數(shù))可提升至約10倍，性能(程序速度)可提高至約兩倍，功耗可降至約一半。存儲芯片的最大容量方面，15nm工藝2D NAND僅為128Gbit，而48層3D NAND可達(dá)到256Gbit。東芝打算運用3D NAND的這些優(yōu)點，開拓數(shù)據(jù)中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市場和用途。

　　而且，東芝已從2016年7月開始提供64層3D NAND(256Gbit產(chǎn)品)樣品，并投放了量產(chǎn)晶圓。成毛稱，“2017年可通過64層產(chǎn)品覆蓋相當(dāng)一部分供應(yīng)bit”，對啟動量產(chǎn)充滿信心。據(jù)稱，該公司目前正在開發(fā)512Gbit的3D NAND。

　　成毛就3D NAND表示，東芝今后將為進(jìn)一步實現(xiàn)高集成化和低成本化開發(fā)多種技術(shù)。關(guān)于三維方向存儲單元積層，成毛稱，“當(dāng)然會推進(jìn)100層的單元積層”，然后表示，該公司的目標(biāo)是實現(xiàn)篇首提到的200層。而且，隨著積層數(shù)量的増加，東芝還將致力于縱向尺寸的縮小(薄型化)。另外，關(guān)于縮小芯片面積的技術(shù)，該公司將推進(jìn)外圍電路和存儲陣列的高效配置。成毛表示，“將把外圍電路配置在存儲單元下面”。